TXS4558 双 SIM 卡电源,配备电平转换器和专用双路 LDO

KANA 发表于 2018-10-16 11:10:12

数据: 双 SIM 卡电源,配备电平转换器和专用双路 LDO 数据表 (Rev. A)

描述

TXS4558是一款完整的双电源待机智能身份模块(SIM)卡解决方案,用于将无线基带处理器与两个单独的SIM用户卡相连,以存储移动手机应用程序的数据。这是一款定制器件,用于把单个SIM /UICC接口扩展至能够支持两个SIM /UICC(通用集成芯片卡)。

该器件不干符合ISO /IEC智能卡接口要求,而且还支持GSM与3G移动标准。它包含能够支持B类(2.95 V)与C类(1.8 V)接口的高速电平转换器,低压降(LDO) )稳压器,可在2.95 V B类与1.8 V C类接口之间选择输出电压。简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。电压电平转换器具有两个电源电压引脚.VCC负责设定用于基带接口的基准,并可采用1.65V至3.3V的工作电压.VSIM1和VSIM2被设置为
1.8V或2.95V,各由一个独立的内部LDO稳压器供电。集成LDO可接受2.3V至5.5V的输入电池电压,并且B侧电路及外部B类或C类SIM卡输出高达50mA的电流。

此外,TXS4558还根据SIM卡的ISO 7816 -3规范为SIM卡引脚整合了关断定序功能。该器件不存可为SIM引脚提供8 kV HBM保护,而且还可为所有其它引脚提供标准2kV HBM保护。

特性

  • 电平转换器
    • V CC 的电压范围1.65 V至3.3 V
    • V BATT 的电压范围2.3 V至5.5 V
  • 低压降(LDO)稳压器
    • 50 mA LDO调节器具有可用的
    • 1.8-V或者2.95-V可选输出电压
    • 超低压降:在100 mV(最大值)电压下50 mA
  • 通过GPIO接口与基带处理器实现控制和通信
  • 用于SIM1和SIM2卡的分离时钟停止模式
  • ESD保护等级超过JESD 22标准的要求
    • 2000-V人体模式(A114-B)
    • 500-V充电设备模式(C101)
    • 8kV HBM用于SIM引脚
  • 封装
    • 20-引脚QFN(3 mm x 3 mm)

参数 与其它产品相比 应用特定电压转换

 
Bits (#)
Pin/Package
Static Current (mA)
Rating
Features
ICCA Static Current (mA)
ICCB Static Current (mA)
TXS4558 TXS02324 TXS02326A TXS4555
3
6    
3
6    
3
6    
3    
20WQFN     20WQFN     24VQFN     12UQFN
16VQFN    
0.005     0.005     0.005     0.005    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    
SIM Card     SIM Card     SIM Card     SIM Card    
0.005     0.005     0.005     0.005    
0.04     0.035     0.005     0.04    

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