电子说
在电子设计领域,电源管理是至关重要的一环。一款性能卓越的降压控制器能够为系统提供稳定、高效的电源供应。LTC3879作为一款同步降压开关稳压器控制器,以其高开关频率、快速瞬态响应等特性,在分布式电源系统、嵌入式计算、通信基础设施等众多领域得到广泛应用。本文将深入探讨LTC3879的特性、工作原理、应用信息以及设计要点,为电子工程师们提供全面的参考。
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LTC3879支持4V至38V的宽输入电压范围,这使得它能够适应多种不同的电源环境。无论是低电压的电池供电系统,还是高电压的工业电源,LTC3879都能稳定工作。
具备±1%的0.6V电压参考,为输出电压的精确控制提供了保障。这使得在不同的负载和输入电压条件下,输出电压能够保持高精度的稳定。
其tON(MIN)仅为43ns,能够在负载变化时迅速做出响应,有效减少输出电压的波动。这种快速瞬态响应能力对于对电源稳定性要求较高的应用尤为重要。
无需外部感测电阻和斜率补偿,简化了电路设计,降低了成本。同时,谷电流模式控制能够提供良好的稳定性和动态性能。
还支持软启动或跟踪功能,可通过用户可编程的软启动引脚和独立的RUN引脚实现系统的灵活控制;具备可调的开关频率和可编程的电流限制,以及输出过压保护等安全特性。
LTC3879采用谷电流模式控制,在正常连续运行时,顶部MOSFET由单稳态定时器(OST)确定的固定时间间隔开启。当顶部MOSFET关闭时,底部MOSFET开启,直到电流比较器(ICMP)触发,重新启动单稳态定时器,开始下一个周期。通过感测PGND和SW引脚之间的电压,利用底部MOSFET的导通电阻来测量电感谷电流。误差放大器(EA)通过比较输出电压的反馈信号VFB与反馈参考电压VFBREF,调整ITH引脚的电压,以匹配电感平均电流和负载电流。
当直流负载电流小于峰 - 峰纹波电流的1/2时,电感电流可能降至零或变为负值,此时进入不连续模式。在不连续模式下,电流反转比较器IREV会检测并防止负电感电流,两个开关均保持关闭,由输出电容为负载供电,直到EA将ITH电压调至零电流水平(0.8V)以上,启动另一个开关周期。将MODE引脚连接到SGND可强制进入连续模式,允许电感电流在轻载时变为负值,保持同步开关。
连续模式下的工作频率可通过计算占空比(VOUT/VIN)除以固定导通时间来确定。OST生成与理想占空比成比例的导通时间,使频率在VIN变化时大致保持恒定。标称频率可通过外部电阻RON进行调整。
为保护电路免受低阻抗短路的影响,LTC3879提供折返式电流限制。当控制器处于电流限制状态且VOUT降至调节值的50%以下时,电流限制设定点会逐渐降低。要从折返式电流限制中恢复,需要移除过大的负载或低阻抗短路。
LTC3879需要两个外部N沟道功率MOSFET,分别用于顶部(主)开关和底部(同步)开关。选择时需考虑击穿电压VBR(DSS)、阈值电压VGS(TH)、导通电阻RDS(ON)、反向传输电容CRSS和最大电流IDS(MAX)等参数。由于栅极驱动电压由5.3V INTVCC电源设定,因此需要使用逻辑级阈值MOSFET。若输入电压可能低于5V,则应考虑亚逻辑级阈值MOSFET。底部MOSFET作为电流感测元件,其导通电阻需特别关注,应考虑温度对导通电阻的影响。
根据所需的输入和输出电压、电感值和工作频率可确定纹波电流。为降低电感的磁芯损耗、输出电容的ESR损耗和输出电压纹波,应选择较小的纹波电流,但这可能需要较大的电感。通常选择纹波电流约为IOUT(MAX)的40%,并根据最大输入电压确定电感值,以确保纹波电流不超过指定的最大值。
输入电容CIN用于过滤顶部MOSFET漏极的方波电流,应选择低ESR电容,其尺寸应能处理最大RMS电流。输出电容COUT的选择主要取决于降低电压纹波和负载阶跃瞬态所需的ESR。可通过多个电容并联来满足ESR和RMS电流处理要求,不同类型的电容如干钽电容、特种聚合物电容、铝电解电容和陶瓷电容各有优缺点,需根据具体应用进行选择。
通过感测PGND和SW引脚之间的底部MOSFET VDS电压来测量电感电流,最大允许的VDS感测电压由施加到VRNG引脚的电压设定,约为(0.133)VRNG。可使用外部电阻分压器将VRNG引脚的电压设置在0.2V至2V之间,以实现不同的峰值感测电压。将VRNG引脚连接到SGND或INTVCC可强制使用内部默认值。
LTC3879的工作频率由控制顶部MOSFET导通时间tON的单稳态定时器隐式确定。导通时间由流入ION引脚的电流根据公式tON = (0.7V / ION)×(10pF)设定。将电阻RON从VIN连接到ION引脚可实现伪固定频率操作。为纠正由于ION引脚电压约为0.7V而导致的系统误差,可连接一个额外的电阻RON2到5.3V INTVCC电源。
最小关断时间tOFF(MIN)是LTC3879开启底部MOSFET、触发电流比较器并关闭底部MOSFET所需的最短时间,通常约为220ns。最小关断时间限制了最大占空比,若达到最大占空比,输出可能会失去调节。避免压降的最小输入电压可根据公式VIN(MIN) = VOUT×(tON + tOFF(MIN)) / tON计算。最大操作频率由固定导通时间tON和最小关断时间tOFF(MIN)决定。
LTC3879的输出电压由外部反馈电阻分压器设置,公式为VOUT = 0.6V×(1 + RB / RA)。为提高瞬态响应,可使用前馈电容CFF。同时,应注意将VFB线远离噪声源。
MODE引脚决定LTC3879是工作在强制连续模式还是允许不连续导通模式。将该引脚连接到高于0.8V的电压可启用不连续操作,当电感电流极性反转时,底部MOSFET关闭。将MODE引脚连接到低于0.8V的阈值可强制连续开关。此外,MODE引脚还可用于在主电路处于不连续模式时维持反激绕组输出。
LTC3879的最大电感电流由最大感测电压限制,最大感测电压由VRNG引脚的电压控制。通过谷电流模式控制,最大感测电压和感测电阻决定了最大允许的电感谷电流。为确保ILIMIT(MIN) > IOUT(MAX),应检查电流限制值。在短路情况下,LTC3879还提供折返式电流限制,当输出下降超过50%时,最大感测电压会逐渐降低至约为其全值的六分之一。
内部P沟道低压差调节器产生5.3V电源,为驱动器和内部电路供电。INTVCC引脚可提供高达50mA的RMS电流,必须使用至少1μF的低ESR钽电容或陶瓷电容(10V,X5R或X7R)进行旁路。不建议使用输出电容大于10μF的电容。在使用INTVCC调节器为外部负载供电时,需谨慎考虑各种工作负载条件。
LTC3879可通过连接电容到TRACK/SS引脚实现软启动,或跟踪其他通道或外部电源的输出。当RUN引脚电压大于1.5V时,LTC3879上电,软启动电流为1μA,用于对TRACK/SS引脚的软启动电容充电。软启动或跟踪通过控制输出电压的斜坡率实现,启动期间禁用电流折返。当TRACK/SS超过0.6V时,输出调节到内部参考值0.6V。若配置为跟踪其他电源,可通过电阻分压器将其他电源的反馈电压复制到TRACK/SS引脚。
LTC3879允许用户通过TRACK/SS引脚编程输出电压的上升和下降方式,可实现与其他电源输出的重合跟踪或比例跟踪。重合跟踪模式下,输出调节性能更好,可减少输出电压偏差。
当INTVCC下降到约3.4V以下时,设备进入欠压锁定(UVLO)状态,开关输出TG和BG禁用,TRACK/SS引脚通过内部NMOS开关拉低至0V。当UVLO条件解除时,TRACK/SS释放,开始正常软启动。
开关稳压器的效率等于输出功率除以输入功率再乘以100%。LTC3879电路中的主要损耗源包括DC I²R损耗、过渡损耗、INTVCC电流和CIN损耗。在调整效率时,输入电流是效率变化的最佳指示。
可通过观察负载瞬态响应来检查调节器环路响应。开关稳压器需要几个周期来响应负载电流阶跃,负载阶跃发生时,VOUT会立即偏移,同时ΔILOAD会对COUT进行充电或放电,产生反馈误差信号,用于调节器将VOUT恢复到稳态值。在此恢复过程中,可监测VOUT是否存在过冲或振铃,以判断是否存在稳定性问题。可通过计算增益交叉频率fGCO来进行粗略的补偿检查,一般增益交叉频率应小于开关频率的20%。
在开关频率大于800kHz时,需特别注意PCB噪声的影响,可能导致关断时间变化大于正常情况。可通过遵循推荐的布局技术、使用足够的X5R或X7R陶瓷输入电容以及增加底部MOSFET纹波电压等方法来防止关断时间不稳定。
以一个电源设计示例来说明LTC3879的应用。设计规格为:VIN = 4.5V至28V(标称12V),VOUT = 1.2V ± 5%,IOUT(MAX) = 15A,f = 400kHz。
根据公式RON = 1.2V / (0.7V×400kHz×10pF) = 429k,选择最接近的标准电阻值432k,标称工作频率为396kHz。
使用调整后的工作频率,在最大VIN时设置电感值以获得35%的纹波电流。根据公式L = (1.2V / (396kHz×0.35×15A))×(1 - 1.2 / 28) = 0.55μH,选择最接近的值0.56μH。
根据公式ΔIL = (1.2V / (396kHz×0.56μH))×(1 - 1.2V / 28V) = 5.1A。
选择RJK0330(RDS(ON) = 2.8mΩ(标称),3.9mΩ(最大),VGS = 4.5V,θJA = 40°C / W),计算得到峰值VDS电压为79mV,对应的VRNG为592mV。
计算底部MOSFET的功耗P BOT = ((28V - 1.2V) / 28V)×(15A)²×1.5×3.9mΩ = 1.25W,结温TJ = 70°C + 1.25W×40°C / W = 120°C。选择RJK0305DPB作为顶部MOSFET,计算其功耗P TOP = (1.2V / 28V)×(15A)²×1.4×13mΩ + (28V)²×(15A / 2)×(150pF)×((2.5Ω / (5V - 3V)) + (1.2Ω / 3V))×400kHz = 0.18W + 0.58W = 0.76W,结温TJ = 70°C + 0.76W×40°C / W = 100°C。
选择CIN以提供大于4A的RMS电流额定值(85°C),输出电容COUT1选择低ESR为4.5mΩ的电容,以最小化电感纹波电流和负载阶跃引起的输出电压变化。输出电压纹波ΔVOUT(RIPPLE) = ΔIL(MAX)×ESR = 5.1×4.5mΩ = 23mV,0A至10A的负载阶跃会导致输出变化ΔVOUT(STEP) = ΔILOAD×ESR = 10A×4.5mΩ = 45mV。可添加2×47μF的陶瓷输出电容以最小化ESR和ESL对输出纹波的影响,并改善负载阶跃响应。
使用专用的接地平面层,对于大电流应用,建议使用多层板以帮助散热。接地平面层应无走线,并尽可能靠近连接功率MOSFET的布线层。将LTC3879的引脚9至16朝向功率组件,将连接引脚1的组件靠近LTC3879放置。将CIN、COUT、MOSFET、DB和电感放置在一个紧凑的区域,部分组件可放置在电路板底部。使用通孔将组件连接到LTC3879的SGND和PGND接地平面,功率组件使用多个较大的通孔。使用紧凑的开关节点(SW)平面以改善MOSFET的散热并降低EMI。使用VIN和VOUT平面以保持良好的电压滤波并降低功率损耗。将所有层的未使用区域填充铜,以降低功率组件的温度上升。在ITH和SGND引脚旁边放置去耦电容CC2,并使用短而直接的走线连接。
分离信号和功率接地,所有小信号组件应在一点返回SGND引脚。SGND和PGND应在IC下方连接在一起,然后直接连接到M2的源极。将M2尽可能靠近控制器放置,保持PGND、BG和SW走线短。将高dV/dt的SW、BOOST和TG节点远离敏感的小信号节点。将输入电容CIN靠近功率MOSFET连接,将INTVCC去耦电容CVCC紧密连接到INTVCC和PGND引脚,将顶部驱动器升压电容CB紧密连接到BOOST和SW引脚,将VIN引脚去耦电容CF紧密连接到VIN和PGND引脚。
LTC3879在多种不同的输入输出条件下都有典型应用,如4.5V至14V输入、1.2V/20A输出(300kHz)并带有重合轨跟踪;4.5V至24V输入、1.8V/10A输出(500kHz);4.5V至32V输入、1V/5A输出(250kHz)等。这些应用展示了LTC3879的灵活性和适应性,能够满足不同电子系统的电源需求。
Linear Technology Corporation还提供了一系列与LTC3879相关的部件,如LTC3608/LTC3609、LTC3610/LTC3611等,这些部件在不同的应用场景中各有优势,可根据具体需求进行选择。
LTC3879以其丰富的特性和良好的性能,为电子工程师在电源设计中提供了一个强大的工具。通过深入了解其工作原理、应用信息和设计要点,工程师们能够充分发挥LTC3879的优势,设计出高效、稳定的电源系统。在实际应用中,还需根据具体的设计要求和电路条件,灵活调整参数和选择组件,以达到最佳的性能和可靠性。你在使用LTC3879进行设计时遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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