数据：
3.3 V / 5 V High-Speed Digital Isolators 数据表 
ISO721，ISO721M，ISO722和ISO722M是数字隔离器，逻辑输入和输出缓冲器由氧化硅隔开（SiO 2 ）绝缘屏障。该屏障提供高达4000 V的电流隔离。与隔离电源配合使用时，这些器件可防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本地接地，并干扰或损坏敏感电路。
调节二进制输入信号，转换为平衡信号，然后通过电容隔离屏障进行区分。在隔离栅上，差分比较器接收逻辑转换信息，然后相应地设置或复位触发器和输出电路。在屏障上发送周期性更新脉冲，以确保输出的直流电平。如果超过4μs未接收到该直流刷新脉冲，则假定输入未通电或未被主动驱动，并且故障保护电路将输出驱动至逻辑高状态。
对称性集成电路中的电介质和电容器提供紧密的电容匹配，并允许输入和输出地之间的快速瞬态电压变化，而不会破坏输出。小电容和产生的时间常数可提供快速操作，信号速率（2）从ISO721 /ISO722的0 Mbps（直流）到100 Mbps，以及ISO721M /ISO722M的0 Mbps到150 Mbps 。
这些器件需要两个3.3 V，5 V或任意组合的电源电压。当采用3.3 V电源供电时，所有输入均为5 V容差，所有输出均为4 mA CMOS。
ISO721具有TTL输入阈值和输入端的噪声滤波器，可防止持续时间长达2 ns的瞬态脉冲传递到器件输出。
ISO721M具有CMOS V CC /2输入阈值，但没有噪声滤波器和额外的传播延迟。 ISO721M的这些功能还可以减少抖动操作。
ISO721M的特点是在55°C至125°C的环境温度范围内工作。
（1）符合JEDEC和行业标准的元件认证，确保在扩展温度范围内可靠运行。这包括但不限于高加速应力测试（HAST）或偏压85/85，温度循环，高压釜或无偏HAST，电迁移，键合金属间寿命和模塑化合物寿命。此类鉴定测试不应被视为超出规定的性能和环境限制使用该组件的合理性。
（2）线路的信令速率是每秒产生的电压转换次数，单位为bps（每秒位数）。
SDS是霍尼韦尔的商标。
DeviceNet是Open Devicenet Vendors Association，Inc。的商标。
| Integrated Isolated Power |
| Number of Channels (#) |
| Forward/Reverse Channels |
| Isolation Rating (Vrms) |
| Surge Voltage Rating (Vpk) |
| Data Rate (Max) (Mbps) |
| Propagation Delay (Typ) (ns) |
| Default Output |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Approx. Price (US$) |
| ISO721M-EP |
|---|
| No |
| 1 |
| 1/0 |
| 2500 |
| 4000 |
| 150 |
| 17 |
| High |
| 3.3 |
| 5 |
| HiRel Enhanced Product |
| -55 to 125 |
| SOIC |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
| 5.90 | 1ku |
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