CSD95373BQ5M同步降压NexFET™智能功率级:高效电源解决方案

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描述

CSD95373BQ5M同步降压NexFET™智能功率级:高效电源解决方案

在当今的电子设备设计中,高效、紧凑的电源解决方案至关重要。德州仪器(TI)的CSD95373BQ5M同步降压NexFET™智能功率级,为高功率、高密度同步降压转换器提供了高度优化的设计。下面,我们就来详细了解一下这款产品。

文件下载:csd95373bq5m.pdf

一、产品特性

1. 强大的电气性能

  • 高电流处理能力:具备45A的连续工作电流能力,能满足高功率应用的需求。
  • 高效率转换:在25A电流下,系统效率可达92.7%,有效降低功耗。
  • 低功率损耗:25A时功率损耗仅为2.6W,减少了发热,提高了系统稳定性。
  • 高频操作:支持高达1.25MHz的高频操作,有助于减小外部元件的尺寸。

2. 丰富的功能特性

  • 二极管仿真模式:具备带FCCM的二极管仿真模式,可优化轻载效率。
  • 精确的传感功能:集成温度补偿双向电流传感和模拟温度输出(0°C时为600mV),方便系统监控和保护。
  • 故障监测与保护:提供高端短路、过流和过温保护,增强了系统的可靠性。
  • PWM信号兼容性:支持3.3V和5V的PWM信号,且具有三态PWM输入。
  • 集成式设计:集成了自举二极管,优化了死区时间以防止直通,采用了高密度SON 5mm×6mm封装和超低电感封装。
  • 环保设计:符合RoHS标准,无铅端子电镀,无卤。

二、应用领域

1. 多相同步降压转换器

适用于高频应用以及宽占空比范围的高电流应用,能够提供高效、稳定的电源转换。

2. POL DC - DC转换器

为负载点电源提供了优秀的解决方案,满足不同负载的电源需求。

3. 内存和显卡

在桌面和服务器的VR11.x / VR12.x V - core和内存同步转换器中发挥重要作用,确保内存和显卡的稳定运行。

三、产品描述

CSD95373BQ5M将驱动IC和功率MOSFET集成在一起,实现了功率级的开关功能。这种集成设计在5mm×6mm的小尺寸封装内,提供了高电流、高效率和高速开关能力。同时,它还集成了精确的电流传感和温度传感功能,简化了系统设计,提高了设计精度。此外,优化的PCB布局有助于减少设计时间,简化整体系统设计。

四、引脚配置与功能

该产品的引脚配置经过精心设计,每个引脚都有特定的功能。例如,BOOT引脚用于连接自举电容,为控制FET提供开启所需的电荷;ENABLE引脚用于控制设备的开启和关闭;PWM引脚接收外部控制器的脉冲宽度调制信号等。详细的引脚功能说明如下表所示: PIN NAME NO. DESCRIPTION
BOOT 9 自举电容连接。从BOOT到BOOT_R引脚连接至少0.1µF、16V、X7R陶瓷电容。自举电容为控制FET提供开启电荷,集成了自举二极管。
BOOT_R 8 高端栅极驱动器的返回路径,内部连接到VSW。
ENABLE 3 启用设备操作。ENABLE为逻辑高时,设备开启;为逻辑低时,设备关闭,两个MOSFET栅极均被主动拉低。若悬空,内部100kΩ下拉电阻将使ENABLE引脚为低。
FCCM 10 启用二极管仿真功能。此引脚为低时,同步FET启用二极管仿真模式;为高时,设备工作在强制连续导通模式。若悬空,内部5µA电流源将使FCCM引脚升至3.3V。
IOUT、PGND 1、4 电流传感放大器的输出。V(IOUT) - V(REFIN)与相电流成正比。功率接地,直接连接到引脚13。
PGND 13 功率接地。
PWM 12 来自外部控制器的脉冲宽度调制三态输入。逻辑低使控制FET栅极低、同步FET栅极高;逻辑高使控制FET栅极高、同步FET栅极低;开路或高阻态在超过三态关断延迟时间(t3HT)后使两个MOSFET栅极均为低。
REFIN 2 电流传感放大器的外部参考电压输入。
TAO/FAULT 11 温度模拟输出。报告与管芯温度成正比的电压。IC中集成了或二极管。在多相应用中,可用单根线连接所有IC的TAO引脚,仅报告最高温度。发生热关断时,TAO将被上拉至3.3V。TAO应通过1nF、16V、X7R陶瓷电容旁路到PGND。
VDD 5 栅极驱动器和内部电路的电源电压。
VIN 7 输入电压引脚。在该引脚附近连接输入电容。
VSW 6 连接高端MOSFET源极和低端MOSFET漏极的相节点 - 连接到输出电感的引脚。

五、规格参数

1. 绝对最大额定值

规定了器件在各种电压、功率和温度条件下的最大承受能力,如VIN到PGND的电压范围为 - 0.3V至25V等,超出这些范围可能会导致器件永久性损坏。

2. ESD额定值

人体模型(HBM)下为 - 2000V至2000V,带电设备模型(CDM)下为 - 500V至500V,显示了器件对静电放电的耐受能力。

3. 推荐工作条件

包括栅极驱动电压、输入电源电压、输出电压、连续输出电流、峰值输出电流、开关频率、导通时间占空比、最小PWM导通时间和工作温度等参数,为设计人员提供了合理使用器件的参考。

4. 热信息

给出了结到外壳和结到电路板的热阻,有助于设计人员进行散热设计。

六、应用原理图

文档中给出了典型应用原理图,展示了CSD95373B与TPS53661等控制器的连接方式,为实际应用提供了参考。在实际设计中,工程师可以根据具体需求进行适当的调整和优化。

七、设备与文档支持

1. 文档更新通知

用户可以在ti.com上的设备产品文件夹中注册,接收每周的产品信息更新摘要,方便及时了解产品的最新动态。

2. 社区资源

TI提供了E2E™在线社区和设计支持等资源,工程师可以在社区中与同行交流,分享知识,解决问题。

3. 商标说明

明确了NexFET、E2E等为德州仪器的商标,其他商标归各自所有者所有。

4. 静电放电注意事项

提醒工程师在处理该集成电路时要采取适当的防静电措施,因为ESD可能会导致器件性能下降甚至完全失效。

5. 术语表

提供了相关术语、首字母缩写和定义的解释,帮助工程师更好地理解文档内容。

八、机械、封装和订购信息

1. 机械图纸

详细给出了器件的机械尺寸,包括长度、宽度、高度等各项参数,为PCB设计提供了精确的尺寸参考。

2. 推荐PCB焊盘图案

给出了推荐的PCB焊盘尺寸和布局,有助于确保良好的焊接质量和电气性能。

3. 推荐钢网开口

提供了钢网开口的尺寸信息,对于印刷电路板上的焊膏印刷非常重要。

4. 封装选项附录

列出了不同订购型号的详细信息,包括状态、材料类型、封装、引脚数、封装数量、载体、RoHS合规性、引脚镀层/球材料、MSL等级/峰值回流温度、工作温度和零件标记等。

5. 封装材料信息

包含了卷带和卷轴的尺寸信息、引脚1在卷带中的象限分配以及卷带和卷轴盒的尺寸信息,方便生产和物流环节的操作。

CSD95373BQ5M同步降压NexFET™智能功率级凭借其出色的性能、丰富的功能和完善的支持文档,为电子工程师提供了一个优秀的电源解决方案。在实际设计中,工程师可以根据具体的应用需求,充分发挥该产品的优势,设计出高效、可靠的电源系统。你在使用类似产品时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区留言分享。

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