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在电子设计领域,高效且可靠的电源管理是实现系统稳定运行的关键。TI推出的TPS2359作为一款全功能的双槽AdvancedMC™控制器,为电源管理带来了新的解决方案。今天,我们就一起来深入了解一下这款芯片。
文件下载:tps2359.pdf
TPS2359专为满足ATCA(Advanced Telecommunication Computing Architecture)和MicroTCA™规范而设计。它能对两个AdvancedMC™模块进行全面控制,具备独立的12 - V电流限制和快速跳闸功能,以及3.3 - V和12 - V的FET ORing功能,还能通过I2C进行电源良好和故障报告,并且支持I2C可编程的故障时间和电流限制。其采用36引脚PQFN封装,具有3 - V和12 - V互锁功能,以确保符合AdvancedMC规范。
TPS2359拥有两个完全集成的3.3 - V通道,可提供浪涌控制、过流保护和FET ORing功能。而两个12 - V通道则通过外部FET和检测电阻实现相同的功能。3.3 - V电流限制在工厂已设置为符合AdvancedMC™的水平,12 - V电流限制则可通过外部检测电阻进行编程。
芯片的精确电流检测比较器能够满足ATCA™ AdvancedMC™狭窄的电流限制要求,确保系统在各种工况下都能稳定运行。
通过I2C接口,TPS2359可以报告电源良好和故障状态,还能提供所有通道的FET状态位,方便工程师实时监控系统状态。
支持I2C可编程的故障时间和电流限制,工程师可以根据具体应用需求进行灵活配置,提高系统的适应性。
TPS2359的应用范围广泛,包括ATCA载板、MicroTCA™电源模块、AdvancedMC™插槽、使用12 V和3.3 V的系统以及基站等。在这些应用中,TPS2359能够提供稳定可靠的电源管理,确保设备的正常运行。
了解芯片的绝对最大额定值对于正确使用芯片至关重要。TPS2359在不同引脚的电压和电流方面都有明确的限制,例如PASSx、BLKx引脚的电压范围为 - 0.3至30 V,IN12x等引脚的电压范围为 - 0.3至17 V等。超出这些额定值可能会对芯片造成永久性损坏。
芯片具备一定的ESD保护能力,人体模型(HBM)的ESD保护为2 kV,带电设备模型(CDM)为0.5 kV,这有助于提高芯片在实际应用中的可靠性。
对于36 QFN封装,其θJA - High - k为35 °C/W,这关系到芯片的散热性能,在设计散热方案时需要考虑这一参数。
在推荐的工作条件下,TPS2359能够发挥最佳性能。例如,VIN12x的电压范围为8.5至15 V,VIN3x的电压范围为3至4 V等。
TPS2359的36个引脚各自承担着不同的功能。例如,A0、A1、A2用于选择I2C地址;AGND为模拟电路的接地引脚;BLKx用于驱动12x通道的BLK FET;EN3x为3x通道的使能输入等。每个引脚的功能都经过精心设计,以确保芯片能够实现全面的电源管理功能。
文档中给出了多个典型特性曲线,如3 - V通道ORing开启和关闭阈值随温度的变化曲线、12 - V电流限制阈值随温度的变化曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解芯片在不同温度下的性能表现,从而优化系统设计。
TPS2359通过10个8位寄存器来控制和读取状态。这些寄存器分别控制不同通道的电流限制、故障时间、使能等功能。例如,寄存器0和1控制12A通道,寄存器2控制3A通道等。通过合理配置这些寄存器,工程师可以实现对电源管理的精确控制。
芯片的电路通过内部预调节器供电,VINT引脚连接的电容为预调节器提供去耦和输出滤波。在启动时,四个外部FET驱动引脚(PASSA、PASSB、BLKA、BLKB)保持低电平,确保12 - V通道关闭,内部3.3 - V通道也保持关闭。当内部VINT电压超过约1 V时,上电复位电路将默认值加载到内部寄存器中。
每个通道的使能需要满足特定条件,包括使能引脚的电平、I2C接口的使能位、输出电压的泄放阈值以及交叉连接功能等。这些条件确保了系统的安全性和稳定性。
芯片的I2C接口包含24个状态位,分布在寄存器7、8和9中。这些状态位能够实时反映系统的运行状态,如电源良好(PG)、过流超时故障(FLT)、瞬时过流(OC)、过流快速跳闸(FTR)以及FET状态等。
所有四个通道都通过检测电阻上的电压来监测电流。3.3 - V通道使用内部检测电阻,12 - V通道使用外部检测电阻。每个通道都有电流限制阈值和快速跳闸阈值,以确保在正常运行和故障情况下都能保护系统。
3.3 - V管理电源通道具有内部通态FET和电流检测电阻,其导通电阻通常为290 mΩ,最大不超过500 mΩ。当电流超过300 mA时,快速跳闸功能将立即禁用内部通态晶体管,并允许其缓慢恢复到限流状态。
3.3 - V通道通过检测输入输出电压差来限制反向电流,当电压差低于 - 3 mV时,内部通态FET关闭,当电压差超过 + 10 mV时,FET重新开启,提供13 mV的滞后以防止误触发。
12 - V通道需要外部N沟道通态FET和三个外部电阻。当外部检测电阻上的电压超过100 - mV快速跳闸阈值时,TPS2359立即禁用通态晶体管。电流限制功能通过调节PASSx引脚电压来防止电流超过限制。
TPS2359支持冗余和非冗余系统。在非冗余系统中,通过设置12VNRS位可以在浪涌期间提高电流限制,以补偿缺乏冗余电源的情况。
芯片具有多交换冗余模式,通过连接冗余通道的SUM引脚并使用单个RSUM电阻,可以实现对负载电流的统一限制,使系统在冗余电源切换时更加稳定。
通过在PASSx引脚与地之间连接额外的电容,可以降低12 - V通道输出电压的开启斜率,同时串联一个至少1000 Ω的电阻以防止影响FET的快速关断。
12 - V通道使用外部通态FET进行反向电流阻断,当输入输出电压差超过10 mV时,BLKx引脚拉高,低于 - 3 mV时,引脚拉低,提供13 mV的滞后以防止误触发。
芯片包含四个泄放比较器和泄放电阻,用于确保下游负载在电源移除和重新施加时能够正确复位。通过I2C接口的相应位可以控制泄放比较器和泄放电阻的启用。
每个通道都有一个故障定时器,当FET的VGS小于6 ±1 V时开始计时。如果通道在限流状态下持续时间过长导致定时器超时,通道将关闭通态FET并报告故障。故障定时器可以通过相应的xFT位从0.45到13.95 ms以0.45 ms为步长进行独立编程。
TPS2359的I2C接口支持高速模式,通过A0、A1、A2引脚可以配置27个不同的I2C地址。I2C协议包括寄存器写入和寄存器读取两种基本操作,确保了与外部设备的通信和控制。
在设计TPS2359的应用电路时,需要注意布局以确保性能和抗干扰能力。例如,将AGND、GNDA和GNDB连接到接地平面,在IN12A、IN12B、VDD3A和VDD3B上放置旁路电容,减小SENMx和SENPx等引脚之间的环路面积等。
当TPS2359中断电流时,输入和输出电感会产生电压尖峰。可以通过估算电压尖峰的大小,并根据情况添加瞬态保护装置,如电容、TVS和肖特基二极管等,以防止电压尖峰对芯片造成损坏。
TPS2359作为一款功能强大的电源管理芯片,在多通道电源控制、精确电流检测、丰富的状态报告和可编程功能等方面表现出色。它适用于多种应用场景,能够为电子系统提供稳定可靠的电源管理解决方案。在实际设计中,工程师需要充分了解芯片的特性和参数,合理进行布局和保护设计,以发挥芯片的最佳性能。大家在使用TPS2359的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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