62mm SiC半桥模块与双通道SiC驱动板设计固态变压器（SST）功率单元

62mm SiC半桥模块与双通道SiC驱动板设计固态变压器（SST）功率单元

全球能源互联网核心节点赋能者-BASiC Semiconductor基本半导体之一级代理商倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，代理并力推BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

 

基本半导体 BMF540R12KHA3（1200V/540A 62mm SiC半桥模块）和青铜剑 2CP0220T12-ZC01（适配双通道SiC驱动板）的数据手册，这两个核心器件性能优异，非常适合用于构建大功率、高频化、高功率密度的固态变压器（SST）功率单元（PEBB）。

在典型的中高压接入SST架构（如级联H桥架构）中，一个标准的单一功率单元通常包含**单相AC-DC（有源前端整流）和隔离型DC-DC（双有源桥）**两个部分。

以下为您量身定制的 100kW 级 SST 功率单元的完整设计开发方案：

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一、 功率单元系统级规格定义

额定传输功率：100 kW（预留20%裕量，最大可达120kW）。

直流母线电压 (VDC​) ：800 V（1200V SiC器件的最佳安全工作电压，适配驱动板内置的1060V有源钳位）。

交流侧电压：400V RMS（单相，作为低压侧或高压侧级联单元均分电压）。

开关频率设计：

• AC-DC 侧：20 kHz（平衡网侧滤波电感体积与开关损耗）。
• DC-DC 侧：50 kHz（发挥SiC高频优势，极致压缩隔离变压器体积）。