PC1003K单通道低侧超高频GaN HEMT驱动器具有1ns延时传播速度

概述：

PC1003K器件是一款单通道低侧驱动器，专为高速应用中的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）驱动而设计（包括激光雷达、飞行时间测距、面部识别以及任何涉及低侧驱动器的电源转换器）。PC1003K设计简洁，可实现极快的传播延迟，仅为2.42纳秒。通过在栅极与OUTH和OUTL之间分别连接外部电阻，可独立调整上升沿和下降沿的驱动强度。该驱动器在过载或故障情况下提供欠压锁定（UVLO），并具备过热保护（OTP）功能。

特性：

•分离式输出配置，可分别控制上升时间和下降时间

• 超高速、低侧驱动器

•高工作频率，最高达60MHz

• 5V电源电压

•UVLO（欠压锁定）和OTP（过热保护）保护

•7A/5A峰值源电流/ sink电流

•快速上升和下降时间

•工作温度范围：-40℃至125℃

应用：

•飞行时间激光驱动器

•激光雷达

•人脸识别

•氮化镓DC/DC转换器

• Class E无线充电器

•VHF谐振功率转换器

审核编辑 黄宇