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在电子设备的电源管理领域,降压调节器扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍一款高性能的同步降压调节器——LT8614,它在诸多方面展现出卓越的性能,能满足不同应用场景的需求。
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LT8614是一款采用Silent Switcher架构的单芯片、恒定频率、电流模式降压DC/DC转换器,具备超低EMI辐射和高转换效率的特点。它采用3mm×4mm QFN封装,集成了功率开关和必要的电路,有效减小了PCB占用面积。其输入电压范围为3.4V至42V,适用于多种电源环境,并且在轻载时具有超低的2.5µA静态电流,能显著提高系统效率。
当BIAS引脚连接到高于3.1V的电压时,内部稳压器将从该引脚获取电流,而不是从VIN获取。对于3.3V至30V的输出电压,该引脚应连接到Vout。若连接到其他电源,需在该引脚使用1µF的本地旁路电容;若没有可用电源,则连接到GND。
这是内部3.4V稳压器的旁路引脚,为内部功率驱动器和控制电路供电。其最大输出电流为20mA,不要用外部电路加载该引脚。当BIAS > 3.1V时,INTVCC电流将由BIAS提供;否则,将从VIN获取电流。在BIAS为3.0V至3.6V时,INTVCC电压将在2.8V至3.4V之间变化,需用至少1μF的低ESR陶瓷电容将该引脚与电源地去耦。
用于为顶部功率开关提供高于输入电压的驱动电压,需在靠近IC处放置一个0.1µF的升压电容。
LT8614需要两个1µF的小输入旁路电容,分别连接在VIN1/GND1和VIN2/GND2之间,且这些电容应尽可能靠近LT8614。此外,还需在靠近LT8614处放置一个2.2µF或更大的电容,其正极端连接到VIN1和VIN2,负极端连接到地。
这两个引脚是内部底部功率开关的返回路径,必须连接在一起。输入电容的负极端应尽可能靠近GND1和GND2引脚,并将它们连接到接地平面。
是内部功率开关的输出端,应将这些引脚连接在一起,并连接到电感器和升压电容。为了获得良好的性能和低EMI,该节点在PCB上应尽量小。
当该引脚为低电平时,LT8614关闭;为高电平时,处于工作状态。其滞后阈值电压上升时为1.00V,下降时为0.96V。若不使用关闭功能,可将其连接到VIN;也可使用外部电阻分压器从VIN编程一个VIN阈值,当VIN低于该阈值时,LT8614将关闭。
通过在RT引脚和地之间连接一个电阻来设置开关频率。
用于输出跟踪和软启动。当TR/SS电压低于0.97V时,LT8614将调节FB引脚电压等于TR/SS引脚电压;当TR/SS高于0.97V时,跟踪功能禁用,内部参考恢复对误差放大器的控制。内部有一个2.2μA的上拉电流,可通过连接电容来编程输出电压的上升速率。在关闭和故障条件下,该引脚通过内部230Ω的MOSFET拉至地;若从低阻抗输出驱动,需使用串联电阻。若不需要跟踪功能,该引脚可悬空。
用于外部时钟同步输入。接地时,在低输出负载下实现低纹波Burst Mode操作;连接到时钟源时,可同步到外部频率;施加3V或更高的直流电压或连接到INTVCC时,进入脉冲跳过模式。在脉冲跳过模式下,静态电流将增加到几百µA,该引脚不能悬空。
是内部比较器的开漏输出。当FB引脚电压在最终调节电压的±9%范围内且无故障条件时,PG保持低电平。当VIN高于3.4V时,无论EN/UV引脚状态如何,PG都有效。
LT8614将FB引脚调节到0.970V,应将反馈电阻分压器的抽头连接到该引脚,并在FB和Vout之间连接一个4.7pF至22pF的相位超前电容。
暴露焊盘应连接并焊接到SW走线,以获得良好的热性能。若因制造限制,引脚21和22可断开,但热性能会下降。
LT8614的振荡器通过RT引脚的电阻设置频率,在每个时钟周期开始时开启内部顶部功率开关。电感器中的电流随后增加,直到顶部开关电流比较器触发并关闭顶部功率开关。顶部开关关闭时的峰值电感电流由内部VC节点的电压控制。误差放大器通过比较VFB引脚电压与内部0.97V参考电压来调节VC节点。当负载电流增加时,反馈电压相对于参考电压降低,误差放大器提高VC电压,直到平均电感电流与新的负载电流匹配。顶部功率开关关闭后,同步功率开关开启,直到下一个时钟周期开始或电感电流降至零。
在轻载情况下,LT8614采用Burst Mode操作。在脉冲之间,所有与控制输出开关相关的电路都关闭,将输入电源电流降低到1.7μA。在典型应用中,无负载调节时,输入电源消耗的电流为2.5μA。通过将SYNC引脚接地可使用Burst Mode操作,连接到逻辑高电平可使用脉冲跳过模式。若将时钟应用于SYNC引脚,器件将同步到外部时钟频率并以脉冲跳过模式运行。
为提高所有负载下的效率,当BIAS引脚偏置在3.3V或以上时,内部电路的电源电流可从该引脚获取;否则,内部电路将从VIN获取电流。若LT8614输出编程为3.3V或以上,BIAS引脚应连接到Vout。
比较器监控FB引脚电压,若输出电压与设定点的偏差超过±9%(典型值)或存在故障条件,PG引脚将拉低。
当FB引脚电压较低时,振荡器会降低LT8614的工作频率。这种频率折返有助于在输出电压低于编程值(如启动或过流条件)时控制电感电流。当时钟应用于SYNC引脚或SYNC引脚保持直流高电平时,频率折返功能禁用,仅在过流条件下开关频率会减慢。
为实现最佳性能,LT8614需要使用多个VIN旁路电容。两个1µF的小电容应尽可能靠近LT8614,分别连接到VIN1/GND1和VIN2/GND2;一个2.2µF或更大的电容应放置在VIN1或VIN2附近。输入电容、电感器和输出电容应放置在电路板的同一侧,其连接应在该层完成。在应用电路下方的最接近表面层放置一个局部、连续的接地平面,SW和BOOST节点应尽量小,FB和RT节点也应保持小尺寸,以避免受到SW和BOOST节点的干扰。封装底部的暴露焊盘应焊接到SW,以降低热阻。
LT8614在轻载时采用低纹波Burst Mode操作,通过向输出电容提供单小电流脉冲,然后进入睡眠模式,由输出电容提供输出功率,从而将输入静态电流和输出电压纹波降至最低。随着输出负载降低,单电流脉冲的频率降低,LT8614处于睡眠模式的时间增加,提高了轻载效率。为了实现更高的轻载效率,可使用较大值的电感器(如4.7µH),以在单小脉冲期间向输出传递更多能量,使LT8614在脉冲之间能更长时间处于睡眠模式。
输出电压通过输出和FB引脚之间的电阻分压器进行编程,推荐使用1%的电阻以保持输出电压的准确性。若需要低输入静态电流和良好的轻载效率,应使用较大值的FB电阻分压器,以减少反馈电阻分压器中的电流对输出负载的影响。同时,在使用大FB电阻时,应在Vout和FB之间连接一个4.7pF至22pF的相位超前电容。
在输出电压高于10V的应用中,需参考应用笔记AN - 2582中的反向电流考虑部分。
LT8614采用恒定频率PWM架构,可通过在RT引脚和地之间连接电阻将开关频率编程为200kHz至3MHz。所需的RT电阻值可通过公式 (R{T}=frac{46.5}{f{SW}} - 5.2) 计算,其中RT单位为kΩ,fsw为所需的开关频率,单位为MHz。
工作频率的选择需要在效率、组件尺寸和输入电压范围之间进行权衡。高频操作的优点是可以使用较小的电感器和电容器值,但缺点是效率较低且输入电压范围较小。对于给定应用,最高开关频率 (f{SW(MAX)}) 可通过公式 (f{SW(MAX)}=frac{V{OUT}+V{SW(BOT)}}{t{ON(MIN)}(V{IN}-V{SW(TOP)}+V{SW(BOT)})}) 计算。在瞬态操作中,无论RT值如何,VIN可能高达绝对最大额定值42V,LT8614会根据需要降低开关频率以保持电感电流的控制,确保安全操作。
LT8614允许根据应用的输出负载要求选择电感器,在过载或短路条件下,通过高速峰值电流模式架构安全地承受电感器饱和。电感器的初始选择值可通过公式 (L=frac{V{OUT}+V{SW(BOT)}}{f_{SW}}) 计算。为避免过热和低效率,电感器的RMS电流额定值应大于应用的最大预期输出负载,饱和电流额定值应高于负载电流加上电感纹波电流的一半。LT8614通过限制峰值开关电流来保护开关和系统免受过载故障的影响,最大输出电流取决于开关电流限制、电感器值以及输入和输出电压。
为获得最佳性能,LT8614的VIN应使用至少三个陶瓷电容器进行旁路。两个1µF的小陶瓷电容器应靠近器件放置,分别连接到VIN1/GND1和VIN2/GND2;一个2.2µF或更大的陶瓷电容器应放置在VIN1或VIN2附近。推荐使用X7R或X5R电容器,以在温度和输入电压变化时保持良好的性能。当使用较低的开关频率时,需要更大的输入电容;若输入电源具有高阻抗或存在长导线或电缆导致的显著电感,则可能需要额外的大容量电容。
输出电容器的主要功能是与电感器一起过滤LT8614产生的方波,以产生直流输出,并存储能量以满足瞬态负载和稳定控制回路。陶瓷电容器具有极低的等效串联电阻(ESR),能提供最佳的纹波性能。推荐使用X5R或X7R类型的电容器,以获得低输出纹波和良好的瞬态响应。增加输出电容可降低输出电压纹波,但可能会增加成本和占用空间;减小输出电容可节省空间和成本,但可能会影响瞬态性能并导致环路不稳定。
陶瓷电容器虽然具有小尺寸、高鲁棒性和低ESR的优点,但由于其压电特性,在Burst Mode操作时,LT8614的开关频率取决于负载电流,在非常轻的负载下,可能会在音频频率下激发陶瓷电容器,产生可听噪声。若这种噪声不可接受,可使用高性能钽或电解电容器作为输出电容,也可选择低噪声陶瓷电容器。此外,陶瓷输入电容器与走线或电缆电感形成的高品质(欠阻尼)谐振电路,在将LT8614电路插入带电电源时,输入电压可能会振荡到标称值的两倍,可能超过LT8614的电压额定值,可参考应用笔记88避免这种情况。
当EN引脚为低电平时,LT8614处于关闭状态;为高电平时,处于工作状态。EN比较器的上升阈值为1.0V,具有40mV的滞后。若不使用关闭功能,可将EN引脚连接到VIN;若需要关闭控制,可将其连接到逻辑电平。通过从VIN到EN添加电阻分压器,可编程LT8614仅在VIN高于所需电压时调节输出。在轻载电流的Burst Mode操作中,VIN(EN)电阻网络中的电流可能容易大于LT8614消耗的电源电流,因此VIN(EN)电阻应选择较大值,以最小化其对低负载效率的影响。
内部低压差(LDO)稳压器从VIN产生3.4V电源,为驱动器和内部偏置电路供电。INTVCC必须用至少1μF的陶瓷电容器旁路到地,以提供功率MOSFET栅极驱动器所需的高瞬态电流。为提高效率,当BIAS引脚电压为3.1V或更高时,内部LDO也可从该引脚获取电流。通常,BIAS引脚可连接到LT8614的输出或外部3.3V或更高的电源。若BIAS连接到除Vout以外的电源,需使用本地陶瓷电容器进行旁路。若BIAS引脚低于3.0V,内部LDO将从VIN消耗电流。在高输入电压和高开关频率的应用中,内部LDO从VIN获取电流会增加芯片温度,因为LDO上的功率损耗更高。不要将外部负载连接到INTVCC引脚。
LT8614允许用户通过TR/SS引脚编程输出电压的上升速率。内部2.2μA的上拉电流将TR/SS引脚拉至INTVCC,通过在TR/SS引脚上连接外部电容可实现输出软启动,防止输入电源上的电流浪涌。在软启动过程中,输出电压将与TR/SS引脚电压成比例跟踪。对于输出跟踪应用,TR/SS可由另一个电压源外部驱动。当TR/SS电压在0V至0.97V之间时,TR/SS电压将覆盖误差放大器的内部0.97V参考输入,从而将FB引脚电压调节到TR/SS引脚电压;当TR/SS高于0.97V时,跟踪功能禁用,反馈电压将调节到内部参考电压。若不需要该功能,TR/SS引脚可悬空。在故障条件下,连接到TR/SS引脚的有源下拉电路将对外部软启动电容进行放电,当故障清除时,重新开始上升。
当LT8614的输出电压在调节点的±9%范围内(即VFB电压在0.883V至1.057V之间,典型值)时,输出电压被认为是良好的,开漏PG引脚变为高阻抗,通常通过外部电阻上拉;否则,内部下拉器件将PG引脚拉低。为防止干扰,上下阈值均包含1.2%的滞后。在EN/UV引脚低于1V、INTVCC过低、VIN过低或热关断等故障条件
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