电子说
在当今的电源转换领域,GaN(氮化镓)技术正凭借其卓越的性能逐渐崭露头角。LMG342xR050系列产品,包括LMG3422R050、LMG3426R050和LMG3427R050,作为集成了驱动器、保护和温度报告功能的600V 50mΩ GaN FET,为开关模式电源转换器带来了新的活力。今天,我们就来深入探讨一下这款产品的特性、应用以及设计要点。
文件下载:lmg3427r050.pdf
LMG342xR050符合JEDEC JEP180标准,适用于硬开关拓扑。其集成的600V GaN-on-Si FET搭配高精度栅极偏置电压,具备高达200V/ns的FET关断能力,开关频率可达3.6MHz,同时支持20V/ns至150V/ns的压摆率调节,能有效优化开关性能并降低EMI。电源供电范围为7.5V至18V,为不同应用场景提供了灵活的选择。
LMG342xR050适用于多种开关模式电源转换器,包括商用网络和服务器电源、商用电信整流器、太阳能逆变器和工业电机驱动器以及不间断电源等。其高性能和高可靠性使其成为这些应用领域的理想选择。
| 参数 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压(FET关断) | - | 600 | V |
| VDS(surge) | 漏源电压(FET开关,浪涌条件) | - | 720 | V |
| VDS(tr)(surge) | 漏源瞬态振铃峰值电压(FET关断,浪涌条件) | - | 800 | V |
| 引脚电压(VDD) | - | -0.3 | 20 | V |
| 引脚电压(LDO5V) | - | -0.3 | 5.5 | V |
| 引脚电压(VNEG) | - | -16 | 0.3 | V |
| 引脚电压(BBSW) | - | VNEG - 1 | VDD + 0.5 | V |
| 引脚电压(IN) | - | -0.3 | 20 | V |
| 引脚电压(FAULT, OC, ZVD, ZCD, TEMP) | - | -0.3 | LDO5V + 0.3 | V |
| 引脚电压(RDRV) | - | -0.3 | 5.5 | V |
| ID(RMS) | 漏极RMS电流(FET导通) | - | 44 | A |
| ID(pulse) | 漏极脉冲电流(FET导通,tp < 10µs) | - | -96(内部限制) | A |
| IS(pulse) | 源极脉冲电流(FET关断,tp < 1µs) | - | 60 | A |
| TJ | 工作结温 | -40 | 150 | °C |
| Tstg | 存储温度 | -55 | 150 | °C |
| 参数 | 描述 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压(VDD) | 最大开关频率在VDD < 9V时降额 | 7.5 | 12 | 18 | V |
| 输入电压(IN) | - | 0 | 5 | 18 | V |
| ID(RMS) | 漏极RMS电流 | - | - | 32 | A |
| 正源电流(LDO5V) | - | - | - | 25 | mA |
| RDRV到GND电阻 | 外部压摆率控制电阻 | 0 | - | 500 | kΩ |
| VNEG到GND电容 | 外部旁路电容 | 1 | - | 10 | uF |
| BBSW到GND电感 | 外部降压 - 升压电感 | 3 | 4.7 | 10 | uH |
LMG342xR050的压摆率可通过连接RDRV引脚到GND的电阻在20V/ns至150V/ns之间调节。高压摆率可降低开关损耗,但可能导致电压过冲、噪声耦合和EMI发射增加。因此,在设计时需根据具体应用需求选择合适的压摆率,并注意屏蔽RDRV引脚,避免耦合干扰。
在半桥应用中,需使用高压电平转换器或数字隔离器为高侧器件和控制电路之间的信号路径提供隔离。选择具有高共模瞬态抗扰度(CMTI)和低势垒电容的数字隔离器,可提高噪声免疫力,避免误触发。
降压 - 升压转换器的电感值建议在3µH至10µH之间,以平衡控制环路响应和瞬态响应。同时,需根据开关频率选择合适的峰值电流模式,确保转换器的高效运行。
LMG342xR050系列产品凭借其卓越的性能、强大的保护功能和先进的电源管理特性,为开关模式电源转换器提供了高性能、高可靠性的解决方案。在设计应用时,需充分考虑其特性和设计要点,合理选择参数和布局,以实现最佳的性能和效率。你在使用这款产品时遇到过哪些问题?又有哪些独特的设计经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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