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在电子设计领域,电源管理芯片的性能直接影响着整个系统的稳定性、效率和噪声水平。今天,我们就来深入探讨一款备受关注的同步降压调节器——LT8627SP,看看它在实际应用中究竟有何独特之处。
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LT8627SP是一款采用第三代Silent Switcher技术的同步降压调节器,专为高电流、对噪声敏感的应用而设计。它结合了超低噪声参考和Silent Switcher架构,能够在实现高效率的同时,提供出色的宽带噪声性能。
文档中给出了多个典型应用电路,如1V 16A 4MHz、2MHz的降压转换器,3.3V 16A 2MHz的降压转换器,以及动态电压控制的1V - 2V 2MHz降压转换器和0.8V 64A 1MHz的4相降压转换器等。这些电路详细展示了LT8627SP在不同电压、电流和频率要求下的具体应用方式,为工程师们提供了实际的设计参考。
传统的降压调节器在低频范围内存在多种噪声源,如参考源、误差放大器、电阻分压器网络的噪声以及由此产生的噪声增益等。而LT8627SP采用了100μA的电流参考,避免了传统电压参考中电阻分压器对参考噪声的放大问题,实现了单位增益操作,使输出噪声几乎不受编程输出电压的影响。在实际测试中,其输出噪声在10kHz时典型值为4nV/√Hz,展现出了卓越的低噪声性能。此外,选择合适的补偿网络对于实现良好的瞬态性能和低噪声至关重要,可参考文档中的频率补偿部分进行合理设计。
作为开关调节器,LT8627SP的输出会存在开关频率的纹波和高频尖峰。为了有效抑制这些问题,可采用输出电容吸收部分尖峰,但由于电容ESL的限制,在高频下效果可能有限。因此,建议采用额外的滤波措施,如馈通电容、铁氧体磁珠或额外的LC滤波级。馈通电容适用于需要在保持快速瞬态响应的同时降低开关纹波的情况,而其他无源滤波解决方案则适用于对瞬态性能要求不高的场景。在设计额外的滤波器时,使用LTpowerCAD®进行设计可以确保设计的稳定性和足够的衰减效果。
为了实现LT8627SP的最佳性能,PCB布局至关重要。应尽量使用多个(PV{IN})旁路电容,将两个小电容靠近(PV{IN})引脚放置,另一个较大值(4.7μF或更高)的电容靠近其中一个小电容放置。同时,要注意输入电容形成的环路应尽可能小,选择具有低寄生电感的小尺寸电容(如0402或0603),并通过在输入电容的GND侧放置多个接地过孔,充分利用接地平面,确保输入电容有低阻抗的返回路径到IC接地。主电感和输出电容应与IC放置在电路板的同一侧,通过大量使用接地过孔来最小化输出大容量电容到IC接地的返回路径阻抗。此外,要注意避免输入电容的开关电流通过接地耦合到输出,可在必要时在OUTS引脚附近放置一个小电容进行去耦。
在需要快速瞬态响应和宽负载范围内全频率运行的应用中,可选择强制连续模式。在此模式下,振荡器持续运行,正SW转换与时钟同步,允许轻载或大瞬态条件下的负电感电流,使芯片能够从输出吸收电流并将电荷返回输入,从而改善负载阶跃瞬态响应。但在轻载时,FCM的效率低于脉冲跳跃模式。需要注意的是,在(PV{IN})过压、(V{OUT})过高或启动期间,直到VOUT充电到最终值的92.5%之前,FCM会被禁用,芯片将切换到脉冲跳跃模式。
当不处于强制连续模式时,LT8627SP将工作在脉冲跳跃模式。在此模式下,振荡器持续运行,所有开关周期与时钟同步,但不允许负电感电流。在轻载时,芯片可能会以不连续模式运行,并且在非常轻的负载或高占空比时,可能会跳过开关周期以提高效率或实现更好的压降。要启用脉冲跳跃模式,只需将SYNC/MODE引脚接地即可。
要将LT8627SP振荡器同步到外部频率,可将一个方波信号连接到SYNC/MODE引脚。方波的幅度应满足谷值低于0.4V、峰值高于1.5V(最高6V),最小导通时间和关断时间为50ns。同步期间,芯片将以强制连续模式运行以维持调节。(R_{T})电阻应选择为使LT8627SP开关频率比最低同步输入频率低约20%,以确保斜率补偿足够,避免次谐波振荡。
LT8627SP采用恒定频率PWM架构,可通过将电阻从RT引脚连接到GND来编程开关频率,范围为300kHz至4MHz。合理选择开关频率需要权衡效率、组件尺寸和输入电压范围。高频操作的优点是可以使用更小的电感和电容值,但缺点是效率较低,输入电压范围也较小。在脉冲跳跃模式下,芯片的最大占空比约为99%,而在FCM模式下,最大占空比受最小关断时间和所选开关频率的限制。
电感的选择对于LT8627SP的性能至关重要。首先,可根据公式(L=left(frac{V{OUT }+V{SW(BOT)}}{f_{SW}}right) cdot 0.5)选择合适的电感值,同时要确保电感的RMS电流额定值大于应用的最大预期输出负载,饱和电流额定值高于负载电流加上电感电流的1/2。为了保持高效率,电感的串联电阻(DCR)应小于4mΩ,且核心材料应适用于高频应用。此外,当占空比大于50%时,需要一定的最小电感值来避免次谐波振荡。
LT8627SP通过SET引脚的100μA精密电流源和连接到GND的电阻来设置输出电压。误差放大器的单位增益配置使得OUTS引脚的电压与SET引脚的电压相同,从而实现输出电压的稳定控制。输出电压范围可从0V(使用0Ω电阻)到6V,在不同的输出电压范围内,误差放大器的输入对会自动切换,以确保最佳的整体性能。为了实现更高的精度,建议使用精密电阻,并注意避免SET引脚的泄漏路径,必要时可采用高质量的绝缘材料和表面涂层。对于需要更高精度或可调输出电压的应用,可使用外部电压源主动驱动SET引脚。
通过在SET引脚使用旁路电容可以实现软启动功能,限制输入电源的浪涌电流。在没有启用快速启动时,软启动时间由(R{C})时间常数(由SET引脚电阻和电容形成)控制;启用快速启动后,启动时间可以显著缩短。当(PV{IN})和(SV{IN})由独立电源供电时,需要考虑电源排序以确保正确的软启动。为了保证软启动,在对(PV{IN})、(SV{IN})和EN/UVLO进行排序时,不应最后给(PV{IN})供电。如果将EN/UVLO连接到(PV_{IN}),建议通过电阻分压器连接以设置适当的UVLO阈值,确保在快速电源循环时的正确启动和关机行为。
对于需要超低噪声和低1/f噪声(即低于100Hz的频率)的应用,可能需要使用较大值的SET引脚电容(最大可达22μF)。为了避免因大电容导致的启动时间过长问题,LT8627SP集成了快速启动电路,在启动期间将SET引脚电流增加到约2.7mA。快速启动电路在PGFB低于Power Good阈值(462.5mV)时启动,直到PGFB超过该阈值或满足其他禁用条件(如热关断、(SV{IN})过低或(INTV{CC})过低)为止。同时,为了防止参考电压过充,需要满足一定的最小SET电容要求。
通过外部电阻分压器(R{PGFB(TOP)})和(R{PGFB(BOT)}),可以对功率良好阈值进行用户编程。当PGFB引脚电压高于537.5mV或低于462.5mV时,开漏PG引脚将变为高阻抗。在确定电阻分压器网络时,需要考虑PGFB引脚电流((I{PGFB})),当(R{PGFB(BOT)})小于50k时,可忽略该电流。此外,在某些情况下,SET引脚的陶瓷电容可能会导致启动期间SET电压出现小的下降,从而引起PG引脚的毛刺。为了解决这个问题,可以在PGFB引脚和GND之间添加一个小电容(C_{PGFB})来补偿SET电压的下降。
对于需要更高输出电流的应用,可将多个LT8627SP并联连接到同一输出。通过将(V_{C})、OUTS引脚连接在一起,每个芯片的SW节点通过各自的电感连接到公共输出,并将CLKOUT信号连接到下一个芯片的SYNC/MODE引脚,实现整个系统的频率和相位同步。通过设置PHMODE引脚的不同电压电平,可以实现不同的相移,最多可支持12相并联运行,从而实现更好的低频率噪声性能、减少组件数量和更优的相之间的电流共享。
尽管SET引脚电压最大限制为6V,但通过使用从(V{OUT})到OUTS的传统电阻分压器,LT8627SP可以配置为输出高于6V的电压。建议将SET引脚电压配置为5V,然后根据公式(R 1=R 2left(frac{V{OUT }-5 V}{5 V+R 2 cdot I_{OUTS }}right))选择电阻值。需要注意的是,在这种配置中,要考虑OUTS引脚电流,以确保输出电压调节的误差小于0.1%。同时,在输出电压高于6V时,低频噪声会对输出电压有一定的依赖性,通过将SET电压配置为5V,可以最小化这种依赖性。
LT8627SP能够容忍输出短路。通过监测底部开关电流,如果电感电流超过安全水平,顶部开关的导通将被延迟,直到电感电流降至安全水平。在系统中,如果输出在输入缺失时保持高电平,需要考虑不同的情况。例如,当(PV{IN})引脚浮空且EN/UVLO引脚保持高电平时,芯片的内部电路将通过SW引脚吸取静态电流;如果将EN/UVLO引脚接地,SW引脚电流将降至约55μA。而当(PV{IN})引脚接地且输出保持高电平时,芯片内部的寄生体二极管可能会从输出通过SW引脚和(PV_{IN})引脚吸取电流。为了防止短路或反接输入,可以采用文档中所示的连接方式,确保芯片仅在输入电压存在时运行。
LT8627SP的封装顶部有裸露的芯片,可选择安装散热片,以显著提高散热性能。在较高的环境温度下,PCB布局对于散热非常重要。应将封装底部的裸露焊盘焊接到接地平面,并通过热过孔将其连接到较大的铜层,以扩散芯片产生的热量。增加额外的过孔可以进一步降低热阻。随着环境温度接近最大结温额定值,需要降低最大负载电流。芯片内部的过温保护功能会监测结温,当结温达到约165˚C时,芯片将停止开关并指示故障状态,直到温度下降约5˚C。在高负载、高(V{IN})和高开关频率下运行时,芯片的温度上升最为严重。如果在特定应用中外壳温度过高,可以通过降低(V{IN})、开关频率或负载电流来将温度降低到合适的水平。
文档中还列出了一些相关产品,如LT8625S、LT8642S、LTC7151S等,这些产品
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