SGM11108E:高性能SP8T射频开关的卓越之选

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SGM11108E:高性能SP8T射频开关的卓越之选

在当今复杂的通信设备设计中,射频开关作为关键组件,对于信号的切换和传输起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一下SGMICRO推出的SGM11108E单刀八掷(SP8T)天线开关,看看它有哪些独特的优势和特性。

文件下载:SGM11108E.pdf

一、产品概述

SGM11108E是一款支持0.1GHz至3GHz频率范围的SP8T天线开关。它具有低插入损耗、高隔离度以及高线性度等特性,非常适合2G/3G/4G收发(TRx)应用。并且,该开关不受蜂窝干扰影响,可应用于多模式、多频段的LTE手机。

SGM11108E的一大亮点在于它能够将SP8T射频开关和GPIO控制器集成在一个SOI芯片上。GPIO控制器提供了用于开关控制信号的内部驱动器和解码器,这使得它在射频路径频段和路由选择上具有很高的灵活性。同时,只要不施加外部直流电压,射频路径上无需外部隔直电容,这有助于节省PCB面积和成本。该产品采用绿色UTQFN - 2×2 - 14L封装。

二、产品特性

1. 电气参数

  • 供电电压范围:2.5V至3.4V,能适应多种电源环境。
  • 低插入损耗:在2.7GHz时典型值为0.53dB,确保信号传输过程中的能量损失最小。
  • 工作频率范围:0.1GHz至3GHz,覆盖了广泛的通信频段。
  • 高隔离度:在2.7GHz时最小值为17dB,有效减少信号之间的干扰。
  • 先进的绝缘体上硅(SOI)工艺:保证了开关的高性能和稳定性。
  • 无需外部隔直电容:简化了电路设计,降低了成本。

2. 逻辑真值表

通过控制引脚V1、V2、V3的不同组合,可以实现不同射频路径的切换。例如,当V1 = 0、V2 = 0、V3 = 0时,RF1路径处于插入损耗状态,其他路径处于隔离状态;当V1 = 0、V2 = 0、V3 = 1时,RF2路径处于插入损耗状态,其他路径处于隔离状态,以此类推。这为工程师在设计中灵活选择射频路径提供了便利。

三、应用场景

SGM11108E主要应用于2G/3G/4G收发(TRx)的接收频段切换和预功率放大器(Pre - PA)切换。在多模式、多频段的LTE手机中,它能够高效地完成信号的切换和传输,确保通信的稳定和可靠。

四、电气特性

1. 直流特性

  • 供电电压:2.5V至3.4V,典型值为2.8V。
  • 供电电流:40至80μA。
  • 控制电压:高电平(VCTL_H)为1.66V至3.4V,低电平(VCTL_L)为0V至0.45V。
  • 控制电流:当VCTL = 0V时,为3至8μA。
  • 开关时间:从控制电压的50%到射频功率的90%为2至5μs。
  • 开启时间:从VDD = 0V到器件开启且射频功率达到90%为10至15μs。

2. 射频特性

  • 插入损耗:在不同频率范围内有所不同,0.1GHz至1.0GHz时为0.42至1.00dB,1.0GHz至2.0GHz时为0.47至1.05dB,2.0GHz至2.7GHz时为0.53至1.10dB。
  • 隔离度:0.1GHz至1.0GHz时为21至42dB,1.0GHz至2.0GHz时为20至35dB,2.0GHz至2.7GHz时为17至30dB。
  • 输入回波损耗:0.1GHz至1.0GHz时为18至22dB,1.0GHz至2.0GHz时为17至24dB,2.0GHz至2.7GHz时为16至26dB。
  • 0.1dB压缩点:在0.1GHz至3GHz范围内为37.5dBm。
  • 谐波特性:在不同频段和输入功率下,二次谐波和三次谐波都有较好的表现,如GSM低频段(LB)在PIN = 35dBm、824MHz至915MHz时,二次谐波为90dBc,三次谐波为80dBc。

五、封装与订购信息

SGM11108E采用UTQFN - 2×2 - 14L封装,工作温度范围为 - 40℃至 + 85℃,订购编号为SGM11108EYURB14G/TR,封装标记为S007 XXXX(XXXX为日期代码和追踪代码),包装形式为卷带包装,每卷3000个。

六、注意事项

1. 绝对最大额定值

  • 供电电压(VDD)最大为3.6V。
  • 控制电压(V1、V2和V3引脚)最大为3.6V。
  • 射频输入功率(PIN)最大为37.5dBm。
  • 存储温度范围为 - 55℃至 + 150℃,结温最大为 + 150℃,焊接时引脚温度(10s)最大为 + 260℃,人体模型(HBM)静电敏感度为1000V。

    2. ESD敏感性

    该集成电路如果不仔细考虑ESD保护措施,可能会受到损坏。因此,在处理和安装过程中,需要采取适当的预防措施,以避免ESD损坏导致的性能下降或器件失效。

七、总结

SGM11108E作为一款高性能的SP8T射频开关,凭借其低插入损耗、高隔离度、高线性度以及灵活的控制特性,在2G/3G/4G通信应用中具有很大的优势。它的集成化设计和无需外部隔直电容的特点,也为工程师在PCB设计和成本控制方面提供了便利。在实际应用中,工程师需要根据具体的设计需求和电气特性,合理选择和使用该开关,以确保系统的性能和稳定性。大家在使用过程中是否遇到过类似射频开关的设计难题呢?欢迎在评论区分享交流。

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