电子说
在电源转换领域,氮化镓(GaN)技术正逐渐崭露头角,为高效、高功率密度的电源设计带来了新的可能。今天,我们就来深入了解一款集成了驱动的650-V 120-mΩ GaN FET——LMG3612,看看它在开关电源应用中能为我们带来怎样的惊喜。
文件下载:lmg3612.pdf
LMG3612采用了8 mm × 5.3 mm的QFN封装,集成了650-V 120-mΩ的GaN功率FET和低传播延迟、可调开启压摆率控制的栅极驱动器。其AUX静态电流仅为55 μA,最大电源和输入逻辑引脚电压可达26 V,这些特性使得它在电源设计中具有很高的灵活性和效率。
该器件具备过温保护功能,并通过FLT引脚进行故障报告。同时,还具有欠压锁定(UVLO)保护,确保在电源电压异常时能够及时保护器件,提高系统的可靠性。
通过设置RDRV引脚与AGND之间的电阻,可以将GaN功率FET的开启压摆率编程为四个离散设置之一,这为设计人员在功率损耗、开关引起的振铃和电磁干扰(EMI)之间提供了灵活的权衡选择。
LMG3612适用于多种开关电源应用,包括AC/DC适配器和充电器、AC/DC USB壁式电源、电视电源、移动壁式充电器设计等。其集成的设计和高性能特性使得它能够轻松应对不同应用场景的需求。
LMG3612采用38引脚的VQFN封装,各引脚具有不同的功能。其中,D引脚为GaN FET的漏极,S引脚为源极,AGND为模拟地,IN为栅极驱动控制输入,AUX为辅助电压轨,RDRV用于设置驱动强度控制电阻,FLT为有源低故障输出。
LMG3612的绝对最大额定值规定了其正常工作的电压、电流和温度范围。例如,漏源电压(VDS)在FET关断时最大可达650 V,在浪涌条件下可达720 V,瞬态振铃峰值电压可达800 V。
该器件具有一定的静电放电(ESD)防护能力,人体模型(HBM)为±1000 V,带电设备模型(CDM)为±500 V。
在推荐工作条件下,AUX电压范围为10 V至26 V,输入电压(IN)范围为0至VAUX,漏极连续电流(ID(cnts))范围为 -7.7 A至7.7 A。
LMG3612的开关特性包括开启延迟时间、关断延迟时间、开启上升时间和关断下降时间等。这些特性受到RDRV引脚设置和负载电流的影响,通过合理设置RDRV电阻,可以优化开关性能。
以280-W LLC转换器为例,LMG3612与德州仪器的UCC25660 LLC控制器无缝配对,实现了高功率密度和高效率的电源设计。该应用的输入直流电压范围为365 VDC至410 VDC,输出直流电压为12 V,输出额定电流为23.34 A,峰值效率可达93%。
在该应用中,由于UCC256602控制器可实现零电压开关(ZVS),为了最小化开启事件开始时的第三象限损耗,将开启压摆率设置为最快。通过将RDRV引脚短路到AGND引脚,实现了最快的压摆率设置。
LMG3612通过连接到AUX引脚的单个输入电源供电,推荐使用10 V至26 V的宽电压范围电源。同时,建议在AUX引脚和AGND之间连接至少0.03 μF的陶瓷电容,以提供稳定的电源。
LMG3612作为一款集成了驱动的GaN FET,凭借其高性能、丰富的保护功能和灵活的设计特性,为开关电源设计提供了一个优秀的解决方案。在实际应用中,设计人员需要根据具体需求合理选择开启压摆率、优化布局设计和电源供应,以充分发挥LMG3612的优势。随着GaN技术的不断发展,相信LMG3612将在更多的电源应用中展现出其卓越的性能。
你在使用LMG3612进行电源设计时遇到过哪些问题?你对GaN技术在电源领域的发展有什么看法?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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