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在电子工程师的日常设计工作中,理想二极管是一种常见且重要的元件,它在电源管理、防止反向电流等方面发挥着关键作用。今天,我们就来详细探讨一下德州仪器(TI)推出的LM66100-Q1汽车级理想二极管。
文件下载:lm66100-q1.pdf
LM66100-Q1是一款单输入单输出(SISO)的集成理想二极管,内部包含一个P沟道MOSFET,旨在将输入到输出的电压降降至最低。它适用于多种应用场景,具有诸多出色的特性。
LM66100-Q1采用标准的SC - 70封装,尺寸为 2.1 mm × 2.0 mm,适合在空间有限的电路板上使用。其工作结温范围为 -40°C 至 150°C。
LM66100-Q1在汽车电子领域有着广泛的应用,以下是一些典型的应用场景:
芯片使能功能通过比较 CE 引脚电压和输入电压来实现。当 CE 引脚电压比 (V{IN}) 高 80 mV 时,器件禁用,MOSFET 关断;当 CE 引脚电压比 (V{IN}) 低 250 mV 时,MOSFET 导通。
当施加负输入电压时,理想二极管保持关断状态,防止电流流动,从而保护系统负载。对于独立的常开应用,可以将 CE 引脚连接到 GND,确保其相对于 GND 不会变为负值。
将 CE 引脚连接到 VOUT 后,比较器可以检测通过开关的反向电流。如果输出电压被强制高于所选输入电压 (V{OFF}),通道将关闭以阻止反向电流 (I{RCB});当输出电压低于 (V{IN}) 达到 (V{ON}) 时,器件重新开启。
两个 LM66100-Q1 理想二极管可以一起用于两个电源之间的 ORing 操作。通过将每个器件的 CE 引脚连接到相反的电源,利用先通后断逻辑选择最高电源,防止电源之间的反向电流流动,避免使用专用的反向电流阻断比较器。对于需要 RPP 的 ORing 应用,建议使用串联电阻((R_{CE}))来限制负电压事件期间流入 CE 引脚的电流。
为了避免两个输入电压长时间相同时两个器件完全关闭导致输出负载断电的情况,可以使用优先级电源的状态输出和上拉电阻,使两个器件同时切换。同样,对于需要 RPP 的 ORing 应用,建议使用串联电阻((R_{CE}))。
状态输出还可以用于控制分立 P 沟道 MOSFET,这在希望最小化二次电源泄漏电流的应用中非常有用,如电池备份系统。当理想二极管路径启用时,状态为 Hi - Z,将外部 PFET 的栅极上拉以使其关闭;当主电源(VIN1)下降,备份电源(VIN2)高于 VIN1 时,理想二极管禁用,将 ST 引脚和 PFET 栅极拉低以开启分立 MOSFET 路径。
LM66100-Q1 设计用于在 1.5 V 至 5.5 V 的 (V{IN}) 范围内工作。(V{IN}) 电源必须良好调节,并尽可能靠近器件端子放置。电源应能够承受所有瞬态负载电流阶跃。在大多数情况下,使用 1 μF 的输入电容((C_{IN}))足以防止开关开启时电源电压下降。对于电源对大瞬态电流或大负载电流阶跃响应较慢的情况,可能需要在输入端增加额外的大容量电容。
为了获得最佳性能,所有走线应尽可能短。将输入和输出电容靠近器件放置,以最小化寄生走线电感对正常操作的影响。使用较宽的走线用于 (V{IN})、(V{OUT}) 和 GND,有助于减少寄生电气效应。
LM66100-Q1 作为一款汽车级理想二极管,具有宽工作电压范围、低导通电阻、低电流消耗等优点,适用于多种汽车电子应用场景。在设计过程中,我们需要充分考虑其电源供应和布局设计等要点,以确保其性能的稳定发挥。各位工程师在实际应用中,是否遇到过类似理想二极管的设计挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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