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在电子工程师的设计工作中,DC/DC控制器是一个关键的组件,它直接影响着电源系统的性能和稳定性。今天,我们就来详细探讨一下LINEAR TECHNOLOGY的LT8709负输入同步多拓扑DC/DC控制器。
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LT8709是一款用于负到负或负到正DC/DC转换的同步PWM控制器,具备轨到轨输出电流监测和控制功能,非常适合各种本地电源设计。它可以轻松配置为降压、升压、降压 - 升压和反相拓扑,适用于负输入电压的应用场景。
LT8709适用于多种应用场景,包括高功率负输入、负输出电源,高功率负输入、正输出电源,电信设备电源以及阴极保护电源等。
了解绝对最大额定值对于正确使用LT8709至关重要。例如,GND电压相对于 -VIN 的范围是 -0.3V 至 80V,BIAS电压相对于 -VIN 的范围也是 -0.3V 至 80V 等。在设计过程中,必须确保各个引脚的电压和电流不超过这些额定值,否则可能会导致器件损坏。
文档中详细列出了LT8709的各项电气参数,如最小工作输入电压、静态电流、EN/FBIN引脚的输入电压阈值、SS引脚的充电电流等。这些参数是工程师进行电路设计和性能评估的重要依据。例如,EN/FBIN引脚的最小输入电压高阈值为1.7V(典型值),当该引脚电压高于此值时,芯片将被激活并启动软启动序列。
LT8709采用恒定频率、电流模式控制,以提供出色的线路和负载调节能力。它的欠压锁定(UVLO)功能、软启动和频率折返功能,为启动过程提供了可控的手段。输出电压、输出电流和输入电压都可以控制命令的峰值电流,从而满足广泛的应用需求。
LT8709具有三种调节模式:
LT8709有三种复位情况,包括UVLO(GND或BIAS电压小于4.5V、INTVCC电压小于4V、EN/FBIN电压小于1.7V)、过流(IMON电压大于1.38V)和芯片温度超过175°C。当出现复位情况时,SS引脚将被拉低,功率开关将被强制关闭,直到复位条件消除后,芯片将重新开始软启动序列。
LT8709的主功率开关是外部NFET(MN),同步次级功率开关是外部PFET(MP)。两个开关不会同时导通,并且有大约140ns和90ns的非重叠时间,以防止交叉导通。MODE引脚可以控制芯片在强制CCM或DCM模式下工作,在轻负载时,DCM模式可以提高效率。
PG引脚是一个漏极开路引脚,作为有源高电平电源良好指示。当FBY引脚电流为 -74.9μA 或 75.4μA(约为调节电流的90%)时,电源被认为是良好的。PG引脚有100μs的抗干扰延迟,以避免误触发。
LT8709有两个线性稳压器,INTVCC和INTVEE。INTVCC稳压器调节到6.3V(典型值),为BG栅极驱动器提供电源;INTVEE稳压器调节到比BIAS引脚电压低6.18V(典型值),为TG栅极驱动器提供电源。两个稳压器都具有过流保护功能,以防止器件损坏。
通过连接外部电阻到FBY引脚,可以设置输出电压。对于输入电压调节,可以使用电阻分压器连接到EN/FBIN引脚,以实现输入电压的稳定调节或欠压锁定功能。
LT8709具有输出电流监测电路,可以通过IMON引脚监测输出电流。通过选择合适的RSENSE2电阻,可以限制输出电流。当IMON引脚电压超过1.213V(典型值)时,会降低VC引脚电压,从而限制电感电流。
外部电流感测电阻RSENSE1设置外部NFET开关的最大峰值电流。随着占空比的增加,电流限制会通过斜率补偿而降低。
当MODE引脚为低电平时,允许电感电流反向流动,但可能会导致电流从输出端流向输入端。为了防止输入过压,可以添加外部组件进行保护。
在某些应用中,由于开关噪声的影响,可能需要对电感电流感测信号进行滤波。可以使用RC网络对CSP/CSN和ISP/ISN引脚的信号进行滤波。
LT8709的开关频率可以通过内部振荡器设置,也可以同步到外部时钟源。选择合适的开关频率需要考虑效率和组件尺寸的平衡。
为了方便外部控制,LT8709提供了电平转换电路,可以将GND参考信号转换为相对于 -VIN 的信号。
在某些应用中,可以用肖特基二极管代替外部PFET,以实现非同步转换。此时,MODE引脚必须拉高,TG引脚必须悬空,以避免损坏TG栅极驱动器。
合理的布局对于LT8709的性能至关重要。一般来说,要优化散热性能,将芯片的暴露焊盘焊接到芯片接地平面;高速开关路径要尽可能短;FBY、VC、IMON和RT组件要靠近芯片放置,远离开关节点;旁路电容要靠近芯片引脚放置;负载要直接连接到输出电容的正负极。
电路板上散热最多的组件是功率开关、功率电感和LT8709芯片。为了保证这些组件的散热,需要利用封装底部的散热垫,并通过印刷电路板上的多个过孔将热量传导到大面积的铜平面上。
LT8709需要两个外部功率MOSFET,其功率损耗包括DC和AC两部分。通过计算MOSFET的导通电阻、栅极 - 漏极电荷、体二极管正向电压等参数,可以估算出MOSFET的功率损耗。
LT8709芯片的功率损耗主要来自INTVCC LDO、INTVEE LDO和输入静态电流。根据不同的拓扑结构,可以计算出芯片的功率损耗,并通过热阻和环境温度计算出芯片的结温。
当芯片温度达到约175°C时,芯片将进入复位状态,功率开关将关闭,软启动电容将放电,INTVCC和INTVEE稳压器的电流限制将降为0。当芯片温度下降约5°C时,芯片将恢复正常工作。
为了保证环路稳定性和提供足够的电流给负载,外部功率NFET的占空比必须在一定范围内。文档中给出了不同拓扑结构下的占空比计算公式。
选择合适的电感对于提高效率至关重要。电感应具有高频核心材料、低DCR和足够的电流承载能力。同时,需要考虑电感的最小和最大电感值,以避免出现负载电流不足、次谐波振荡和电流比较器误触发等问题。
选择功率MOSFET时,需要考虑击穿电压、栅极阈值电压、导通电阻、总栅极电荷、关断延迟时间等参数。逻辑电平MOSFET是必需的,并且要确保MOSFET在合适的工作区域内,以避免损坏。
输入和输出电容用于抑制电压纹波,通常采用多个电容并联的方式来实现高电容和低ESR。文档中给出了不同拓扑结构下输入和输出电容的计算公式。
为了保证LT8709的稳定和高效运行,需要对反馈环路进行补偿。可以通过连接一个串联电阻电容网络和一个可选的单个电容从VC引脚到 -VIN 来实现补偿。通过调整补偿电阻的值,可以优化电路的瞬态响应。
LT8709的反馈环路包括一个快速电流环路和一个慢速电压环路。通过标准的波特图分析,可以理解和调整电压反馈环路。文档中给出了负降压转换器的等效模型和DC增益、极点和零点的计算公式。
文档中给出了多个典型应用案例,包括250kHz、 -16V至 -30V输入到 -12V输出的负降压转换器,200kHz、 -4.5V至 -42V输入到5V/4A输出的负反相转换器等。每个案例都详细列出了组件值、效率和功率损耗曲线以及瞬态响应曲线,为工程师提供了实际的设计参考。
LT8709是一款功能强大的负输入同步多拓扑DC/DC控制器,具有宽输入范围、轨到轨输出电流监测和控制、多种工作模式等优点。通过合理选择组件和优化布局,可以实现高效、稳定的电源设计。在实际应用中,工程师需要根据具体的需求和参数要求,仔细设计和调试电路,以确保系统的性能和可靠性。你在使用LT8709的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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