电子说
在电子设备的设计中,非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)与实时时钟(RTC)的组合常常是关键的一环。Cypress的CY14B108K和CY14B108M系列产品,将8M位的nvSRAM与功能完备的RTC集成于一体,为工程师们带来了高性能、高可靠性的解决方案。今天,我们就来深入了解一下这两款产品。
CY14B108K和CY14B108M分别提供1024K×8(CY14B108K)和512K×16(CY14B108M)的存储容量,具有25ns和45ns的快速访问时间。其内部采用了QuantumTrap技术,实现了数据的非易失性存储,同时具备无限次的读写和召回操作,以及高达100万次的存储操作,数据保留时间长达20年。此外,该系列产品还集成了功能丰富的RTC,包括看门狗定时器、可编程闹钟、电容或电池备份等功能,适用于工业温度范围。
CY14B108K/CY14B108M采用了独特的架构,将SRAM存储单元与非易失性QuantumTrap单元配对在同一物理单元中。数据可以在SRAM和非易失性单元之间进行快速转移,实现存储(STORE)和召回(RECALL)操作。在存储和召回操作期间,SRAM的读写操作将被禁止,以确保数据的完整性。
AutoStore是QuantumTrap技术的一大特色,默认情况下该功能是启用的。在正常工作时,设备会从VCC引脚获取电流,为连接到VCAP引脚的电容充电。当VCC引脚的电压下降到VSWITCH以下时,设备会自动断开VCAP引脚与VCC的连接,并利用电容存储的电荷进行一次存储操作,将SRAM中的数据保存到非易失性单元中。需要注意的是,如果没有连接电容到VCAP引脚,则必须使用软件序列禁用AutoStore功能,否则可能会导致数据损坏。
HSB引脚用于控制和确认存储操作。当HSB引脚被拉低时,设备会在tDELAY时间后有条件地启动存储操作。只有在自上次存储或召回周期以来发生过对SRAM的写入操作时,才会真正开始存储周期。在存储操作进行期间,HSB引脚会被拉低,表示设备处于忙碌状态。
通过特定的软件地址序列,可以实现数据从SRAM到非易失性存储器的存储操作,以及从非易失性存储器到SRAM的召回操作。具体来说,需要按照特定的顺序从六个特定地址位置执行CE或OE控制的读周期,以启动存储或召回周期。
CY14B108K/CY14B108M的RTC功能提供了精确的时钟,支持闰年跟踪和可编程的高精度振荡器。时钟和闹钟寄存器以BCD格式存储数据,内部采用双缓冲机制,防止在读写操作期间访问过渡性的内部时钟数据。此外,RTC还具备看门狗定时器、闹钟功能、电源监控和中断功能等。
该系列产品适用于工业温度范围(-40°C至+85°C),工作电压范围为2.7V至3.6V。
在不同的工作条件下,产品的直流电气特性表现良好。例如,平均VCC电流在不同的访问时间和工作模式下有所不同,待机电流较低,输入和输出的泄漏电流也在合理范围内。
交流电气特性方面,产品具有快速的读写周期时间、地址访问时间和输出使能到数据有效时间等。同时,在不同的操作模式下,也有相应的切换波形和时间参数。
由于RTC晶体振荡器是一个低电流、高阻抗的电路,其晶体引脚对电路板上的噪声非常敏感。因此,在PCB设计时,需要注意以下几点:
Cypress的CY14B108K/CY14B108M系列产品为电子工程师们提供了一个高性能、高可靠性的nvSRAM与RTC解决方案。其丰富的功能特性、良好的电气特性和详细的设计指导,使得该系列产品在工业控制、数据记录、仪器仪表等领域具有广泛的应用前景。不过,在使用过程中,也需要注意AutoStore Disable功能存在的问题,避免数据损坏。希望通过本文的介绍,能帮助工程师们更好地了解和应用这两款产品。
大家在实际设计中有没有遇到过类似产品的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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