SGM11103S:高性能2位控制SP3T开关的深度解析

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SGM11103S:高性能2位控制SP3T开关的深度解析

在射频开关的领域中,SGM11103S这款2位控制单刀三掷(SP3T)开关凭借其卓越的性能和特性,成为了众多电子工程师的理想选择。今天,我们就来深入剖析一下这款开关的各项参数和应用场景。

文件下载:SGM11103S.pdf

一、产品概述

SGM11103S支持从0.1GHz到5.8GHz的频率范围,具有低控制电压和高隔离的显著特点。它集成了ESD保护电路,能够实现高ESD耐受性,并且在不施加外部直流电压的情况下,RF路径无需外部直流隔直电容,这一特性大大节省了PCB面积和成本。该产品采用绿色ULGA - 1.15×1.55 - 10L封装。

二、应用领域

SGM11103S的应用范围十分广泛,涵盖了多模式2G/3G/4G/5G和接收系统应用,如预功率放大器(Pre PA)切换、接收频段切换等。此外,它还适用于通用切换应用和反馈接收(Feedback RX)应用。

三、产品特性

(一)高隔离度

高隔离度是SGM11103S的一大亮点,在不同频率下都有出色表现:

  • (f0 = 1.0 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,隔离度可达55 dB(典型值);
  • (f0 = 2.0 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,为52 dB(典型值);
  • (f0 = 2.7 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,是50 dB(典型值);
  • (f0 = 3.8 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,为48 dB(典型值);
  • (f0 = 5.8 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,达到34 dB(典型值)。

(二)低插入损耗

低插入损耗同样是其重要优势,不同频率下的插入损耗如下:

  • (f0 = 1.0 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,插入损耗为0.49 dB(典型值);
  • (f0 = 2.0 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,是0.52 dB(典型值);
  • (f0 = 2.7 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,为0.56 dB(典型值);
  • (f0 = 3.8 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,达到0.60 dB(典型值);
  • (f0 = 5.8 GHz),(P{IN} = 0 dBm)时,插入损耗为1.07 dB(典型值)。

(三)封装形式

采用绿色ULGA - 1.15×1.55 - 10L封装,符合环保要求。

四、引脚配置与说明

(一)引脚配置(顶视图)

该产品的引脚配置清晰,包括GND、RFCOM、RF1、RF2、RF3、VCTL1、VCTL2和VDD等引脚。

(二)引脚说明

  • RFCOM:RF公共端口。
  • GND(2、5、10引脚):接地端子,为保证出色的RF性能,应尽量将此端子与接地平面连接。
  • VDD(3引脚):直流电源,为保证出色的RF性能,需连接一个与GND端子相连的旁路电容。
  • RF1(4引脚)、RF2(6引脚)、RF3(9引脚):RF输入/输出端口。
  • VCTL1(7引脚)、VCTL2(8引脚):直流控制电压,同样需连接与GND端子相连的旁路电容以保证出色的RF性能。

五、逻辑真值表

VCTL1 VCTL2 ON PATH
High Low RFCOM - RF1
Low High RFCOM - RF2
High High RFCOM - RF3
Low Low X

这里的“X”表示无关。通过这个逻辑真值表,工程师可以方便地控制开关的导通路径。

六、电气特性

(一)直流特性

  • 供电电压((V_{DD})):范围为2.5V - 3.3V,典型值为2.8V。
  • 供电电流((I_{VDD})):典型值为20μA,最大值为45μA。
  • 控制电压((V_{CTL_L})):范围为0 - 0.3V;((V_{CTL_H}))范围为1.35 - 3.3V,典型值为1.8V。
  • 控制电流((I_{CTL})):当(V_{CTL_H} = 1.8V)时,典型值为2μA,最大值为8μA。
  • 开关时间((t_{SW})):从50% (V_{CTL})到10/90% RF的时间,范围为1 - 2μs。

(二)RF特性

  • 插入损耗(IL):在不同频率下有相应的典型值和最大值,如(f0 = 1.0GHz),(P{IN} = 0dBm)时,典型值为0.49dB,最大值为0.79dB。
  • 隔离度(ISO):同样在不同频率下有不同表现,如(f0 = 1.0GHz),(P{IN} = 0dBm)时,最小值为47dB,典型值为55dB。
  • 0.1dB压缩点输入功率((P_{0.1dB})):在0.1GHz - 3.0GHz频率范围内典型值为30dBm;在3.0GHz - 5.8GHz频率范围内典型值为28dBm。
  • 电压驻波比(VSWR):在0.1GHz - 3.0GHz频率范围内典型值为1.2;在3.0GHz - 5.8GHz频率范围内典型值为1.6。

七、典型应用电路与评估板布局

(一)典型应用电路

典型应用电路中包含直流控制电压、直流电源、旁路电容等元件,通过合理的连接方式实现开关的正常工作。

(二)评估板布局

评估板布局为工程师提供了实际测试和验证的参考,有助于快速评估产品性能。

八、封装与订购信息

(一)封装信息

采用ULGA - 1.15×1.55 - 10L封装,同时提供了详细的封装外形尺寸和推荐焊盘尺寸。

(二)订购信息

型号为SGM11103S,指定温度范围为 - 40°C到 + 85°C,订购编号为SGM11103SYULJ10G/TR,封装标记为ZX XX,包装选项为卷带包装,每卷5000个。

九、注意事项

(一)过应力警告

超过绝对最大额定值的应力可能会对设备造成永久性损坏,长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。在推荐工作条件范围之外的任何条件下,设备的功能操作不被保证。

(二)ESD敏感性警告

该集成电路如果不仔细考虑ESD保护措施,可能会受到损坏。建议在处理所有集成电路时采取适当的预防措施,否则可能导致性能下降甚至设备完全失效。

SGM11103S凭借其高隔离度、低插入损耗等特性,在射频开关领域具有很强的竞争力。电子工程师在设计相关电路时,可以根据其详细的参数和特性,合理选择和应用这款产品。大家在实际应用中是否也遇到过类似高性能开关的选型和使用问题呢?欢迎一起交流探讨。

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