士兰微电子荣获博格华纳2025年度合作贡献奖

2026年3月13日，在博格华纳举办的PDS 2026年全球供应商大会上，士兰微电子凭借其在车规级半导体产品的技术、质量、交付等方面的卓越贡献，荣获大会颁发的“合作贡献奖”。这既是对士兰微产品性能的高度认可，更是对双方深度协同、共同规划未来发展战略的有力期许。

作为新能源汽车“新三电”系统的核心，高性能功率IGBT决定了整车的能效与性能上限。士兰微电子为博格华纳多款被定点的新能源车型提供了关键动力支持，这些大功率车规级IGBT芯片主要应用于新能源汽车的主电机控制器等核心场景，其性能直接关系到车辆的加速性能、续航里程及系统可靠性。

在新能源汽车产业加速向“技术驱动”转型的背景下，核心零部件的自主可控成为行业发展的关键议题。士兰微电子作为国内少数实现车规级IGBT、SiC芯片全产业链自主可控的企业之一，其产业能力覆盖了从设计、制造到封测的完整环节。这种全产业链布局不仅保障了产品的一致性和高品质交付，也为新能源汽车产业用户们构建了一条韧性可靠、自主安全的供应链体系。

未来，士兰微电子将继续与车企、TIE1厂商加强战略协作，建立更紧密、更具韧性和面向未来的合作关系；为客户提供更前瞻的半导体技术支撑和更可靠的产能保障，助力国产汽车产业实现高端电动车型的全球化布局，持续推动新能源汽车产业的高质量发展。