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在便携式无线应用中,GaAsFET功率放大器的偏置电源设计至关重要。今天要给大家介绍的MAX881R,就是一款专门为GaAsFET功率放大器偏置设计的低噪声反相电源,它具有诸多出色特性,能满足多种应用需求。
文件下载:MAX881R.pdf
MAX881R是一款低噪声、反相的稳压电荷泵电源,由电荷泵逆变器和负线性稳压器组成。其输入电压范围为2.5V至5.5V,输出预设为 -2.0V,也可通过两个电阻将输出电压设置在 -0.5V至 (-VIN + 0.6V) 之间,最大能提供4mA的电流。内部线性稳压器可将输出纹波和噪声过滤至1mVp-p。
它还有一个Power-OK(POK)输出,当负电压处于设定值的7.5%范围内时发出信号。这一功能可保护GaAsFET,在其正确偏置前,不会给GaAsFET的漏极供电。该信号可连接到微控制器或直接连接到GaAsFET漏极的开关。MAX881R采用10引脚的µMAX封装。
采用小尺寸的µMAX封装,节省空间。输出电压纹波和噪声仅为1mVp-p,能为GaAsFET提供稳定的电源。
具备Power-OK信号来控制GaAsFET漏极开关,确保安全。逻辑控制关机电流低至0.05µA,实现低功耗。
保证1ms的启动时间,响应迅速。输入电压范围为2.5V至5.5V,输出电压范围为 -0.5V至 (-VIN + 0.6V) ,输出电流可达4mA,适用范围广。
只需一个4.7µF和三个0.22µF的电容即可工作,无需电感,简化了电路设计。
MAX881R适用于多种无线设备,如手机、无线调制解调器、PCS电话、双向寻呼机、PHS电话、移动无线电、无线手持设备和无线计算机等。
包括各引脚到地的电压范围、连续功率耗散、工作温度范围、结温、储存温度范围和引脚焊接温度等参数。例如,IN到GND为 -0.3V至 +6V,10引脚µMAX在 +70°C以上的功率耗散需以5.6mW/°C的速率降额,最大为444mW。
在特定条件下,给出了供应电压范围、预设输出电压、可调输出电压范围、FB电压、FB输入电流、电源电流、关断电源电流、输出负载调节、输出纹波、振荡器频率、POK阈值、POK输出电平、POK关断漏电流、SHDN输入高/低电压、SHDN输入电流、SHDN输入电容和启动时间等参数。例如,预设输出电压在VIN ≥ 2.7V,IOUT = 0至4mA时为 -2.1V至 -1.9V。
文档给出了标准应用电路,包括最小电容值和最小输出噪声两种电路。不同电路可根据实际需求选择合适的电容值来平衡成本、空间和性能。
详细介绍了每个引脚的功能,如C1+和C1 - 是电容C1的正负极,NEGOUT是未调节的负输出电压,POK是低电平有效、开漏的Power-OK输出等。
输入电压VIN通过电容式电荷泵反相为NEGOUT处的负电压,该电压再由内部线性稳压器在OUT处进行调节。当FB连接到GND时,VOUT调节为 -2V;连接到外部电阻分压器时,可调节输出电压。
当OUT达到调节输出电压的92.5%时,POK输出低电平。此信号可驱动P - MOSFET的栅极,控制GaAsFET功率放大器的电源,确保在所需负偏置电压存在之前,功率放大器不供电。
MAX881R具有关断模式,SHDN是低电平有效、逻辑电平输入。进入关断模式后,电源电流降至小于1µA,启动时间通常为0.5ms,此时OUT和NEGOUT切换到GND。
可选择固定或可调输出。将FB连接到GND可获得固定 -2V输出;连接到从OUT到GND的电阻分压器中点可选择其他输出电压。满载时,IN电压应比OUT所需绝对电压高至少0.6V,且最小输入电压为2.5V。
使用低等效串联电阻(ESR)的电容来保持低压差。C1、C2和C3应选择0.22µF、ESR小于0.4Ω的电容,C4应选择4.7µF、ESR小于0.1Ω的电容。增大电容值可降低输出噪声和纹波,但会增加成本和占用电路板空间。
良好的布局对噪声性能很重要。应将所有组件尽可能靠近安装,保持走线短以减少寄生电感和电容,特别是与FB的连接。同时,使用接地平面。
准确测量输出噪声和纹波有一定挑战。为获得最佳结果,应直接跨接输出电容(C4)进行测量,不使用探头的接地引线,而是将探头的接地环直接接触C4的接地端。
MAX881R以其低噪声、小封装、快速启动和丰富的控制功能,为GaAsFET功率放大器的偏置电源设计提供了一个优秀的解决方案。在实际设计中,电子工程师需要根据具体应用需求,合理设置输出电压、选择电容、优化布局和进行准确的测量,以充分发挥MAX881R的性能优势。大家在使用MAX881R的过程中,有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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