深入解析MAX8597/MAX8598/MAX8599:低 dropout、宽输入电压降压控制器

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深入解析MAX8597/MAX8598/MAX8599:低 dropout、宽输入电压降压控制器

一、引言

在电子设计领域,电源管理是一个至关重要的环节。对于需要高效、稳定电源转换的应用场景,降压控制器起着关键作用。MAXIM推出的MAX8597/MAX8598/MAX8599电压模式PWM降压控制器,以其独特的性能和丰富的功能,成为众多工程师的首选。今天,我们就来深入了解一下这三款控制器。

文件下载:MAX8597.pdf

二、产品概述

2.1 基本特性

MAX8597/MAX8598/MAX8599设计用于4.5V至28V的输入电源,能够产生低至0.6V的输出电压。其采用的专有开关算法可将占空比扩展至>99.5%,实现低dropout设计。与传统使用p沟道高端MOSFET实现高占空比的降压调节器不同,这三款控制器驱动n沟道MOSFET,从而实现高效率和高电流能力的设计。

2.2 产品差异

  • MAX8597:采用20引脚薄型QFN封装,适用于使用模拟信号控制输出电压并具有可调偏移的应用,如直流风扇速度控制。它还针对芯片组、ASIC和DSP核心以及I/O电源的跟踪输出电压应用进行了优化。此外,它内部有一个未使用的运算放大器,可实现更多功能。
  • MAX8598/MAX8599:采用16引脚薄型QFN封装,没有未使用的运算放大器、参考输入和参考输出,但提供开漏、电源正常输出(POK),便于进行电源排序。其中,MAX8599还具备输出过压保护功能。

三、电气特性

3.1 绝对最大额定值

在使用这三款控制器时,必须注意其绝对最大额定值。例如,V+和ILIM到GND的电压范围为 -0.3V至 +30V,AVL和VL到GND的电压范围为 -0.3V至 +6V等。超出这些额定值可能会对设备造成永久性损坏。

3.2 电气参数

涵盖了各种参数,如V+的工作范围为5.5V至28.0V,VL调节器的输出电压在5.5V < VV+ < 28V、1mA < ILOAD < 35mA时为4.7V至5.3V等。这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

四、工作原理

4.1 DC - DC控制器

采用PWM电压模式控制方案,内部高带宽(25MHz)运算放大器作为误差放大器来调节输出电压。通过将输出电压与内部0.6V参考或REFIN(MAX8597)进行比较,生成误差信号,再与固定频率斜坡进行比较,以确定合适的占空比,从而维持输出电压的稳定。

4.2 电流限制

通过检测峰值电感电流来实现恒流和打嗝电流限制。当感测元件两端的电压超过由ILIM设置的电流限制阈值时,控制器立即关闭高端MOSFET,低端MOSFET开启,让电感电流下降。当FB下降到其标称阈值的30%以下时,输出欠压保护触发,控制器进入打嗝模式,以限制功耗。

4.3 同步整流器驱动(DL)

同步整流通过用低电阻MOSFET开关代替普通肖特基捕获二极管,降低了整流器中的传导损耗。同时,它还确保了升压栅极驱动电路的正确启动。

4.4 高端栅极驱动电源(BST)

高端n沟道MOSFET的栅极驱动电压由外部飞跨电容和二极管升压电路产生。当同步整流器导通时,电容从VL电源充电;当同步整流器关闭时,电容上的电压叠加在LX上,为高端MOSFET提供必要的导通电压。

4.5 内部5V线性调节器

提供高达35mA的电流,为外部MOSFET提供栅极驱动,并为IC的内部电路供电。其输出(VL)需要用陶瓷电容进行旁路。

4.6 欠压锁定(UVLO)

当VVL下降到3.75V(典型值)以下时,欠压锁定电路会抑制开关操作,强制POK(MAX8598/MAX8599)为低电平,同时强制DH和DL为低电平。当VVL上升到4.2V(典型值)以上时,控制器进入启动模式。

4.7 启动

满足EN为高电平、VVL > 4.2V(典型值)、软启动电压VSS超过VFB以及不超过热限制这四个条件时,控制器开始开关操作,并启动软启动周期。

4.8 电源正常信号(POK)

POK是一个开漏输出,当FB高于其标称阈值的91%时,变为高阻抗。有八个时钟周期的延迟,之后POK变为高阻抗。

4.9 输出欠压保护(UVP)

当控制器达到电流限制且VFB低于其标称阈值的30%时,输出欠压保护启动。控制器会驱动DH和DL为低电平,并以5µA的下拉电流放电软启动电容,直到VSS达到50mV,然后重新进入软启动模式。

4.10 输出过压保护(OVP,MAX8599)

持续监测输出电压,当输出电压超过其标称设定值的117%时,经过12µs(典型值)的延迟后触发OVP。MAX8599会锁定DH为低电平,关闭高端MOSFET,锁定DL为高电平,开启低端MOSFET,将输出钳位到PGND。

4.11 热过载保护

当结温超过 +160°C时,热传感器会关闭设备,强制DH和DL为低电平,使IC冷却。当结温下降10°C后,热传感器会重新开启设备。

五、设计步骤

5.1 设置输出电压

  • 固定输出电压:通过从输出到GND的电阻分压器网络设置输出电压,FB位于中心抽头。
  • 实时可调输出电压:对于MAX8597,可以使用未使用的运算放大器,通过电压源(VADJ)调节输出电压。需要定义最小和最大输出电压、对应的输入电压等参数,并根据相应公式计算电阻值。

5.2 电感选择

考虑输入电压、输出电压、负载电流、开关频率和LIR(电感电流纹波与直流负载电流的比值)等参数。一般选择30%的LIR作为折衷方案,根据公式计算电感值,并选择具有低直流电阻和合适饱和电流额定值的电感。

5.3 输入电容

输入滤波电容用于减少从电源汲取的峰值电流,降低电路开关引起的输入噪声和电压纹波。根据公式计算纹波电流要求,推荐使用陶瓷电容。

5.4 输出电容

关键选择参数包括实际电容值、等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)和电压额定要求。通过相关公式估算最坏情况下的纹波,并考虑负载瞬态响应。

5.5 MOSFET选择

选择外部逻辑电平n沟道MOSFET作为电路开关元件,关键参数包括导通电阻(RDS(ON))、最大漏源电压(VDSS)和栅极电荷(Qg、Qgd、Qgs)。需要分别计算高端和低端MOSFET的损耗,并考虑散热设计。

5.6 设置电流限制

通过外部电阻与内部200µA电流沉共同设置峰值电流限制阈值。当使用高端MOSFET的RDS(ON)进行电流感测时,需要考虑温度对RDS(ON)的影响以及200µA电流沉的容差。

5.7 选择软启动电容

外部电容从SS到GND由内部5µA电流源充电到相应的反馈阈值,根据公式计算软启动时间。

5.8 补偿设计

采用电压模式控制方案,使用Type III补偿方案来补偿输出低通LC滤波器引入的增益下降和相移,以实现稳定的高带宽闭环系统。根据交叉频率与输出电容ESR零频率的关系,分为两种情况进行设计。

六、应用信息

6.1 PC板布局指南

  • 高侧MOSFET应靠近低侧MOSFET,并通过10µF或更大的陶瓷电容紧密去耦。
  • IC的引脚去耦电容应尽可能靠近引脚。
  • 电流限制设置电阻应直接从ILIM连接到高侧MOSFET的漏极。
  • 保持LX节点与IC引脚的连接和与飞跨升压电容的连接分开。
  • 电源接地平面和信号接地平面应分开,并在输出电容的接地处连接在一起。
  • RC缓冲电路应尽可能靠近低侧MOSFET。
  • 保持高电流路径尽可能短。
  • 将MOSFET的漏极连接到大面积铜区域,以帮助散热。
  • 确保反馈连接短而直接,反馈电阻应尽可能靠近IC。
  • 高速开关节点应远离敏感模拟区域。

七、总结

MAX8597/MAX8598/MAX8599降压控制器以其丰富的功能和出色的性能,为电子工程师提供了一个强大的电源管理解决方案。在设计过程中,需要仔细考虑各个方面的参数和特性,遵循合理的设计步骤和布局指南,以确保电路的稳定运行和高效性能。希望本文能为工程师们在使用这三款控制器时提供一些有益的参考。你在实际应用中是否遇到过相关问题?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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