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2026-03-10
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描述
深度解析LT8705:高性能同步4开关Buck - Boost DC/DC控制器
在电子设计领域,电源管理芯片的性能直接影响着整个系统的稳定性和效率。今天,我们来深入探讨Linear Technology公司的LT8705,一款高性能的同步4开关Buck - Boost DC/DC控制器。
文件下载:LT8705.pdf
一、产品概述
LT8705是一款能在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下稳定工作的开关稳压器控制器。它具有集成的输入电流、输入电压、输出电流和输出电压反馈环路,输入电压范围为2.8V(需(EXTV_{CC}>6.4V))至80V,输出电压范围为1.3V至80V,适用于大多数太阳能、汽车、电信和电池供电系统。
1.1 主要特性
- 单电感设计:允许(V{IN})高于、低于或等于调节后的(V{OUT}),极大地增强了设计的灵活性。
- 宽电压范围:(V{IN})范围2.8V - 80V,(V{OUT})范围1.3V - 80V,能适应多种不同的电源环境。
- 四N沟道MOSFET栅极驱动器:为功率开关提供强大的驱动能力。
- 同步整流:效率高达98%,有效降低功耗。
- 输入和输出电流监测引脚:方便实时监测电流情况。
- 可同步固定频率:范围从100kHz到400kHz,可根据实际需求进行调整。
- 集成反馈环路:包含输入电流、输入电压、输出电流和输出电压反馈环路,提高了系统的稳定性和控制精度。
- 时钟输出:可用于监测芯片温度,为系统的热管理提供依据。
- 多种封装形式:提供38引脚(5mm × 7mm)QFN和TSSOP封装,TSSOP封装经过改进,适用于高压操作。
二、电气特性
2.1 电压供应和调节器
- (V_{IN})工作电压范围:当(EXTV{CC}=0V)时,(V{IN})范围为5.5V - 80V;当(EXTV{CC}=7.5V)时,(V{IN})范围为2.8V - 80V。
- (V_{IN})静态电流:不开关时,(V{EXTVCC}=0),静态电流为2.65 - 4.2mA;关机时,(V{SHDN}=0V),静态电流为0 - 1µA。
- (EXTV_{CC})切换电压:典型值为6.4V,切换滞后为0.18V。
- (INTV_{CC})电流限制:从(INTV_{CC})和LDO33引脚组合的最大电流汲取,受输入电压和负载影响。
- (INTV_{CC})电压调节:从(V{IN})或(EXTV{CC})调节,输出电压典型值为6.35V。
- LDO33引脚电压:输出电压为3.23 - 3.35V,负载调节范围为 - 0.25% - 1%。
2.2 开关稳压器控制
- 最大电流检测阈值:在升压模式和降压模式下,不同型号(如LT8705E、LT8705I、LT8705H、LT8705MP)有不同的阈值。
- SHDN输入电压:高电平阈值为1.184 - 1.284V,低电平阈值因型号而异。
- SWEN上升阈值电压:典型值为1.206V,阈值滞后为22mV。
- MODE引脚:可选择强制连续模式、突发模式或不连续模式。
2.3 电压调节器环路
- FBOUT和FBIN调节电压:典型值分别为1.207V和1.205V,线路调节率为0.002 - 0.005%/V。
- SRVO引脚激活阈值:用于指示反馈环路的激活状态。
2.4 电流调节环路
- IMON_IN和IMON_OUT调节电压:典型值为1.208V,线路调节率为0.002 - 0.005%/V。
- SRVO_IIN和SRVO_IOUT激活阈值:用于指示输入和输出电流反馈环路的激活状态。
2.5 NMOS栅极驱动器
- 上升和下降时间:典型值为20ns,确保快速的开关动作。
- 开关延迟时间:如TG1关到BG1开的延迟为100ns,保证开关的协调工作。
2.6 振荡器
- 开关频率范围:100 - 400kHz,可通过RT引脚电阻或SYNC引脚同步。
- SYNC信号要求:高电平为1.3V,低电平为0.5V,占空比为20 - 80%。
- CLKOUT输出:可用于同步其他设备,其占空比与芯片温度成正比。
三、工作原理
3.1 主控制环路
LT8705是一款电流模式控制器,通过电感电流感测电阻((R{SENSE}))在降压或升压模式下工作。电感电流由(V{C})引脚电压控制,(V{C})是误差放大器EA1 - EA4的二极管与输出。当输出电压变化时,(V{C})电压相应调整,从而控制输出电流。
3.2 电源供应
- (INTV{CC}/EXTV{CC}/GATEV_{CC}/LDO33)电源:(INTV{CC})通常调节到6.35V,可由(V{IN})或(EXTV{CC})供电。当(EXTV{CC}>6.4V)时,由(EXTV{CC})供电;否则由(V{IN})供电。(GATEV{CC})直接为底部MOSFET驱动器供电,应连接到(INTV{CC})。LDO33引脚可提供3.3V电源,为外部组件供电。
3.3 启动过程
- 芯片关闭状态:当SHDN引脚电压低于0.35V(LT8705E、LT8705I)或0.3V(LT8705H、LT8705MP)时,芯片关闭,静态电流最小。
- 开关关闭状态:当SHDN引脚电压高于1.234V时,(INTV_{CC})和LDO33调节器启用,但开关仍关闭。
- 初始化状态:当SWEN引脚电压高于1.206V,(INTV{CC})和(GATEV{CC})高于4.81V,LDO33引脚高于3.08V时,开关开始启动。
- 软启动状态:SS引脚放电至小于50mV后,软启动开始,通过逐渐增加(V_{C})电压,实现电感电流的逐渐上升,避免输入电源的电流冲击。
- 正常模式:当SS引脚电压高于1.6V且无故障条件时,进入正常工作模式。
3.4 故障条件
当出现过压(IMON_IN或IMON_OUT > 1.61V)等故障时,CLKOUT引脚和内部开关活动停止,SS引脚充电至1.6V以上。故障消除后,SS引脚缓慢放电至50mV,然后重新进入软启动状态。
3.5 功率开关控制
- 降压区域((V{IN} gg V{OUT})):开关M3始终关闭,开关M4在突发模式或不连续模式下检测到反向电流时关闭。同步开关M2首先开启,电感电流由放大器A5感测,与参考电压比较后控制开关M2和M1的交替工作。
- 降压 - 升压区域((V{IN} cong V{OUT})):控制器根据开关状态在降压和升压模式之间切换。
- 升压区域((V{IN} ll V{OUT})):开关M1始终开启,开关M2始终关闭。开关M3首先开启,电感电流由放大器A5感测,与参考电压比较后控制开关M3和M4的交替工作。
3.6 轻负载电流操作
- 不连续模式:检测到电感中的反向电流时,同步开关M4关闭,防止电流从输出端流向输入端。
- 突发模式:通过设置(V_{C})阈值,在轻负载时抑制开关活动,提高效率。
- 强制连续模式:允许电感电流反向流动,在软启动期间强制进入不连续模式,防止电流从输出端流向输入端。
3.7 电压调节环路
- 输出电压调节:通过FBOUT引脚接收输出电压反馈信号,与内部参考电压比较,调整(V_{C})电压,实现输出电压的稳定调节。
- 输入电压调节:通过FBIN引脚接收输入电压反馈信号,当输入电压过低时,降低(V_{C})电压,减少输入电流。
3.8 电流监测和调节
- 输入电流监测:通过CSPIN和CSNIN引脚感测输入电流,将其转换为与输入电流成正比的电压(V_{IMON_IN})。
- 输出电流监测:通过CSPOUT和CSNOUT引脚感测输出电流,将其转换为与输出电流成正比的电压(V_{IMON_OUT})。
- 电流限制:当(V_{IMONIN})或(V{IMONOUT})超过1.208V时,降低(V{C})电压,限制输入和输出电流。
3.9 SRVO引脚
QFN封装的LT8705具有四个开漏SRVO引脚(SRVO_FBIN、SRVO_FBOUT、SRVO_IIN、SRVO_IOUT),可用于指示相应反馈环路的激活状态。
3.10 CLKOUT和温度传感
CLKOUT引脚以LT8705的内部时钟频率切换,可用于同步其他设备。其占空比与芯片温度成正比,可用于监测芯片的热状态。
四、应用信息
4.1 工作频率选择
- 内部振荡器:通过RT引脚电阻设置自由运行频率,计算公式为(f{OSC}=left(frac{43,750}{R{T}+1}right)kHz)。
- SYNC引脚同步:可将工作频率同步到外部时钟源,SYNC信号的占空比应在20 - 80%之间,频率应在100 - 400kHz范围内。
- CLKOUT引脚同步:CLKOUT引脚可用于同步其他LT8705调节器,实现约180°的相位差。
4.2 电感电流感测和斜率补偿
- 电感电流感测:通过CSP和CSN引脚感测电感电流,在升压区域感测峰值电流,在降压区域感测谷值电流。
- 斜率补偿:内部斜率补偿电路通过在升压区域增加补偿斜坡,在降压区域减去斜坡,防止高占空比下的次谐波振荡。
4.3 (R_{SENSE})选择和最大电流
- 升压区域:根据最大输出电流和电感纹波电流,计算最大允许的(R_{SENSE})电阻值。
- 降压区域:根据最小占空比和电感纹波电流,计算最大允许的(R_{SENSE})电阻值。
- 最终(R_{SENSE})值:选择小于升压和降压区域最大允许值的(R_{SENSE})电阻,并留30%以上的余量。
4.4 电感选择
- 提供足够的负载电流:在升压区域,选择合适的电感值,以确保在低(V_{IN})电压下提供足够的负载电流。
- 避免次谐波振荡:选择电感值大于防止次谐波振荡所需的最小值。
- 最大电流额定值:选择电感的额定电流大于其峰值工作电流,防止电感饱和。
4.5 功率MOSFET选择和效率考虑
- 参数选择:选择具有合适击穿电压、阈值电压、导通电阻、反向传输电容和最大电流的N沟道功率MOSFET。
- 功率耗散:考虑MOSFET的功率耗散,避免过热。可通过并联多个MOSFET降低单个器件的功率耗散,但要注意并联电容对开关速度的影响。
- 开关M1:功率耗散主要来自导通时的(I^{2}R)损耗和开关过程中的功率损耗。
- 开关M2:在降压区域,(I^{2}R)损耗占主导。
- 开关M3:在升压和降压 - 升压区域,功率耗散来自(I^{2}R)损耗和开关功率损耗。
- 开关M4:在升压区域,(I^{2}R)损耗占主导。
- 栅极电阻:在某些情况下,可在NMOS栅极引脚和LT8705的栅极驱动器引脚之间添加1 - 10Ω的电阻,减少开关节点的振铃,但要注意电阻过大对性能的影响。
4.6 (C{IN})和(C{OUT})选择
- 输入电容:选择具有低ESR和足够电容的电容,以抑制输入电压纹波。在降压区域,输入电流不连续,需确保电容网络能处理最大RMS电流。
- 输出电容:选择具有低ESR和足够电容的电容,以减少输出电压纹波。考虑ESR和电容对输出纹波的影响。
4.7 肖特基二极管(D1、D2)选择
选择具有低反向泄漏电流和合适反向电压额定值的肖特基二极管,以减少反向恢复电流,提高转换器效率。
4.8 顶部MOSFET驱动器电源
- 自举电容:选择合适的自举电容,存储足够的电荷,为顶部MOSFET驱动器提供稳定的电源。
- 升压二极管:推荐使用硅二极管,确保其反向击穿电压高于(V{IN(MAX)})和(V{OUT(MAX)}),并具有低反向泄漏电流。
4.9 输出电压设置
通过外部反馈电阻分压器设置输出电压,计算公式为(V{OUT}=1.207V cdotleft(1+frac{R{FBOUT1}}{R_{FBOUT2}}right))。
4.10 输入电压调节或欠压锁定
通过连接电阻分压器到FBIN引脚,可实现输入电压调节或欠压锁定功能。
4.11 输入/输出电流监测和限制
- 电流监测:通过CSPIN/CSNIN和CSPOUT/CSNOUT引脚感测输入和输出电流,将其转换为与电流成正比的电压。
- 电流限制:通过设置(R_{IMONIN})和(R{IMON_OUT})电阻,实现输入和输出电流的限制。
- 过流故障:当(IMON_IN)或(IMON_OUT)超过1.61V时,触发故障,停止开关活动。
4.12 (INTV{CC})调节器和(EXTV{CC})连接
- (INTV_{CC})调节器:由(V{IN})或(EXTV{CC})供电,自动根据(EXTV_{CC})电压选择。
- (EXTV_{CC})连接:可选择将(EXTV{CC})接地、连接到(V{OUT})或外部电源,以提高效率。
4.13 环路补偿
选择合适的(V{C})电阻和电容,以确保控制环路的稳定性。通常,(V{C})串联电容为3.3nF,并联电容为其1/10,串联电阻为20k。
4.14 LDO33引脚调节器
LDO33引脚可提供3.3V电源,为外部组件供电。输入电源为(INTV_{CC}),具有过流保护和欠压锁定功能。
4.15 电压锁定
LT8705包含多个电压检测器,确保芯片在正常工作条件下运行。可通过SHDN、SWEN和FBIN引脚实现可配置的欠压锁定功能。
4.16 电感电流感测滤波
在某些应用中,可通过添加RC网络对电感电流感测信号进行滤波,减少开关噪声的影响。
4.17 结温测量
通过测量CLKOUT信号的占空比,可近似计算芯片的结温,计算公式为(T{J} cong frac{DC{CLKOUT}-35.9%}{0.329%})。
4.18 热关断
当芯片结温达到约165°C时,进入热关断
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