串行NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM

S3A3204R0M是自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。它具有SPI总线接口、XIP(就地执行)功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPI(串行外设接口)是带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。它比并行接口需要更少的引脚数，并且易于在系统上配置。STT-MRAM可以替代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或(nv)SRAM。该器件提供多种SPI模式，允许带宽扩展选项。

STT-MRAM的SSPI(单SPI)模式有单(1)个命令信号引脚。用户可以在1引脚、2引脚或4引脚中选择分配多少引脚给地址和数据信号。STT-MRAM的DSPI(双SPI)模式为命令、地址和数据信号提供双(2)引脚。QSPI(四通道SPI)模式为命令、地址和数据信号提供四(4)个引脚。

NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM具有非易失性寄存器位——状态寄存器、配置寄存器、序列号寄存器，增加了512个字节和用于扩充字节的保护寄存器。高电平后上电时，这些寄存器位需要至少置1次温度回流焊工艺。

STT-MRAM提供小尺寸8引脚WSON、8引脚SOIC和24引脚FBGA三种封装。这些封装与类似的低功耗挥发性和非挥发性产品兼容。该器件具有工业(-40°C至85°C)工作温度范围。

英尚微电子是一家拥有超过15年行业经验，集研发、销售与服务于一体的芯片技术企业。公司提供涵盖高精度、低功耗及数字接口的芯片产品组合，若您有STT-MRAM产品相关的技术咨询、选型需求或应用支持，欢迎访问英尚微电子官方网站获取进一步信息。

审核编辑 黄宇