LT8551:高性能多相升压转换器扩展器的深度解析

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LT8551:高性能多相升压转换器扩展器的深度解析

在电子工程师的日常工作中,高性能、高集成度的电源管理芯片是实现高效电源系统的关键。今天,我们就来深入探讨一下Linear Technology(现ADI)推出的LT8551多相升压转换器扩展器,看看它在电源设计领域能为我们带来哪些惊喜。

文件下载:LT8551.pdf

一、产品概述

LT8551是一款专为同步升压DC/DC转换器设计的多相扩展器。它就像一个强大的“助手”,能与任何同步升压DC/DC转换器协同工作,通过增加额外的相位来提升负载电流能力。这些额外的相位采用异相时钟,能有效降低纹波电流和滤波电容的需求。而且,它在添加相位时无需布线敏感的反馈和控制信号,大大简化了设计过程。

1.1 主要特性

  • 多相扩展能力:每颗芯片可扩展至4相,多个芯片级联使用时,最多能支持18个不同相位,且相位可共享相角。
  • 宽电压范围:支持高达80V的输入或输出电压,能适应多种不同的应用场景。
  • 出色的电流共享:具备优秀的直流和瞬态电流共享能力,确保各相电流分配均匀。
  • 频率灵活性:固定频率范围为125kHz至1MHz,且可锁相,还支持双向电流流动。
  • 电流传感方式多样:支持(R_{SENSE})或DCR电流传感,满足不同的设计需求。
  • 封装优势:采用52引脚(7mm × 8mm)QFN封装,节省空间且便于布局。

1.2 应用领域

LT8551的应用范围十分广泛,主要包括:

  • 高电流分布式电源系统:为高负载设备提供稳定的电源支持。
  • 电信、数据通信和存储系统:满足这些系统对电源的高可靠性和高效率要求。
  • 工业和汽车领域:适应复杂的工作环境和严格的性能标准。

二、技术细节剖析

2.1 绝对最大额定值

在使用LT8551时,必须严格遵守其绝对最大额定值,以避免对芯片造成永久性损坏。例如,部分引脚的电压范围在–0.3V至6.0V之间,不同引脚的电压限制有所差异,像SHDN引脚电压范围为–0.3V至70V,TGSL引脚电压范围为–3V至80V等。同时,要注意存储温度范围和工作结温范围,不同型号的LT8551(如LT8551E和LT8551I)在工作结温上有特定的要求。

2.2 电气特性

  • 电源相关特性
    • 输入电压范围:最低为3.6V,最高可达80V。
    • 静态电流:在不同工作模式和条件下,输入、输出引脚的静态电流各有不同。例如,VIN在特定条件下的静态电流为800µA,而在关断模式下仅为2µA。
    • 欠压锁定:VCC的欠压锁定阈值在3.3V至3.8V之间,且具有一定的滞回。
  • 电流传感特性
    • 电流传感电压范围:最大正电流传感电压和最大负电流传感电压在不同条件下有相应的取值范围,且与ILIM引脚的设置有关。
    • 电流传感放大器增益:由ILIM引脚设置,有三个增益级别,分别为33.3、16.7和11.1。
  • 振荡器特性
    • 频率范围:CLK1频率可通过RT/MS引脚连接的电阻进行设置,自由运行和同步时的开关频率范围为100kHz至1000kHz。
    • 同步条件:同步时钟的高电平需超过1.2V,低电平需低于0.8V。

2.3 引脚功能

LT8551的各个引脚都有其特定的功能,以下是一些关键引脚的介绍:

  • REG引脚:REG LDO的输出,为栅极驱动器供电,需用至少4.7µF的低ESR陶瓷电容进行去耦。
  • BG1 - BG4引脚:底部栅极驱动器输出,驱动底部N沟道MOSFET的栅极。
  • BST1 - BST4引脚:升压浮动驱动器电源,连接自举电容的(+)端。
  • TG1 - TG4引脚:顶部栅极驱动器输出,输出电压叠加在开关节点电压上。
  • SW1 - SW4引脚:开关节点,电压在低于地一个二极管压降至(V_{OUT})之间摆动。
  • SYNC引脚:用于将开关频率同步到外部时钟,通过输入合适的时钟信号来控制。
  • PHS1 - PHS3引脚:相位选择引脚,与RT/MS引脚配合设置开关频率和各通道的相位。
  • ILIM引脚:最大电流传感电压编程引脚,可设置不同的最大电流传感电压。

三、工作原理及模式

3.1 多芯片系统配置

一个LT8551最多可扩展4个通道,但对于更高功率的应用,可以采用多芯片级联的方式。在多芯片系统中,需要指定一个LT8551作为主芯片,其他作为从芯片。通过将RT/MS引脚连接到地可将芯片设置为主芯片,连接到REG则设置为从芯片。

3.2 阶段 shedding模式

MODE引脚用于控制阶段shedding功能。在轻负载时,主芯片的MODE引脚浮空,LT8551会进入阶段shedding模式,关闭部分通道以提高整体效率。但在双向应用中,当电流反向调节时应禁用该功能,可将MODE引脚驱动至低于0.5V来实现。

3.3 时钟方案

主LT8551会生成CLK1和CLK2两个时钟信号。CLK1信号是基本开关频率,用于同步主升压控制器和从芯片。CLK2频率是CLK1频率乘以总不同相位数(TDPN)。通过主芯片的PHS1、PHS2和PHS3引脚可对TDPN进行编程,每个扩展通道会在一个CLK1时钟周期内从CLK2中选择一个脉冲,以实现各通道的同步。

3.4 主控制器状态检测与电流传感

  • 开关状态检测:主芯片通过TGSR、TGSH、TGSL和BGSH引脚检测主控制器的开关状态,并将这些信息传递给从芯片,避免了在电路板上布线主控制器的嘈杂信号。
  • 电感电流传感:主芯片通过ISP和ISN引脚检测主控制器的电感电流,将信号放大后输出到IAMPP引脚。在多芯片系统中,所有芯片的IAMPP和IAMPN引脚分别连接在一起,以传递主控制器的电感电流信息,避免了在电路板上布线敏感的小信号。

3.5 电流传感增益、限制和故障处理

电流放大器的增益由ILIM引脚设置,有三个增益级别。当IAMP_INTx达到特定电压时,相应通道会进入电流限制或电流故障状态。进入电流限制时,通道的BGx和TGx会立即拉低,在故障条件解除后,通道会在下一个时钟上升沿恢复切换。进入电流故障时,通道会进入故障序列,可能需要重启整个芯片才能重新激活。

3.6 关机和启动

通过SHDN引脚可以控制芯片的开启和关闭。当SHDN电压低于0.3V时,芯片禁用,静态电流最小;当SHDN电压高于1.15V时,REG LDO启用;当VCC高于3.55V且ENOUT高于2.1V时,开关调节器启动。

四、应用信息与设计要点

4.1 电源供应

  • REG LDO:为栅极驱动器和CLK1、CLK2、TGBUF、BGBUF的输出级供电。REG的电压根据(REGSNS – IAMPN)电压的不同而有所调节,需用至少4.7μF的X5R或X7R陶瓷电容进行去耦。
  • (V_{CC}):为大多数内部电路供电,通过外部滤波器(RF,(C{F}))与REG连接,以过滤REG中的开关噪声。内部UVLO比较器在(V{CC})低于3.55V时会禁用LT8551的开关活动。

4.2 工作频率选择

扩展器系统的工作频率由主LT8551决定,范围为100kHz至1MHz。可以通过内部振荡器或同步到外部时钟源来设置频率。选择开关频率时需要在效率和组件尺寸之间进行权衡,低频操作可降低MOSFET开关损耗,但需要更大的电感和电容来保持低输出纹波电压。

4.3 功率级组件选择

  • 电感:应选择低磁芯损耗、低直流电阻的电感,如铁氧体电感,以提高效率和减少(I^{2}R)损耗。同时,电感要能承受峰值电流而不饱和,可选择环形、罐形或屏蔽式电感以减少辐射噪声。
  • 功率MOSFET:选择时需要考虑导通电阻(R{DS(ON)})、米勒电容(C{MILLER})、漏源击穿电压(BVDSS)和最大输出电流等参数。由于栅极驱动电压由REG LDO设置为5V,因此必须使用逻辑电平(5V)MOSFET。在选择时还需考虑功率耗散,以避免过热损坏器件。
  • 肖特基二极管(可选):与顶部开关并联的肖特基二极管可在主开关和同步开关导通之间的死区时间内导通,防止同步开关的体二极管导通,提高效率。但在高温时,肖特基二极管的反向泄漏电流较大,需选择热阻较低的封装以减少自热。
  • 输入和输出电容:输入电容(C{IN})的电压额定值应超过最大输入电压,其值与源阻抗和占空比有关。输出电容(C{OUT})需要能够降低输出电压纹波,选择时需考虑ESR和电容值。

4.4 电感电流传感

LT8551可以通过低阻值串联电流传感电阻((R{SENSE}))或电感直流电阻(DCR)来传感电感电流。两种方案各有优缺点,(R{SENSE})能提供更准确的电流限制,而DCR则更节省成本和功耗,特别是在高电流应用中。

4.5 热关断与效率考虑

当芯片的管芯结温达到约165°C时,LT8551会进入热关断状态,关闭所有功率开关。主芯片的ENOUT引脚会拉低,以关闭系统的所有开关活动。当管芯温度下降约5°C后,芯片会重新启用。在设计时,需要分析各个损耗源,如(I^{2}R)损耗、过渡损耗、REG电流和体二极管传导损耗等,以提高系统的效率。

4.6 PCB布局要点

  • 分层设计:采用多层PCB板,设置专用的接地层,减少噪声耦合和改善散热。
  • 地平面分离:将小信号地(SGND)和功率地(PGND)分开,仅在一点连接。所有功率组件应参考PGND,通过过孔连接到PGND。
  • 组件布局:将功率组件(如(C{IN})、(C{OUT})、电感和MOSFET)紧凑布局,使用宽而短的走线来降低铜损。
  • 信号处理:BSTx/SWx、TGx和BGx等信号的dV/dt速率较高,应远离噪声敏感走线,尽量在同一层布线以减少电感和噪声。
  • 电流传感走线:采用差分走线,尽量缩短间距,将滤波电阻和电容靠近ISPx/ISNx引脚放置。

五、典型应用案例

文档中给出了多个典型应用电路,如48V/12.5A、24V/25A和48V的升压扩展器系统。这些案例展示了LT8551在不同电压和电流要求下的具体应用,包括组件的选择和电路的连接方式。通过参考这些案例,工程师可以更方便地将LT8551应用到实际设计中。

六、总结

LT8551作为一款高性能的多相升压转换器扩展器,凭借其丰富的特性、灵活的工作模式和广泛的应用领域,为电子工程师在电源设计方面提供了强大的支持。在实际应用中,我们需要充分了解其技术细节和设计要点,合理选择组件和进行PCB布局,以实现高效、稳定的电源系统。同时,我们也应该不断探索其在不同场景下的应用潜力,为电子设备的发展贡献更多的创新设计。

你在使用LT8551的过程中遇到过哪些问题?或者对它的应用有什么独特的见解?欢迎在评论区分享交流。

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