电子说
在电子设计领域,电源管理是一个至关重要的环节。今天,我们将深入探讨Maxim Integrated推出的MAX15048/MAX15049三输出降压控制器,它在高性能、小尺寸电源管理解决方案方面表现出色。
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MAX15048/MAX15049是具有跟踪(MAX15048)和排序(MAX15049)选项的三输出脉宽调制(PWM)降压DC - DC控制器。它们能在4.7V至23V或5V ±10%的输入电压范围内工作,每个PWM控制器可提供低至0.6V的可调输出,并能提供高达15A的负载电流,具备出色的负载和线性调节能力。其中,MAX15049还能启动预偏置输出,这在并行电源模块的应用中能确保输出电压无干扰地上电。
输入电压范围为4.7V至23V或5V ±10%,每个输出电压可调节至低至0.6V,能满足多种不同的电源需求。
MAX15048提供重合跟踪或比例跟踪,MAX15049提供输出排序功能,可根据系统要求定制上电/下电序列。
工作在200kHz至1.2MHz的可编程固定开关频率,每个转换器以120°异相运行,将输入电容纹波频率提高至3.6MHz,显著降低RMS输入纹波电流和输入旁路电容的尺寸。
具备无损谷值模式电流限制、打嗝模式输出短路保护和热关断等保护功能,确保系统的稳定性和可靠性。
集成了升压二极管,节省了系统成本。
输入电压范围为4.7V至23V,输入欠压锁定阈值为4.0V至4.4V,具有0.3V的滞后。工作电源电流在VIN = 12V、VFB = 0.8V时为6至9mA,关断电源电流在VIN = 12V、EN = 0、PGOOD未连接时为100至200μA。
输出电压设定点在VIN = 6V至23V时为4.75V至5.25V,负载调节在IREG = 0至60mA、VIN = 6V时为0.2V。
开关频率范围为200kHz至1200kHz,开关频率精度在fSW = 500kHz时为±4%,相位延迟为120°。
DL_、DH_的先断后合时间为35ns,DH和DL的导通电阻在不同负载条件下有相应的数值。
谷值电流限制阈值为69mV,阈值温度系数为3333ppm/°C,累积电流限制事件达到8次进入打嗝模式,连续3个非电流限制周期清除计数,打嗝超时为4096个时钟周期。
EN_阈值为0.57V至0.63V,具有46mV的滞后;PGOOD阈值为0.545V至0.555V,具有30mV的滞后。
热关断温度为+160°C,热关断滞后为20°C。
通过一系列图表展示了转换器的效率与负载电流、输出电压与负载电流、开关频率与温度等关系。例如,不同输入电压下,转换器的效率随负载电流的变化情况,能帮助工程师更好地了解器件在不同工况下的性能。
MAX15048/MAX15049采用32引脚TQFN - EP封装,每个引脚都有特定的功能。
用于连接振荡器定时电阻,通过连接15.6kΩ至3.75kΩ的电阻到SGND,可将开关频率编程为200kHz至1.2MHz。
模拟地,需与PGND_在输入旁路电容返回端附近的一点连接。
分别为三个控制器的电源地,连接输入滤波电容的负极、同步MOSFET的源极和输出滤波电容的返回端。
分别为低侧和高侧栅极驱动器输出,驱动外部n沟道MOSFET。
为高侧栅极驱动器供电,需连接0.1μF的陶瓷电容到LX_。
用于使能和跟踪输入,在跟踪(MAX15048)和排序(MAX15049)时具有不同的连接方式。
反馈调节点,连接到电阻分压器的中心抽头以设置输出电压。
跨导误差放大器输出,连接到输出的补偿反馈网络。
控制器电源良好输出,上拉到低于5.5V的正电压,用于指示所有输出是否在调节范围内。
电源输入连接,连接到4.7V至23V的外部电压源。
5V稳压器输出,需用2.2μF的陶瓷电容旁路到SGND。
外露焊盘,焊接到大型SGND平面以改善散热。
VIN必须超过默认的UVLO阈值才能开始工作,UVLO电路在VIN低于阈值时关闭MOSFET驱动器、振荡器和所有内部电路,以降低电流消耗。UVLO上升阈值为4.2V,具有300mV的滞后。
软启动功能使负载电压以受控方式上升,消除输出电压过冲。软启动在VIN超过UVLO阈值且使能输入高于0.6V后开始,持续2048个时钟周期,输出电压通过64个相等的步骤递增。MAX15048的软停止在使能输入低于0.55V时开始,输出电压通过64个相等的步骤在2048个时钟周期内递减。MAX15049能启动预偏置负载,在软启动期间,两个开关保持关闭,直到PWM比较器发出第一个PWM脉冲。
REG是由IN供电的5V LDO的输出端,为IC提供电源。需将REG外部连接到DREG_为低侧MOSFET栅极驱动器供电,并使用至少2.2μF的陶瓷电容旁路到SGND。REG仅用于为内部电路供电,最大可提供60mA的电流。
DREG_是低侧MOSFET驱动器的电源输入,可通过RC滤波器连接到REG或外部电源。BST_为高侧MOSFET驱动器供电,内部开关将DREG_和BST_之间的电压提升,为高侧MOSFET提供必要的栅源电压。栅极驱动器具有1A的峰值源极和吸收电流能力,提供先断后合时间以防止过渡期间的直通电流。
通过使能输入(EN)结合数字软启动和软停止实现重合/比例跟踪。重合跟踪时,将用于FB的电阻分压器连接到输出和EN;比例跟踪时,将EN_连接到SGND。在输出短路故障时,能确保主从输出的合理响应。
使能输入必须高于0.6V,PWM控制器才能启动。VOUT_输出和EN_输入可通过菊花链连接实现电源排序,也可使用电阻分压器设置每个控制器的启动时间。
内部跨导误差放大器的输出(COMP_)用于频率补偿,误差放大器具有80dB的开环增益和10MHz的GBW乘积。
采用谷值电流限制算法,使用同步MOSFET的导通电阻作为电流传感元件。当电流限制阈值超过8个累积时钟周期时,设备关闭4096个时钟周期,然后软启动。连续3个非电流限制周期清除计数。
具备集成的热过载保护和温度滞后功能。当芯片温度超过+160°C时,内部热传感器关闭设备,温度下降20°C后软启动。
通过连接15.625kΩ至93.75kΩ的电阻到RT引脚,可将开关频率编程为200kHz至1.2MHz,计算公式为fSW (kHz)=12.8 × RRT(kΩ)。
最大输入电压受最小导通时间限制,最小输入电压受最大占空比限制,计算公式分别为VIN(MAX) ≤ VOUT / (tON(MIN) × fSW)和VIN(MIN)= VOUT / (1 - (tOFF(MIN) × fSW))。
需考虑电感值(L)、电感饱和电流(ISAT)和电感串联电阻(DCR)。电感值计算公式为L = VOUT (VIN - VOUT) / (VIN × fSW × ΔIP - P),一般选择ΔIP - P等于满载电流的30%。ISAT应高于最大峰值电流,选择低DCR的电感以提高效率。
输入电容需能承受输入纹波电流,并将输入电压纹波保持在设计要求范围内。120°纹波相位操作将输入电容纹波电流频率提高到单个转换器开关频率的三倍。计算公式为ESR = ΔVESR / (ILOAD(MAX) + ΔIP - P / 2)和CIN = ILOAD(MAX) × (VOUT / VIN) / (ΔVQ + fSW)。
输出电容的选择取决于允许的输出电压纹波和负载阶跃期间的最大输出电压偏差。计算公式为COUT = ΔIP - P / (8 × ΔVQ × fSW)和ESR = ΔVESR / ΔIP - P。在负载阶跃时,还需考虑ESR、ESL和电容值,计算公式分别为ESR = ΔVESR / ISTEP、COUT = ISTEP × tRESPONSE / ΔVQ和ESL = ΔVESL × tSTEP / ISTEP。
采用谷值电流传感方法,谷值电流限制阈值为69mV。通过监测低侧MOSFET的导通电阻上的电压降来感测电感电流,计算公式为VVALLEY = RDS(ON) × (ILOAD(MAX) - ΔIP - P / 2)。
选择n沟道MOSFET时,需考虑总栅极电荷、RDS(ON)、功率耗散、最大漏源电压和封装热阻抗。选择优化用于高频开关应用的MOSFET。
采用固定频率、电压模式控制方案,通过误差放大器和补偿网络实现稳定的闭环系统。根据输出电容的ESR零频率,可选择Type II或Type III补偿网络。
文档提供了MAX15048重合跟踪器、MAX15048比例跟踪器、MAX15049排序器的典型工作电路,以及MAX15049评估套件的原理图,为工程师的设计提供了参考。
32引脚TQFN热增强封装可耗散高达2758.6mW的功率,功率耗散计算公式为PD = VIN × IREG,其中IREG包括静态电流和总栅极驱动电流。最大功率耗散计算公式为PDMAX = 34.5 × (150 - TA) mW。
布局时需将IN、REG和DREG_旁路电容靠近MAX15048/MAX15049放置,最小化高电流环路的面积和长度,保持SGND和PGND_隔离并在一点连接,避免长走线,将输出电容靠近负载放置,均匀分布功率组件,提供足够的铜面积用于散热,连接外露焊盘到大型铜平面,并使用2oz铜以降低走线电感和电阻。
MAX15048/MAX15049三输出降压控制器凭借其丰富的功能和出色的性能,为电子工程师在电源管理设计中提供了一个强大的工具。在实际应用中,工程师需要根据具体的系统需求,合理选择和配置这些参数,以实现最佳的电源性能。你在使用这类控制器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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