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在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的电源调节器至关重要。今天,我们就来深入探讨一下LINEAR TECHNOLOGY的LTC3413,这是一款专为DDR/QDR内存终端设计的3A、2MHz单片同步调节器。
文件下载:LTC3413.pdf
LTC3413具有高达90%的效率,这在电源管理中是非常出色的表现。在当今追求绿色节能的时代,高效的调节器能够降低功耗,延长设备的续航时间,减少能源浪费。
它能够提供±3A的输出电流,并且源和灌输出电流限制对称。内部开关的低 (R_{DS(ON)}) 仅为85mΩ,无需肖特基二极管,这不仅简化了电路设计,还提高了整体效率。
输入电压范围为2.25V至5.5V,这使得LTC3413能够适应多种电源环境,增加了其应用的灵活性。
输出电压精度达到±1%,能够为负载提供稳定可靠的电源。同时,可编程的开关频率最高可达2MHz,用户可以根据实际需求进行调整。
具备电源良好输出电压监控和过温保护功能,能够在异常情况下及时保护设备,提高系统的可靠性。
LTC3413是一款单片、恒定频率、电流模式的降压DC/DC转换器,能够在输出端源和灌电流。在正常操作中,内部顶部功率开关(P沟道MOSFET)在每个时钟周期开始时导通,电感电流增加,直到电流比较器触发并关闭顶部功率MOSFET。顶部功率MOSFET关闭时,同步功率开关(N沟道MOSFET)导通,直到达到底部电流限制或下一个时钟周期开始。
过压和欠压比较器会在输出电压超出±10%的调节范围时,将PGOOD输出拉低。在过压情况下,顶部功率MOSFET关闭,底部功率MOSFET导通,直到过压情况消除或达到底部MOSFET的电流限制。
当输入电源电压接近输出电压时,占空比增加,直到达到100%。此时,输出电压由输入电压减去内部P沟道MOSFET和电感上的电压降决定。
LTC3413设计为能够在低至2.25V的SVIN输入电源电压下工作。但在低输入电压下,P沟道和N沟道功率开关的 (R_{DS(ON)}) 会增加,用户需要计算功率耗散,以确保不超过热限制。
斜率补偿通过在占空比超过40%时向电感电流信号添加补偿斜坡,防止次谐波振荡,提高了恒定频率架构的稳定性。同时,LTC3413实现了斜率补偿恢复,以保持电感峰值电流在整个占空比范围内恒定。
当输出短路到地时,电感电流在单个开关周期内衰减缓慢。为防止电流失控,对电感电流施加了二次电流限制。如果电感谷值电流超过5A,顶部功率MOSFET将被关闭,跳过开关周期,直到电感电流降低。
在启动LTC3413之前,需要对其进行顺序控制,以避免VOUT引脚被外部电路驱动到高于期望输出电压10%以上的电压,从而防止LTC3413进入锁定状态。
工作频率的选择需要在效率和元件尺寸之间进行权衡。高频操作允许使用较小的电感和电容值,但会增加内部栅极电荷损耗;低频操作则可以提高效率,但需要较大的电感和电容值来保持低输出纹波电压。LTC3413的工作频率由连接在 (R{T}) 引脚和地之间的外部电阻决定,可以通过公式 (R{OSC}=frac{3.23 cdot 10^{11}}{f}(Omega)-10kOmega) 进行计算。
电感值和工作频率决定了纹波电流。较低的纹波电流可以降低电感的磁芯损耗、输出电容的ESR损耗和输出电压纹波。为了保证纹波电流不超过指定的最大值,可以根据公式 (L=left(frac{V{OUT }}{f Delta I{L(MAX)}}right)left(1-frac{V{OUT }}{V{IN(MAX)}}right)) 选择电感值。同时,不同的电感磁芯材料和形状会影响电感的尺寸、电流和价格关系,需要根据实际需求进行选择。
输入电容 (C{IN}) 用于过滤顶部MOSFET源极的梯形波电流,需要选择低ESR、能够承受最大RMS电流的电容。输出电容 (C{OUT}) 的选择取决于所需的有效串联电阻(ESR)和大容量电容,以最小化电压纹波和负载阶跃瞬变,并确保控制环路的稳定性。
在大多数应用中, (V{OUT}) 直接连接到 (V{FB}),输出电压等于 (V_{REF}) 引脚电压的一半。如果需要不同的输出电压关系,可以使用外部电阻分压器。
RUN/SS引脚提供了关闭LTC3413和软启动的功能。通过在RUN/SS引脚连接电阻和电容,可以设置软启动时间。
开关调节器的效率等于输出功率除以输入功率乘以100%。主要的损耗来源包括VIN静态电流和I²R损耗。在非常低的负载电流下,VIN静态电流损耗占主导;在中高负载电流下,I²R损耗占主导。
在大多数应用中,LTC3413由于其高效率而不会产生过多的热量。但在高温、低电源电压和高占空比的情况下,需要进行热分析,以确保结温不超过最大值。结温可以通过公式 (T{J}=T{A}+(P{D})(theta{JA})) 计算,其中 (T{A}) 是环境温度, (P{D}) 是调节器的功率耗散, (theta_{JA}) 是从芯片结到环境温度的热阻。
建议使用接地平面。如果不使用接地平面层,信号和功率接地应分开,所有小信号组件应在一点返回SGND引脚,然后连接到靠近LTC3413的PGND引脚。
输入电容 (C_{IN}) 的正极应尽可能靠近PVIN引脚,以提供交流电流到内部功率MOSFET。
开关节点SW应远离所有敏感的小信号节点,以减少干扰。
在所有层的未使用区域填充铜,可以降低功率组件的温度上升。铜区域可以连接到任何直流网络。
VFB引脚应直接连接到VOUT引脚,以确保准确的电压反馈。
在这个应用中,VIN为3.3V,VOUT为1.25V,通过合理选择外部元件,如0.47μH的电感和100μF的电容,可以实现高效稳定的电源供应。
此应用中,输入电压为3.3V,输出电压为0.75V,同样可以通过LTC3413实现稳定的电源转换。
| 产品编号 | 描述 | 备注 |
|---|---|---|
| LTC3406 | 600mA, (I OUT ) 1.5MHz同步降压调节器 | V IN : 2.5V to 5.5V, V OUT(MIN) = 0.6V, I Q = 20μA, ThinSOT |
| LTC3407 | 双600mA, (I OUT ) 1.5MHz同步降压调节器 | V IN : 2.5V to 5.5V, V OUT(MIN) = 0.6V, I Q = 40μA, MS10E |
| LTC3411 | 1.25A, (I OUT ) 4MHz单片同步降压调节器 | V IN : 2.5V to 5.5V, V OUT(MIN) = 0.8V, I Q = 60μA, MS, DFN-10 |
| LTC3412 | 2.5A, (I OUT ) 4MHz单片同步降压调节器 | V IN : 2.5V to 5.5V, V OUT(MIN) = 0.8V, I Q = 60μA, TSSOP-16 |
| LTC3414 | 4A, (I OUT ) 4MHz单片同步降压调节器 | V IN : 2.25V to 5.5V, V OUT(MIN) = 0.8V, I Q = 64μA, TSSOP-20E |
| LTC3713 | 低输入电压,无 (R_{SENSE}) 同步控制器 | V IN : 1.5V to 10V, V OUT(MIN) = 0.8V, SSOP-24 |
| LTC3717 | 用于DDR内存终端的无 (R_{SENSE}) 控制器 | V IN : 5V to 36V, V OUT(MIN) = 0.8V, SSOP-24 |
| LTC3718 | 低输入电压,用于DDR内存终端的无 (R_{SENSE}) 控制器 | V IN : 1.5V to 10V, V OUT(MIN) = 0.8V, SSOP-24 |
通过对比可以看出,不同的产品在输出电流、开关频率等方面有所差异,工程师可以根据具体的应用需求选择合适的产品。
总之,LTC3413是一款性能出色的同步调节器,在DDR/QDR内存终端等应用中具有广泛的应用前景。希望通过本文的介绍,能够帮助电子工程师更好地了解和应用LTC3413。大家在实际设计中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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