适用于65W GaN PD快充电源驱动器具有极高开关频率及稳定性能

概述：

PC5200 是一种增强模式氮化镓（GaN-on-Silicon）晶体管。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有高功率密度。氮化镓晶体管的特点是没有体二极管，因此反向恢复电荷为零。这种氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种高性能增强模式氮化镓 HEMT，可实现优异的高频和高效率运行。该氮化镓功率 HEMT 结合了最高的 dv/dt 免疫能力和行业标准的低轮廓、低电感、底部冷却表面贴装 DFN5x6/DFN8X8 封装，使设计师能够实现简单、快速且可靠的解决方案。

特性：
 700V增强型功率开关
 易驱动栅极要求
 极高的开关频率
 快速且可控的下降和上升时间
 零反向恢复损耗

应用：
 快速电池充电
 LED照明驱动器
 功率因数校正
 LLC转换器
 无线电力传输



审核编辑 黄宇