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在电子设计领域,电源管理芯片的性能直接影响着整个系统的稳定性和效率。今天,我们就来深入探讨一款备受关注的芯片——MAX17558,一款60V双输出同步降压控制器。
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MAX17558是一款驱动nMOSFET的双输出同步降压控制器,采用了峰值电流模式、恒定频率架构,最高可运行至2.2MHz。它既可以配置为两个单相、独立的10A电源,也能作为一个双相、单输出的20A电源。其独特的180°异相运行能力,能有效降低因输入电容ESR导致的功率损耗和噪声。
这款芯片支持两种电流检测方式,既可以使用外部电流检测电阻以确保高精度,也能采用电感DCR来提高系统效率。在短路情况下,电流折返功能可限制MOSFET的功耗。此外,它还为每个输出提供独立的可调软启动功能,能够在预偏置输出的情况下实现单调启动。根据不同的需求,芯片可以配置为PWM或DCM工作模式。
MAX17558的工作温度范围为 -40°C至 +125°C,采用无铅、32引脚TQFN封装,尺寸为5mm x 5mm,带有裸露焊盘,适用于工业电源、分布式直流电源系统、运动控制、可编程逻辑控制器和计算机数控等多种应用场景。
输入电压范围为4.5V至60V,不同工作条件下的工作电源电流和关断电源电流也有相应的规定。例如,在特定条件下,工作电源电流的典型值为1.5mA,关断电源电流的典型值为10µA。
VCCINT输出电压在不同输入电压和负载电流条件下保持稳定,其负载调节率、短路输出电流、压差电压等参数也都有明确的规定。例如,在6V < VIN < 60V,IVCCINT = 1mA的条件下,VCCINT输出电压的典型值为5.1V。
开关频率可通过RT引脚进行编程,范围为100kHz至2.2MHz。不同RT值对应的开关频率也不同,例如,当RT = 62k时,开关频率的典型值为440kHz。
芯片的栅极驱动器、软启动、使能、电流检测放大器、电流限制、误差放大器、功率良好输出和热关断等方面也都有详细的电气特性参数。例如,DH_至BST_的导通电阻在提供100mA电流时的典型值为1.3Ω。
不同输出电压和输入电压条件下,芯片的效率与输出电流的关系曲线展示了其在不同负载情况下的效率表现。例如,在VOUT = 5V,PWM模式下,当输入电压为12V、24V和36V时,效率随着输出电流的变化而变化。
轻载时,电感电流的波形和特性对于理解芯片的工作状态和效率优化非常重要。例如,在VIN = 24V,VOUT = 3.3V,IOUT = 0.3A的条件下,电感电流的波形展示了其在轻载时的特点。
芯片的启动特性、负载瞬态响应、过流保护、短路保护、闭环波特图等方面的典型工作特性也都有详细的图表和数据展示,帮助工程师更好地了解芯片的性能。
MAX17558采用32引脚TQFN封装,每个引脚都有特定的功能。例如,CS1 - 和CS2 - 分别是控制器1和控制器2的电流检测放大器负输入,RT引脚用于开关频率编程,SEL_PH引脚用于相位选择等。
芯片内部有两个100mA的低压差(LDO)线性稳压器为VCCINT供电。根据VCCEXT的电压水平,其中一个稳压器会处于工作状态。当VCCEXT电压大于4.7V(典型值)时,VCCINT由VCCEXT稳压器供电;当VCCEXT低于4.55V(典型值)时,VCCINT由IN稳压器供电。VCCINT输出电压为栅极驱动器和内部控制电路供电,并且需要通过至少一个4.7µF的低ESR陶瓷电容与PGND去耦。
低侧外部MOSFET栅极驱动器由VCCINT供电。在正常工作条件下,低侧栅极驱动器输出(DL)始终是高侧栅极驱动器输出(DH)的互补信号。芯片内部的专用电路会监控DH_和DL_输出,确保在另一个栅极驱动信号完全关闭后,才允许该栅极驱动信号开启,避免上下管同时导通。
高侧栅极驱动器由连接在BST_和LX_之间的自举电容供电。在每个开关周期中,当低侧MOSFET导通时,自举电容通过外部肖特基二极管充电至VCCINT。通过闭合BST_和DH_之间的内部开关,为高侧MOSFET提供必要的栅源电压,使其导通。
芯片的两个控制器可以通过EN1和EN2引脚独立关断和启用。将这些引脚拉低至1.25V(典型值)以下会关闭相应的控制器,将两个引脚都拉低至0.7V以下会禁用两个控制器和大多数内部电路,此时芯片的静态电流仅为10µA(典型值)。启动时,每个控制器的输出电压由相应的SS_引脚电压控制。通过在SS_引脚连接外部电容到GND,可以编程输出电压的软启动时间。
MAX17558可以配置为不连续导通(DCM)模式以提高轻载效率,或固定频率脉宽调制(PWM)模式。选择DCM模式时,将SKIP引脚连接到1.25V至VCCINT - 1.5V之间的直流电压;选择PWM模式时,将SKIP引脚连接到VCCINT。
开关频率的选择需要在效率和元件尺寸之间进行权衡。通过RT引脚可以将芯片的开关频率编程在100kHz至2.2MHz之间。例如,将RT连接到VCCINT可设置默认开关频率为535kHz,连接到GND可设置为350kHz。
通过SEL_PH引脚,用户可以配置芯片两个输出通道之间的相移。相移为180°时,可降低输入和输出电容的RMS电流,减少输入电压纹波。
当输出电压超过其标称值的10%时,输出过压保护电路会关闭高侧MOSFET,直到过压情况消除。低侧MOSFET的状态取决于所选的工作模式。
PGOOD_引脚为开漏输出,当相应的FB_引脚电压超出0.8V参考电压的±10%时,PGOOD_引脚会拉低。在软启动期间,PGOOD_引脚也为低电平。
在过载情况下,当输出电压降至其标称值的70%以下时,折返电流限制功能会被激活,逐渐降低电感峰值电流。
芯片根据ILIM引脚设置提供逐周期峰值电流限制。ILIM是一个三级逻辑输入,不同的ILIM引脚配置对应不同的逐周期峰值正电流限制阈值和电流检测放大器增益。
芯片支持在预偏置输出电压下单调启动。启动时,如果FB_引脚电压高于SS_引脚电压,高侧MOSFET会保持关闭,低侧MOSFET会每10个时钟周期导通150ns以刷新自举电容。
对于降压转换器,需要根据输出电压、最大负载电流、电感直流电阻、最大开关频率、MOSFET导通电阻、最小关断时间和最小导通时间等参数来计算最小和最大工作输入电压。
当芯片的结温超过 +160°C时,热过载保护功能会关闭芯片,待结温下降20°C后,芯片会重新启动并进行软启动。
EN_引脚可作为输入欠压锁定检测器,通过连接电阻分压器到相应的EN_引脚,可以设置每个控制器的启动输入电压。
通过连接电阻分压器到FB_引脚,可以设置每个控制器的输出电压。需要根据FB_泄漏电流和所需的输出电压偏移来选择合适的电阻值。
通过在SS_引脚连接电容到GND,可以编程软启动时间。内部5µA电流源会对电容充电,为输出电压参考提供线性斜坡电压。
选择输出电感时,需要考虑电感值、电感饱和电流和直流电阻三个关键参数。根据电感峰 - 峰纹波交流电流与直流平均电流的比值、开关频率、输入电压、输出电压和负载电流等因素来计算所需的电感值。
CS + 和CS - 引脚是内部电流检测放大器的输入,其共模工作电压范围为0至24V。可以使用外部电流检测电阻或电感DCR进行电流检测,根据所选的电流限制阈值、最大负载电流和电感纹波电流等参数来计算所需的电流检测电阻值。
输入滤波电容可减少从电源汲取的峰值电流,降低电路开关引起的输入噪声和电压纹波。使用低ESR陶瓷电容,并根据输入纹波、负载电流、效率和开关频率等参数来计算所需的输入电容值。
输出电容的关键选择参数包括电容值、ESR和电压额定值。稳态输出纹波由两部分组成,分别是由于ESR引起的输出电压降和由于电荷存储变化引起的电压变化。根据这些因素来计算所需的输出电容和ESR值。
芯片使用内部跨导误差放大器,其反相输入和输出可供用户进行外部频率补偿。通过选择合适的补偿电阻和电容,可以确保环路的稳定性。
根据所选的高侧nMOSFET的总栅极电荷和允许的电压变化,来选择合适的自举电容值。建议使用低ESR陶瓷电容,最小电容值为100nF。
每个控制器驱动两个外部逻辑电平n沟道MOSFET,选择这些MOSFET时,需要考虑导通电阻、最大漏源电压、米勒平台电压、总栅极电荷、输出电容、功率耗散额定值和封装热阻等参数。
需要计算芯片内部的功率耗散,包括栅极电荷损耗和其他损耗。根据不同的供电方式,使用相应的公式计算芯片的近似损耗,并确保芯片的结温不超过 +125°C。
PCB布局对于实现低损耗、低输出噪声和稳定的操作至关重要。需要注意输入旁路电容、肖特基二极管、自举电容的放置,以及高速开关节点与敏感模拟区域的隔离等。同时,要确保栅极电流走线短而宽,电流检测走线短且差分布线。
文档中还给出了多种典型应用电路,如基于电阻电流检测的宽输入电压、高效5V和3.3V输出降压转换器,基于电感DCR电流检测的宽输入电压、高效5V和3.3V输出降压转换器,以及基于电阻电流检测的宽输入电压、高效双相3.3V、20A输出降压转换器等。这些电路为工程师提供了实际应用的参考。
MAX17558是一款功能强大、性能优越的60V双输出同步降压控制器,适用于多种工业和电源管理应用。通过深入了解其特性、工作原理和应用信息,工程师可以更好地利用这款芯片设计出高效、稳定的电源系统。在实际应用中,你是否遇到过类似芯片的使用问题?你又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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