TPS2521xx eFuse:高效电源保护与管理的理想之选

电子说

1.4w人已加入

描述

TPS2521xx eFuse:高效电源保护与管理的理想之选

在电子设备的设计中,电源保护与管理是至关重要的环节。今天,我们将深入探讨德州仪器(TI)推出的TPS2521xx系列eFuse,这是一款高度集成的电路保护和电源管理解决方案,能为系统提供可靠的电源保护。

文件下载:tps2521.pdf

1. 产品概述

TPS2521xx是一款适用于2.7V - 5.7V输入电压范围、最大可承受28V绝对最大电压的4A eFuse。它具有诸多出色的特性,如真正的反向电流阻断、输入反极性保护、快速过压钳位、过流保护等,能有效抵御过载、短路、电压浪涌等问题,确保系统的稳定运行。

1.1 主要特性

  • 宽输入电压范围:2.7V - 5.7V的工作输入电压范围,最大绝对电压可达28V,能适应多种电源环境。
  • 反向电压承受能力:可承受高达 -15V的负电压,有效保护负载电路。
  • 低导通电阻:集成背靠背FET,典型导通电阻 (R_{ON}=31 mΩ),降低功率损耗。
  • 理想二极管操作:实现真正的反向电流阻断,防止电流反向流动。
  • 快速过压钳位:具有引脚可选的过压钳位阈值(3.8V、5.7V),响应时间仅5μs(典型值)。
  • 过流保护:具备负载电流监测输出(ILM),可调节电流限制阈值((I{LIM})),范围为0.5A - 4.44A,精度可达±10%((I{LIM}>1A))。
  • 输出负载电流监测:精度为±6%((I_{OUT} ≥1A)),方便实时监测负载电流。
  • 快速短路保护响应:典型响应时间为500ns,能迅速应对短路故障。
  • 可调参数:如欠压锁定阈值(UVLO)、输出压摆率控制(dVdt)、过流消隐定时器(ITIMER)等,可根据实际需求进行灵活调整。
  • 过热保护:内置热传感器,当温度超过安全范围时自动关闭,保护器件。
  • 电源良好指示:提供可调阈值的电源良好指示(PG),方便用户了解电源状态。
  • 认证:获得UL 2367认证(文件编号E169910)和IEC 62368 - 1 CB认证。
  • 小尺寸封装:采用2mm × 2mm的QFN封装,节省电路板空间。

2. 引脚配置与功能

TPS2521xx采用10引脚QFN封装,各引脚功能如下: 引脚名称 引脚编号 类型 描述
EN/UVLO 1 模拟输入 设备的高电平使能引脚,可通过电阻分压器调节欠压锁定阈值。
OVCSEL 2 模拟输入 过压钳位阈值选择引脚。
PG 3 数字输出 电源良好指示信号,为开漏输出,需上拉至外部电源。
PGTH 4 模拟输入 电源良好阈值设置引脚。
IN 5 电源 电源输入引脚。
OUT 6 电源 电源输出引脚。
DVDT 7 模拟输出 通过连接电容到地可设置输出开启压摆率。
GND 8 接地 所有内部电路的接地参考引脚。
ILM 9 模拟输出 用于限制和监测输出电流,通过连接外部电阻到地设置输出电流限制阈值。
ITIMER 10 模拟输出 通过连接电容到地设置过流消隐间隔。

3. 工作原理

TPS2521xx的工作过程主要分为启动和正常运行两个阶段。

3.1 启动阶段

当输入电源电压((V{IN}))超过欠压保护阈值((V{UVP}))时,设备会采样EN/UVLO引脚。若该引脚为高电平((> V{UVLO})),则内部功率路径(BFET + HFET)开始导通,允许电流从IN流向OUT;若为低电平(({UVLO})),则内部功率路径关闭。若输入出现反向电压,功率路径保持关闭,保护输出负载。

3.2 正常运行阶段

启动成功后,设备会实时监测负载电流和输入电压,控制内部HFET,确保用户可调节的过流限制阈值((I{LIM}))不被超过,同时将过压尖峰安全钳位到所选的阈值电压((V{OVC}))。此外,用户可调节的过流消隐定时器允许系统通过负载电流曲线中的适度瞬态峰值,而不会触发eFuse,提高系统的可靠性。

4. 保护功能

4.1 输入反极性保护

TPS2521xx内部具备输入反极性保护功能,能阻止输入的稳态负电压出现在输出端,保护负载电路。在这种情况下,不会有反向电流从输出流向输入,输入可承受的最低负电压为 -15V或(V_{OUT} - 21V)(取较高值)。

4.2 欠压锁定(UVLO和UVP)

设备在IN端实现欠压保护,防止输入电压过低影响系统正常运行。欠压保护有内部固定的默认锁定阈值(V_{UVP}),同时EN/UVLO引脚的UVLO比较器允许用户通过外部电阻分压器将欠压保护阈值调整到自定义值。

4.3 过压钳位(OVC)

当设备检测到输入电压超过过压钳位阈值((V{OVC}))时,会在(t{OVC})内快速响应,停止输出电压进一步上升,并线性调节HFET,将输出电压钳位在(V_{CLAMP})以下。若设备长时间处于钳位状态,内部功率损耗增加,可能导致热关断(TSD)。不同型号的设备在热关断后的响应不同,TPS2521xL型号会锁定关闭,而TPS2521xA型号会在固定延迟后自动重启。

4.4 浪涌电流、过流和短路保护

  • 可调压摆率(dVdt)控制浪涌电流:在热插拔或启动时对大输出电容充电时,可能会产生大的浪涌电流。通过在dVdt引脚连接电容,可以控制输出上升压摆率,降低浪涌电流。
  • 可调过流阈值((I_{LIM})):当负载电流超过ILM引脚电阻((R{ILM}))设置的过流阈值((I{LIM})),但低于短路阈值((2 ×I{LIM}))时,设备会通过内部1.8μA的下拉电流对ITIMER引脚电容放电。若负载电流在ITIMER电容放电(Delta V{ITIMER})之前降至过流阈值以下,ITIMER会被重置,电流限制动作不启动;若过流条件持续,电流限制会调节HFET,将电流限制在设定的过流阈值。
  • 快速短路保护:当检测到严重过流(如输出短路)时,设备会触发快速跳闸响应,将电流限制在安全水平。内部快速跳闸比较器采用可扩展阈值((I{SC}=2 ×I{LIM}))和固定快速跳闸阈值((I_{FT})),确保在不同情况下都能快速保护设备。

4.5 模拟负载电流监测

设备通过ILM引脚提供与FET电流成正比的模拟电流检测输出,用户可通过测量(R_{ILM})两端的电压来监测输出负载电流。

4.6 反向电流保护

TPS2521xx像理想二极管一样工作,在任何情况下都能阻止反向电流从OUT流向IN。它采用集成背靠背MOSFET,通过线性ORing控制调节正向电压降,并利用基于比较器的反向阻断机制快速响应瞬态反向电流。

4.7 过热保护(OTP)

设备实时监测内部管芯温度((T{J})),当温度超过安全工作水平(TSD)时,会自动关闭,直到管芯温度降至(TSD - (TSD{HYS}))以下。不同型号的设备在热过载后的响应不同,TPS2521xL型号会锁定关闭,直到设备重新上电或重新使能;TPS2521xA型号会在冷却(TSD{HYS})后,等待额外的延迟时间(t{RST}),然后自动尝试重新开启。

5. 应用场景

5.1 适配器输入保护

可用于保护适配器输入,防止过载、短路等故障对适配器和后续电路造成损害。

5.2 企业存储

如RAID、HBA、SAN、eSSD等存储系统中,确保电源的稳定供应,保护存储设备免受电源故障的影响。

5.3 USB PD端口保护

在USB PD端口中,提供过流和短路保护,同时阻止反向电流,确保端口的安全运行。

5.4 服务器、PC主板和扩展卡

为服务器、PC主板和扩展卡提供可靠的电源保护,提高系统的稳定性和可靠性。

5.5 显示器和扩展坞

保护显示器和扩展坞的电源,避免因电源问题导致设备损坏。

6. 设计与应用示例

6.1 单设备自控制应用

在单设备自控制应用中,TPS2521xx可独立工作,通过配置EN/UVLO、OVCSEL等引脚,实现对设备的控制和保护。同时,ILM引脚可连接到MCU的ADC输入,用于电流监测。

6.2 USB PD端口保护应用

在USB PD端口保护应用中,TPS2521xx可与LM73100配合使用,共同实现电源路径保护。TPS2521xx在源路径提供过流和短路保护,阻止反向电流;LM73100在汇路径提供过压保护,阻止反向电流。

6.3 详细设计步骤

以USB PD源路径保护应用为例,设计步骤如下:

  • 设备选择:根据应用需求,选择具有合适过流响应和故障响应的型号,如TPS25210L。
  • 设置欠压和过压阈值:通过电阻分压器设置欠压阈值,根据设计要求选择合适的电阻值;通过OVCSEL引脚选择过压钳位阈值。
  • 设置输出电压上升时间:根据目标规格计算所需的压摆率,然后通过公式计算所需的(C_{dVdt})电容值。
  • 设置电源良好断言阈值:通过连接到PGTH引脚的电阻分压器设置电源良好断言阈值。
  • 设置过流阈值:根据所需的过流保护阈值,通过公式计算(R_{ILM})电阻值。
  • 设置过流消隐间隔:通过连接到ITIMER引脚的电容设置过流消隐间隔。

7. 电源供应建议与布局指南

7.1 电源供应建议

  • 输入电源范围为2.7V - 5.7V,建议在输入电源距离设备较远时,使用大于0.1μF的输入陶瓷旁路电容。
  • 电源的额定电流应高于设定的电流限制,以避免在过流和短路情况下出现电压下降。
  • 对于从输入电源派生的低电压信号(如EN/UVLO、PGTH),应使用足够大的上拉电阻,以限制反向极性条件下的电流。

7.2 布局指南

  • 在IN和GND端子之间使用0.1μF或更大的陶瓷去耦电容,并将其放置在离设备IN和GND端子最近的位置,以减小旁路电容连接、IN端子和IC的GND端子形成的环路面积。
  • 高电流功率路径连接应尽可能短,并具有足够的尺寸以承载至少两倍的满载电流。
  • GND端子应通过最短的走线连接到PCB接地平面,建议为eFuse使用单独的接地平面岛,作为所有关键模拟信号的安静接地参考。
  • IN和OUT引脚用于散热,应尽可能连接到PCB顶层和底层的大面积铜区域,并在设备下方添加热过孔,以改善导通电阻和电流检测精度。
  • 将支持组件(如(R{ILM})、(C{dVdt})、(C_{ITIMER})、EN/UVLO、OVCSEL和PGTH引脚的电阻)放置在靠近其连接引脚的位置,并将组件的另一端通过最短的走线连接到设备的GND引脚。
  • 保护器件(如TVS、缓冲器、电容或二极管)应放置在靠近被保护设备的位置,并使用短走线以减少电感。

8. 总结

TPS2521xx系列eFuse以其丰富的功能、出色的性能和小尺寸封装,为电子设备的电源保护和管理提供了优秀的解决方案。无论是在企业存储、USB PD端口保护还是其他应用场景中,都能发挥重要作用。在设计过程中,合理选择设备型号、正确设置参数、优化布局,将有助于充分发挥TPS2521xx的优势,提高系统的可靠性和稳定性。

你在使用TPS2521xx过程中遇到过哪些问题呢?或者你对它的应用还有什么其他的想法,欢迎在评论区分享交流。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分