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在电源设计领域,一款优秀的PWM控制器对于实现高效、稳定的电源供应至关重要。MAX5068作为一款高频、电流模式的PWM控制器,以其出色的性能和丰富的功能,成为众多电源设计工程师的首选。本文将深入剖析MAX5068的特点、工作原理及应用,帮助工程师更好地理解和运用这款产品。
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MAX5068是一款集成了实现AC - DC或DC - DC固定频率电源所需的所有构建模块的高性能PWM控制器。它适用于隔离或非隔离电源,可通过初级或次级侧调节轻松构建电源。其电流模式控制结合前沿消隐功能,简化了控制环路设计,可编程的内部斜率补偿电路在占空比超过50%时能稳定电流环路。
MAX5068采用电流模式控制,结合前沿消隐功能,有效防止PWM比较器过早终止导通周期。CS信号包含的前沿尖峰由MOSFET栅极充电电流、功率电路的电容和二极管反向恢复电流引起,但由于该尖峰通常低于电流限制比较器阈值,因此在各种条件下都能提供电流限制。
通过在RT引脚连接外部电阻,可将内部振荡器频率编程为50kHz至2.5MHz。MAX5068A/B的输出开关频率是编程振荡器频率的一半,占空比为50%;MAX5068C/D/E/F的输出开关频率是编程振荡器频率的四分之一,占空比为75%。计算公式如下: [f{osc }=frac{10^{11}}{R{BT}}] 对于MAX5068A/B: [RRT =frac{10^{11}}{2 f{SW}}] 对于MAX5068C/D/E/F: [R{R T}=frac{10^{11}}{4 f_{S W}}]
MAX5068具有可编程死区时间功能,可通过在DT引脚和AGND之间连接电阻来设置死区时间,范围为30ns至(1 /(0.5 ×f{s w})) 。计算公式为: [Dead time =frac{60}{29.4} × R{DT}(n s)] 将DT连接到REG5可消除延迟,实现最大占空比。
MAX5068A/B/C/E可通过SYNC输入与外部时钟同步,为确保正确的频率同步,SYNC输入频率必须比编程的内部振荡器频率至少高25%。不使用外部时钟时,将SYNC连接到AGND。
该功能允许在可编程的时间内忽略瞬态过流条件,使电源有时间像电流源一样向负载供电。通过在FLTINT引脚连接外部电容来编程故障集成时间,当电容两端电压达到FLTINT关闭阈值(典型值为2.8V)时,电源关闭;通过并联一个高值泄放电阻,电容放电至重启阈值(典型值为1.6V)时,电源重新启动并开始新的软启动周期。计算公式如下: [C{FLTINT } cong frac{FLTINT × t{SH}}{2.8 V}] [R{FLTINT} cong frac{t{R T}}{0.595 × C{FLTINT}}] 其中,(IFLTINT =60 mu A) ,(t{SH}) 为所需的故障集成时间,(t_{RT}) 为所需的恢复时间,通常选择(tRT=10 ×tSH) 。
MAX5068的软启动功能可使负载电压以受控方式上升,消除输出电压过冲。软启动在欠压锁定解除后开始,放大器同相端的电压在2047个振荡器时钟周期(软启动超时周期)内从0升至1.23V。与其他器件不同的是,MAX5068内部放大器的参考电压采用软启动方式,在重负载和轻负载条件下都能实现对输出电压的出色控制。
MAX5068由两个内部线性调节器供电,VCC为外部N沟道MOSFET供电,内部设置为约9.5V;REG5为5V调节器,具有1mA的源电流能力,可用于为外部电路供电。VCC和REG5分别用1µF和0.1µF的高质量电容旁路,同时可并联较低值的陶瓷电容以旁路其他不需要的噪声信号。
NDRV驱动外部N沟道MOSFET,其输出由内部调节器(VCC)提供,约为9.5V。对于通用输入电压范围,所使用的MOSFET必须能够承受高线输入电压的直流电平加上变压器初级的反射电压。NDRV能够源/吸收超过650mA/1000mA的峰值电流,因此应选择能够产生可接受的传导和开关损耗的MOSFET。
MAX5068内置误差放大器,可在非隔离电源中调节输出电压。输出电压计算公式为: [V{OUT }=left(1+frac{R 8}{R 9}right) × V{REF }] 其中,(V_{REF}=1.23 ~V) ,放大器的同相输入内部连接到数字软启动参考电压,确保在所有负载条件下输出电压有序上升。
MAX5068C/D/E/F使用内部斜坡发生器进行斜率补偿,内部斜坡信号在每个周期开始时复位,并以由连接在SCOMP的外部电容和RT的电阻编程的速率上升。可使用以下公式将转换速率调整至最高90mV/µs: [SR=frac{165 × 10^{-6}}{R{R T} × C{SCOMP}}(mV / mu s)]
PWM比较器根据瞬时电流、误差放大器和斜率补偿来确定何时关闭NDRV。在正常操作中,当满足以下条件时,N沟道MOSFET关闭: [IPRIMARY times RCS >V{E A}-V{OFFSET }-V{SCOMP }] 其中,(VSCOMP) 是从0开始并以编程的转换速率(SR)上升的斜坡函数,(IPRIMARY) 是通过N沟道MOSFET的电流,(VEA) 是内部放大器的输出电压,(VOFFSET) 是1.6V的内部直流偏移。在正向转换器配置中使用MAX5068时,为避免电流环路次谐波振荡,必须满足以下条件: [frac{NS}{NP} × frac{K × R{CS} × V_{OUT }}{L}=SR] 其中,(K = 0.75) ,(Ns) 和(Np) 分别是变压器次级和初级的匝数,(L) 是次级滤波电感。
通过在MOSFET源极和地之间连接电流检测电阻(RCS)来设置电流限制。CS输入的电压跳闸电平(VCS)为314mV,可使用以下公式计算RCS的值: [R{CS}=frac{V{CS}}{I_{PRI}}] 当通过电流检测电阻产生的电压超过电流限制比较器阈值时,MOSFET驱动器(NDRV)迅速终止电流导通周期。通常需要一个小的RC滤波器来滤除检测波形上的前沿尖峰,将截止频率设置为比开关频率高几MHz。
MAX5068可用于多种电源应用,如通用输入AC电源、隔离电信电源、网络系统电源、服务器电源和工业电源转换等。文中给出了非隔离电源和次级侧调节的隔离电源的典型电路示例,为工程师提供了设计参考。
MAX5068作为一款高性能的高频PWM控制器,凭借其丰富的功能和出色的性能,为电源设计提供了强大的支持。其精确的可编程功能、集成的故障保护和宽温度范围等特性,使其适用于各种复杂的电源应用场景。在实际设计中,工程师应根据具体需求合理选择型号,并遵循布局建议,以充分发挥MAX5068的优势,实现高效、稳定的电源设计。你在使用MAX5068进行电源设计时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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