电子说
在电子设备的设计中,温度传感器是至关重要的组件,它能够精确测量温度,为设备的稳定运行提供保障。今天,我们将深入了解一款性能出色的模拟温度传感器——LMT85。
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LMT85是德州仪器(TI)推出的一款1.8 - V,具备SC70/TO - 92/TO - 92S封装的模拟温度传感器。它拥有众多令人瞩目的特性,适用于多种应用场景。
LMT85的特性使其在多个领域得到广泛应用,包括但不限于:
不同封装的LMT85在人体模型(HBM)和带电设备模型(CDM)下都有一定的静电放电保护能力。例如,LMT85LP在TO - 92/TO - 92S封装下,HBM为±2500 V,CDM为±1000 V;LMT85DCK在SC70封装下,HBM为±2500 V,CDM为±1000 V。这意味着在使用和处理LMT85时,需要注意静电防护,避免静电对芯片造成损坏。
不同封装的LMT85具有不同的热阻参数,如结到环境热阻(RθJA)、结到外壳(顶部)热阻(RθJC(top))等。这些参数对于评估芯片的散热性能和温度上升情况非常重要。例如,LMT85 - Q1的DCK(SOT/SC70)封装的RθJA为275 °C/W,而LMT85LPG的TO - 92S封装的RθJA为130.4 °C/W,说明LMT85LPG在散热方面可能具有更好的表现。
在不同的温度和电源电压条件下,LMT85的温度精度有所不同。例如,在TA = TJ = 20°C至150°C,VDD = 1.8 V至5.5 V的条件下,典型精度为±0.4°C,最大误差为±2.7°C。工程师在设计时需要根据具体的应用场景和精度要求,选择合适的工作条件。
LMT85的温度传感元件由一个简单的基极 - 发射极结组成,通过电流源进行正向偏置。该传感元件的信号经过放大器缓冲后,从OUT引脚输出。放大器采用推挽输出级,提供低阻抗输出源。
LMT85的输出电压与温度之间的关系可以用传输表(Table 3)来表示,也可以通过抛物线方程进行近似计算: [V{TEMP }(mV)=1324.0 mV-left[8.194 frac{mV}{^{circ} C}left(T - 30^{circ} Cright)right]-left[0.00262 frac{mV}{^{circ} C^{2}}left(T - 30^{circ} Cright)^{2}right]] 同时,也可以通过线性方程进行更简单的近似: [V - V{1}=left(frac{V{2}-V{1}}{T{2}-T{1}}right) timesleft(T - T_{1}right)] 在实际应用中,工程师可以根据具体需求选择合适的计算方法。
LMT85可以像其他集成电路温度传感器一样方便地安装,可以粘贴或固定在表面。为了确保良好的热传导,芯片背面直接连接到GND引脚。同时,引脚的焊盘和走线的温度也会影响温度测量结果。此外,LMT85还可以安装在密封端金属管内,用于浸入液体或拧入罐体的螺纹孔中。但需要注意的是,要保持芯片及其布线和电路的绝缘和干燥,避免因潮湿导致短路,影响测量结果。可以使用印刷电路板涂层来防止湿气腐蚀引脚和电路走线。
推挽输出使LMT85能够吸收和提供较大的电流,适合驱动动态负载,如模数转换器(ADC)的输入级。在测试中,测量了LMT85的电源噪声增益,典型的衰减情况可以参考典型特性图(Figure 8)。在输出端添加负载电容可以帮助过滤噪声。在噪声较大的环境中,建议在LMT85附近约5厘米内添加旁路电容,以降低电源噪声对输出的影响。
| LMT85能够较好地处理电容负载。在噪声非常大的环境中,或者驱动ADC的开关采样输入时,可能需要添加一些滤波措施来减少噪声耦合。在不采取任何措施的情况下,LMT85可以驱动小于或等于1100 pF的电容负载。对于大于1100 pF的电容负载,建议在输出端添加串联电阻。具体的串联电阻值可以参考推荐表格: | C LOAD | MINIMUM R S |
|---|---|---|
| 1.1 nF to 99 nF | 3 k Ω | |
| 100 nF to 999 nF | 1.5 k Ω | |
| 1 μ F | 800 Ω |
由于NMOS/PMOS轨到轨缓冲器的固有特性,当电源电压在工作范围内变化时,输出可能会出现轻微的偏移。这种偏移通常在(V{DD}-V{OUT}=1 ~V)时发生,偏移量约为几毫伏,且在较宽的(V{DD})或(V{OUT})变化(约200 mV)和5°C至20°C的温度变化范围内发生。不过,输出电压始终保持单调,并且精度规格表中已经考虑了这种可能的偏移。
在将LMT85连接到ADC时,大多数CMOS ADC在充电采样电容时需要从模拟源(如LMT85)获取瞬时电荷。为了满足这一需求,可以添加一个电容((C{FILTER}))。(C{FILTER})的大小取决于采样电容的大小和采样频率,不同的ADC输入级可能有不同的电荷需求。
由于LMT85的功耗小于9 µA,可以直接由任何逻辑门输出供电,甚至可以直接由微控制器的GPIO供电。在电池供电的系统中,为了节省电量,可以通过将LMT85的(V_{DD})引脚直接连接到微控制器的逻辑关机信号来实现关机功能。
LMT85的低电源电流和较宽的电源范围(1.8 V至5.5 V)使其可以方便地从多种电源获取能量。电源旁路电容是可选的,主要取决于电源的噪声情况。在噪声较大的系统中,建议添加旁路电容以降低耦合到LMT85输出的噪声。
LMT85的布局非常简单。如果使用电源旁路电容,应按照布局示例进行连接。不同封装的LMT85有相应的推荐布局,如SC70封装、TO - 92 LP封装和TO - 92 LPM封装等。
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LMT85的内置ESD保护有限,在存储或处理时,应将引脚短接或放置在导电泡沫中,以防止静电对MOS栅极造成损坏。
LMT85作为一款高性能的模拟温度传感器,凭借其高精度、低功耗、宽温度范围等特性,在多个领域都有广泛的应用前景。工程师在设计时,可以根据具体的应用需求,合理选择封装形式,注意安装和布局,以及电源和噪声处理等方面的问题,以充分发挥LMT85的性能优势。你在使用LMT85或其他温度传感器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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