电子说
在电子设计领域,电源管理一直是至关重要的环节。一款性能出色的电源管理集成电路(PMIC)能够显著提升系统的稳定性和效率。今天,我们就来深入了解一下Maxim Integrated推出的MAX17673/MAX17673A PMIC。
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MAX17673/MAX17673A集成了一个60V高压(HV)、高效同步DC - DC降压调节器和两个5.5V低压(LV)高效同步DC - DC降压调节器,所有三个调节器都集成了功率MOSFET。HV调节器的输入电压范围为4.5V至60V,支持高达1.5A的负载电流,输出电压可在0.9V至5.5V之间调节;LV调节器的输入电压范围为2.7V至5.5V,支持高达1A的负载电流,输出电压可在0.75V至4.8V之间调节。
HV调节器的输入电压范围为4.5V至60V,LV调节器的输入电压范围为2.7V至5.5V。在关断模式下,INH的关断电流最大为15μA,INA和INB的关断电流最大为1.5μA。在正常开关的PWM模式下,INH的静态电流典型值为10.2mA,INA和INB的静态电流典型值为8.8mA。
HV调节器的使能阈值上升为1.175V至1.225V,下降为1.055V至1.105V;LV调节器的使能阈值上升为1.2V,下降为0.4V。
VCC输出电压范围为4.75V至5.25V,电流限制典型值为54mA,压降最大为0.5V,欠压锁定上升阈值为2.50V至2.70V,下降阈值为2.43V至2.55V。
EXTVCC的切换电压上升为2.83V至3.00V,下降为2.80V至2.95V,电流限制典型值为40mA,压降最大为125mV。
HV调节器的高端MOSFET导通电阻典型值为290mΩ,低端MOSFET导通电阻典型值为170mΩ;LV调节器的高端MOSFET导通电阻典型值为120mΩ,低端MOSFET导通电阻典型值为60mΩ。
HV调节器的软启动电流典型值为5.00μA,LV调节器的软启动时间为4096个周期。
HV调节器的FBH调节电压典型值为0.900V,LV调节器的FBA和FBB调节电压典型值为0.750V。
FBH的PFM跳过阈值典型值为102.75%,恢复阈值典型值为101%;FBA和FBB的PFM跳过阈值典型值为102.5%,恢复阈值典型值为101.7%。
HV调节器的峰值电流限制阈值典型值为2.7A,负电流限制阈值典型值为1.1A,PFM电流限制典型值为0.82A;LV调节器的峰值电流限制阈值典型值为1.70A,负电流限制阈值典型值为0.75A,PFM电流限制典型值为0.54A。
LV调节器的开关频率可在1MHz至4MHz之间调节,HV调节器的开关频率可通过FDIV引脚进行编程,为LV调节器开关频率的分数倍。
文档中给出了大量的典型应用特性曲线,包括HV和LV降压调节器的效率与负载电流关系、输出电压与负载电流关系、负载瞬态响应、稳态开关波形等。通过这些曲线,我们可以直观地了解芯片在不同工作条件下的性能表现。例如,在不同输入电压和输出电压下,调节器的效率随着负载电流的变化而变化,我们可以根据这些曲线选择合适的工作点,以实现最佳的效率和性能。
MAX17673/MAX17673A采用28引脚的5mm x 5mm TQFN封装,各引脚具有不同的功能。例如,FBB和FBA为LV调节器的反馈输入引脚,用于设置输出电压;POKH、POKA和POKB为电源好信号输出引脚,用于监控调节器的输出状态;MODE/SYNC引脚用于选择工作模式,MAX17673A还可通过该引脚实现外部时钟同步。
芯片内部集成了一个低压差(LDO)线性调节器,可从INH或EXTVCC输入生成VCC电源。当INH高于EXTVCC且EXTVCC低于切换阈值(3V)时,LDO使用INH;当INH低于EXTVCC时,LDO禁用,使用EXTVCC生成VCC。
三个内部调节器都有独立的使能引脚。HV调节器的使能输入(ENH)具有可编程的欠压锁定阈值,LV调节器的使能输入(ENA和ENB)具有数字逻辑阈值。
LV调节器的开关频率可通过连接RT引脚到GND的电阻进行设置,范围为1MHz至4MHz。HV调节器的开关频率为LV调节器开关频率的分数倍,可通过连接FDIV引脚到GND的电阻进行编程。
芯片支持PWM和PFM两种工作模式。将MAX17673的MODE引脚或MAX17673A的MODE/SYNC引脚连接到GND,芯片工作在PWM模式;连接到VCC或悬空,芯片工作在PFM模式。MAX17673A还支持外部时钟同步,外部同步频率必须在0.9 x fsw_LV和1.1 x fsw_LV之间。
芯片为三个内部调节器提供独立的电源好信号(POKH、POKA和POKB)。当调节器的输出电压达到设定值的95%(典型值)且软启动完成后,电源好信号被拉高;在软启动期间或故障条件下,电源好信号被拉低。
芯片具备强大的过流保护功能。当高端开关电流超过内部限制时,逐周期峰值电流限制会关闭高端MOSFET。如果反馈电压下降到调节值的64%,则触发打嗝模式,转换器暂停开关32,768个开关周期,然后重新尝试软启动。
当芯片启动到预偏置输出时,高端和低端开关都关闭,直到PWM比较器发出第一个PWM脉冲,开关才开始工作,输出电压逐渐上升到目标值。
当芯片的结温超过165°C时,片上热传感器会关闭芯片,待温度下降20°C后重新启动。
为了减少从输入电源汲取的峰值电流,降低输入端子的噪声和电压纹波,应在每个输入端子(INH、INA和INB)附近放置输入电容。输入电容的RMS电流要求可通过公式计算,应选择在RMS输入电流下温度上升小于 + 10°C的电容,推荐使用低ESR陶瓷电容,如X7R电容。
三个调节器的电感值应根据开关频率和输出电压进行选择,计算公式为 (L=frac{1.5 × V{OUT }}{f{SW}}) 。应选择低直流电阻(DCR)且饱和电流额定值高于调节器峰值电流限制的电感。
推荐使用X7R陶瓷输出电容,其输出电容的大小应能支持应用中最大输出电流50%的阶跃负载,使输出电压偏差控制在输出电压设定值的3%以内。最小所需输出电容可通过公式计算。
HV调节器的软启动时间可通过连接SSH引脚到GND的电容进行编程,LV调节器具有内部固定软启动时间。软启动电容的大小应根据所选输出电容和输出电压进行选择。
可通过连接从VINH到GND的电阻分压器来设置HV调节器的输入欠压锁定电平,将分压器的中心节点连接到ENH引脚。
可通过使用从输出电压到相应反馈(FB_)引脚的电阻分压器来设置三个调节器的输出电压,根据不同的调节器类型,使用不同的公式计算电阻分压器的值。
芯片内部的功率耗散会导致结温升高,应确保芯片的结温不超过 + 125°C。可通过公式计算IC在满载时的功率损耗,并根据热性能指标估算芯片的结温。
PCB布局对芯片的性能和可靠性有重要影响。所有承载脉冲电流的连接应尽可能短且宽,以减少电感。应在IC的IN_引脚附近放置陶瓷输入滤波电容,在VCC引脚附近放置旁路电容。模拟小信号地和开关电流的功率地应分开,在开关活动最小的点连接。应在芯片的暴露焊盘下方提供多个热过孔,以提高散热效率。
文档中给出了一个典型应用电路,展示了如何使用MAX17673/MAX17673A实现电源管理。该电路包括HV和LV调节器的输入电容、电感、输出电容、反馈电阻等组件,可根据实际需求进行调整。
MAX17673/MAX17673A是一款功能强大、性能卓越的电源管理IC,具有集成度高、效率高、可靠性强等优点。它广泛应用于工业控制电源、FPGA/CPLD电源、分布式电源调节、基站电源、高压单板系统等领域。在设计过程中,我们需要根据具体的应用需求,合理选择输入电容、电感、输出电容等组件,优化PCB布局,以确保芯片的性能和可靠性。同时,我们还需要注意芯片的功率耗散和热管理,避免芯片因过热而损坏。大家在实际应用中遇到过哪些电源管理方面的问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享交流。
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