TPS51367 具有集成 FET 的 22V 输入 12A ULQ(tm) DC/DC 转换器

KANA 发表于 2018-10-16 19:11:24

数据： 22V 输入，12A 集成场效应晶体管 (FET) 转换器，此转换器具有超低静态 (ULQ) 数据表 (Rev. A)

描述

TPS51367是一款高压输入，同步转换器，此转换器带有集成的FET，它基于DCAP-2控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持POSCAP和所有MLCC输出电容器。与TI领先的封装技术组合在一起，TI专有的FET技术为诸如VCCIO和VDDQ等用于DDR笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点（POL）提供最高密度的解决方案。

TPS51367的主要特性是其ULQ™-100模式以实现低偏置电流（低功率模式下为100μA，由LP＃启用）。这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括800kHz的开关频率。可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃，预偏置启动，集成引导加载开关，电源良好，使能和一整套的故障保护机制，其中包括OCL，UVP，OVP 5V UVLO和热关断。

它采用3.5mm x 4.5mm，焊球间距离0.4mm，28引脚QFN（RVE）封装，额定运行温度范围为-10°C至85°C。

特性

输入电压范围：3V至22V
输出电压范围：0.6V至2V
12A集成FET转换器
最少的外部组件数量
ULQ™-100模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
软启动时间可以外部电容器设定
开关频率：400kHz和800kHz
D-CAP2™架构以实现高分子有机半导体固体电容器（POSCAP）和所有多层陶瓷电容（MLCC）
电力良好输出OCL，过压保护<输出电容器的使用（OVP），欠压保护（UVP）和欠压闭锁（UVLO）保护
热关断（非锁存）
输出放电功能
集成升压金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）开关
焊球间距0.4mm，高度1mm的28引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线（QFN）封装

参数与其它产品相比降压转换器（集成开关）


Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Vout (Min) (V)
Vout (Max) (V)
Iout (Max) (A)
Regulated Outputs (#)
Switching Frequency (Min) (kHz)
Switching Frequency (Max) (kHz)
Iq (Typ) (mA)
Features
Control Mode
Duty Cycle (Max) (%)
Operating Temperature Range (C)
Rating
Package Group

TPS51367	TPS51362	TPS51363
3	3	3
22	22	22
0.6	0.6	0.6
2	2	2
12	10	10
1	1	1
400	800	400
800	800	800
0.1	0.1	0.56
Enable Light Load Efficiency Output Discharge Power Good Synchronous Rectification	Enable Light Load Efficiency Output Discharge Power Good Synchronous Rectification	Enable Light Load Efficiency Output Discharge Power Good Synchronous Rectification
D-CAP2	D-CAP2	D-CAP2
87	87	87
-10 to 85	-10 to 85	-10 to 85
Catalog	Catalog	Catalog
VQFN-CLIP	VQFN-CLIP	VQFN-CLIP

技术文档

数据手册（1）

22V 输入，12A 集成场效应晶体管 (FET) 转换器，此转换器具有超低静态 (ULQ) 数据表 (Rev. A)

TPS51367 具有集成 FET 的 22V 输入 12A ULQ(tm) DC/DC 转换器

描述

特性

参数 与其它产品相比 降压转换器 （集成开关）

技术文档

参数与其它产品相比降压转换器（集成开关）