关于功率器件的热电偶测量位置指南

半导体集成电路（IC）中的热特性参数ΨJT由JEDEC Standard定义，需要测量封装外面的顶部中央的温度TT。但是，在分立半导体中不存在这样的定义，在功率器件中，有时芯片没有搭载在封装中央，热电偶的温度测量位置与IC不同。本应用说明提供了有关功率器件的热电偶测量位置的指南。

背景

半导体集成电路（IC）中的热特性参数ΨJT为JEDEC StandardJESD51-2A定义为“结温度TJ与组件封装外顶部中心温度TT之差除以组件上的功率”。但是，在分立半导体中不存在这样的定义，在使用热电偶测量封装表温度的情况下，由于在功率器件中存在芯片未搭载在封装中央的情况、或搭载有多个芯片的情况，适当的测量位置因器件而异。

为了使用从结到温度测量点的热特性参数Ψ来准确地估计结温TJ，给出了功率器件的热电偶测量位置的指导方针。

推荐测定位置

首先，给出了功率器件中热电偶的温度测量位置。建议的热电偶测量位置为封装上芯片正上方或封装顶部的中间。你需要根据每个器件的特点来选择位置。推荐此测量位置的原因有两个：

1. 芯片与测量点之间的热特性参数Ψ是稳定的。

2. 确保绝缘。

温度测量时的注意事项

以下是使用热电偶测量温度时的注意事项。使用热电偶时，如果处理不当，可能会导致与原来不同的结果，因此需要注意。请参考以下要点。

1. 热电偶有很多种类，如果不使用适合用途的热电偶，测量温度就会变低。对于半导体器件用途，推荐K型1级。

2. 如果线径粗，则由于从热电偶本身散热，所以测定温度变低。建议使用AWG36-40。

3. 焊接是前端处理的最佳选择。在绞线处理中，测量温度变低。

4. 推荐的固定方法是使用最少量的环氧胶粘剂。聚酰亚胺带有可能从器件浮起，其结果是测定温度变低。

5. 导线必须沿着封装主体布线到PCB。由此，能够减轻由来自引线的散热引起的热电偶接合部的温度降低。

6. 测量环境必须与最终产品的环境一致。