电子说
在电子设备的电源管理领域,高效、可靠的电源保护和控制至关重要。TPS25942x/44x系列eFuse Power MUX凭借其丰富的功能和出色的性能,成为众多应用场景中的理想选择。本文将深入探讨该系列产品的特性、功能以及应用设计要点。
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TPS25942x/44x是德州仪器(TI)推出的一款紧凑且功能丰富的电源管理设备,适用于2.7V - 18V的宽工作电压范围,最大可承受20V电压。它集成了背对背FET,实现双向电流控制,非常适合电源复用和多电源系统。该系列产品具有多种保护功能,能为负载、电源和设备提供全面的保护。
TPS25942x/44x采用20引脚WQFN封装,各引脚功能如下:
EN/UVLO引脚控制内部FET的开关状态。当该引脚电压低于 (V_{(ENF)}) 时,内部FET关闭,断开IN与OUT的连接;电压低于0.6V时,设备进入关机模式,电流小于20µA。可通过外部电阻分压器设置欠压锁定阈值,当检测到欠压或输入电源故障时,内部FET迅速关闭并触发FLT信号。
通过连接从电源到OVP引脚再到GND的电阻分压器,可设置过压阈值。当OVP引脚电压超过 (V_{(OVPR)}) 时,内部FET关闭,保护下游负载。
该设备可控制热插拔时的浪涌电流,通过连接到dVdT引脚的外部电容设置输出电压的上升速率,减少对电源的影响。计算公式如下: [I{(INRUSH) }=C{(OUT) } × V{(IN) } / t{dVdT}] [t{dVdT}=8.3 × 10^4 × V{(IN)} × C_{(dVdT)}]
设备通过监测内部感测电阻两端的电压来监测负载电流。在过载事件中,将电流限制在 (I{(LIM)}) ,计算公式为 (I{(LIM)}=frac{89}{R{(ILIM)}}) 。同时,还设有快速跳闸阈值 (I{(FASTRIP)}) ,当电流超过该阈值时,快速关闭内部FET,防止短路损坏。
当输出电压 (V{(OUT)}) 超过输入电压 (V{(IN)}) 10mV(典型值)持续1µs(典型值)时,快速反向比较器控制内部FET关闭,防止反向电流损坏设备。
FLT引脚为开漏输出,在欠压、过压、反向电压和热关断等故障条件下被拉低。设备通过内部去毛刺电路消除虚假故障报告,确保故障信号的准确性。
IMON引脚输出与负载电流成比例的电流,可通过连接到GND的电阻 (R{(IMON)}) 将其转换为电压,用于监测系统电流。计算公式为 (V{(IMON)}=[I{(OUT)} × GAIN{(IMON)}+I{(IMON_OS)}] × R{(IMON)}) 。
设备内置电源良好比较器,用于协调下游DC - DC转换器或系统监测电路的状态。PGOOD为开漏高电平有效信号,当内部FET完全导通且PGTH引脚电压高于内部参考电压 (V_{(PGTHR)}) 时,PGOOD被拉高。
TPS25942x/44x适用于多种应用场景,如电源路径管理、冗余电源系统、PCIe卡、USB移动电源等。在典型应用中,可根据设计要求选择合适的组件值,以实现最佳性能。
在IN和GND之间建议使用0.1µF或更大的陶瓷去耦电容,对于热插拔应用,可根据情况减少或消除该电容。去耦电容应尽可能靠近设备的IN和GND引脚,以减少环路面积。
高电流承载的功率路径连接应尽可能短,并根据负载电流大小进行适当的尺寸设计,以确保能够承载至少两倍的满载电流。
低电流信号接地(SGND)应采用铜平面或岛,作为设备的参考接地。所有支持组件应靠近其连接引脚放置,并通过最短的走线连接到SGND。
保护器件如TVS、电容器或二极管应靠近被保护的设备放置,并采用短走线以减少电感。例如,建议在OUT引脚附近放置保护肖特基二极管,以应对感性负载开关引起的负瞬变。
PowerPAD™封装提供了良好的散热性能,应将其直接焊接到电路板的GND平面上,并通过多个过孔连接到内层GND,以提高散热效果。
TPS25942x/44x eFuse Power MUX是一款功能强大、性能可靠的电源管理设备,具有多种保护功能和灵活的配置选项。通过合理的设计和布局,可以充分发挥其优势,为各种应用提供稳定、高效的电源保护和控制。在实际应用中,工程师应根据具体需求选择合适的型号和组件值,并严格遵循布局建议,以确保系统的可靠性和稳定性。你在使用这款产品时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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