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M4N25,pdf (光电耦合器中文资料)

消耗积分:10 | 格式:rar | 大小:344 | 2010-06-11

370217

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The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode
optically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.
• Most Economical Optoisolator Choice for Medium Speed, Switching Applications
• Meets or Exceeds All JEDEC Registered Specifications
Applications
• General Purpose Switching Circuits
• Interfacing and coupling systems of different potentials and impedances
• I/O Interfacing
• Solid State Relays

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