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在电子设备的电源设计中,为DDR内存提供稳定、高效的电源是至关重要的。Maxim Integrated推出的MAX8550/MAX8551集成DDR电源解决方案,为台式机、笔记本电脑和显卡等设备提供了理想的电源管理方案。本文将深入介绍MAX8550/MAX8551的特点、工作原理、设计要点以及应用注意事项。
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MAX8550/MAX8551集成了同步降压PWM控制器、LDO线性稳压器和10mA参考输出缓冲器。降压控制器驱动两个外部N沟道MOSFET,可从2V至28V输入产生低至0.7V的输出电压,输出电流高达15A。LDO线性稳压器可吸收或提供高达1.5A的连续电流和3A的峰值电流。VTT和VTTR输出可跟踪VREFIN / 2,精度在1%以内。
Quick - PWM控制架构是一种伪固定频率、恒定导通时间、电流模式调节器,具有电压前馈功能。它依靠输出滤波电容的ESR作为电流感测电阻,输出纹波电压提供PWM斜坡信号。高侧开关导通时间由一个单稳态触发器决定,其脉冲宽度与输入电压成反比,与输出电压成正比。
在轻负载时,MAX8550可自动切换到脉冲跳过模式(PFM),通过比较器在电感电流过零时截断低侧开关导通时间,实现高效率。脉冲跳过和非跳过PWM操作的阈值与电感电流的连续和不连续操作边界一致。
在MAX8550中,强制PWM模式(SKIP = AVDD)可禁用零交叉比较器,使低侧栅极驱动波形始终是高侧栅极驱动波形的互补,保持开关频率相对恒定,适用于降低音频频率噪声、改善负载瞬态响应和提供动态输出电压调整的吸收电流能力。
降压调节器采用独特的“谷值”电流感测算法,通过监测LX和PGND1之间的电压降,利用整流MOSFET的导通电阻作为电流感测元件。在强制PWM模式下,还实现了负电流限制,防止降压调节器输出吸收电流时出现过大的反向电感电流。
内部上电复位(POR)在AVDD上升到约2V时发生,复位故障锁存器和软启动计数器,为降压调节器的运行做好准备。在AVDD达到4.25V之前,AVDD欠压锁定(UVLO)电路抑制开关操作。降压调节器的内部软启动允许在启动期间逐渐增加电流限制水平,减少输入浪涌电流。LDO部分的软启动可通过在SS引脚和地之间连接电容来实现。
在选择开关频率和电感工作点之前,需要明确降压调节器的输入电压范围(VIN)和最大负载电流(ILOAD)。输入电压范围的最大值要考虑最坏情况下的电压,最小值要考虑连接器和保险丝压降后的最低电压。最大负载电流包括峰值负载电流和连续负载电流,分别影响元件应力、滤波要求和热应力。
开关频率的选择决定了尺寸和效率之间的基本权衡。最佳频率主要取决于最大输入电压,由于MOSFET开关损耗与频率和VIN²成正比,且随着MOSFET技术的不断进步,更高的频率变得更加实用。
电感工作点的选择提供了尺寸与效率、瞬态响应与输出纹波之间的权衡。低电感值可提供更好的瞬态响应和更小的物理尺寸,但会导致效率降低和输出纹波增加。最佳工作点通常在20%至50%的纹波电流之间。
VTT输出可通过直接连接到VTTS输入来调节到VREFIN / 2,也可通过连接电阻分压器从VTT到VTTS来调节到高于VREFIN / 2的电压。VTTR输出跟踪1/2 VREFIN。
电感值由开关频率和电感工作点决定,计算公式为: [L=frac{V{OUT }left(V{IN }-V{OUT }right)}{V{IN } × f{SW } × L{LOAD(MAX) } × LIR }] 应选择低损耗、直流电阻尽可能低的电感,确保铁芯在峰值电感电流下不会饱和。
输入电容必须满足开关电流引起的纹波电流要求,计算公式为: [RMS =LOAD frac{sqrt{V{OUT }left(V{IN }-V{OUT }right)}}{V{IN }}] 对于大多数应用,非钽电容(陶瓷、铝、POS或OSCON)是首选,因为它们对电源启动浪涌电流具有抗性。
输出滤波电容的等效串联电阻(RESR)要足够低,以满足输出纹波和负载瞬态要求,同时要足够高以满足稳定性要求。在有剧烈负载瞬变的应用中,输出电容的大小取决于防止输出在负载瞬变时下降过低所需的RESR;在没有大而快速负载瞬变的应用中,输出电容的大小通常取决于维持可接受的输出电压纹波所需的RESR。
选择外部逻辑电平N沟道MOSFET时,关键参数包括导通电阻(RDS(ON))、最大漏源电压(VDSS)和栅极电荷(QG、QGD、QGS)。应选择导通电阻低、栅极电荷低的MOSFET,以提高效率。同时,要确保低侧MOSFET不会因高侧MOSFET导通引起的dV/dt而误开启,以避免直通电流降低效率。
为了抑制开关节点的高频振铃,可在每个开关上添加可选的串联RC缓冲电路。选择缓冲电路的RC值时,需要测量振铃频率,估算电路寄生电容和电感,然后计算临界阻尼电阻和电容值。
降压调节器的电流限制通过监测低侧MOSFET的导通电阻来实现。在计算电流限制时,应使用MOSFET数据手册中的最坏情况最大导通电阻值,并考虑温度上升对导通电阻的影响。
如果UVP锁存选项不可用,可实现折返电流限制,以减少外部元件的功耗,使其能够承受无限期过载和短路,并在过载或短路消除后自动恢复。
对于大多数应用,低电流肖特基二极管(如Central Semiconductor的CMDSH - 3)是合适的选择。升压电容的大小应根据输入和输出电压、外部元件和PCB布局来确定,要确保其在最小低侧MOSFET导通时间内能够充分充电,同时不会充电到过高的电压。
VTT处的电容应尽可能靠近VTT和PGND2引脚放置,以最小化走线的串联电阻/电感。PGND2侧的电容必须有短而低阻抗的路径连接到IC下方的暴露焊盘。暴露焊盘必须与GND、PGND1和PGND2星型连接。VTTI旁路电容应尽可能靠近VTTI引脚放置,REFIN应单独布线并充分旁路到GND。
MAX8550/MAX8551集成DDR电源解决方案为DDR内存应用提供了高效、稳定的电源管理方案。通过深入了解其特点、工作原理和设计要点,并遵循PCB布局指南,工程师可以设计出性能出色的电源电路。在实际应用中,还需要根据具体需求进行适当的调整和优化,以确保系统的可靠性和稳定性。你在使用MAX8550/MAX8551时遇到过哪些问题?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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