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在电子工程领域,Power over Ethernet(PoE)技术凭借其能在以太网上同时传输数据和电力的特性,极大地简化了网络设备的部署与管理。LTC4267作为一款专为IEEE 802.3af Powered Device(PD)设计的芯片,集成了PD接口与电流模式开关稳压器,为PoE应用提供了全面的电源解决方案。
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LTC4267拥有完整的IEEE 802.3af PD电源接口,板载100V、400mA的欠压锁定(UVLO)开关,能有效保障设备在合适的电压范围内工作。其精密的双级浪涌电流限制功能,可在设备启动时控制电流,避免过大的电流冲击对设备造成损害。
芯片集成了电流模式开关稳压器,专为驱动6V额定N沟道MOSFET设计,具备可编程斜率补偿、软启动和恒定频率操作等特性,即使在轻负载情况下也能将噪声降至最低。此外,板载的误差放大器和电压参考,使得它既适用于隔离式配置,也适用于非隔离式配置。
LTC4267配备25kΩ签名电阻,可通过SIGDISA引脚进行禁用,还能实现可编程分类电流(Class 0 - 4),方便根据设备的功率需求进行分类。同时,它具备热过载保护功能,当芯片温度过高时会自动采取保护措施,确保设备的安全稳定运行。此外,还有电源正常信号(PWRGD)用于指示设备的工作状态。
提供16引脚SSOP和3mm × 5mm DFN两种低轮廓封装,节省了电路板空间,适合对空间要求较高的应用场景。
在检测阶段,供电设备(PSE)会在电缆上施加 -2.8V至 -10V的电压,寻找25kΩ的签名电阻。LTC4267会在VPORTP和VPORTN引脚之间连接一个内部25kΩ电阻,向PSE发出存在PD的信号。同时,内部低泄漏UVLO开关可防止开关稳压器电路影响检测签名。此外,可通过SIGDISA引脚控制签名电阻的启用和禁用,当将SIGDISA引脚连接到VPORTP或使其相对于VPORTN为高电平时,签名电阻将变为9kΩ(典型值),呈现无效签名。
PSE检测到PD后,可选择对PD进行分类。在分类过程中,PSE会向PD施加 -15.5V至 -20.5V的固定电压,LTC4267会通过RCLASS电阻从VPORTP引脚输出负载电流,负载电流的大小由RCLASS电阻设定。不同的分类对应不同的功率等级和负载电流,设计者可根据PD的功耗选择合适的分类。
IEEE规范规定PD的最大开启电压为42V,最小关闭电压为30V,且需有较大的开 - 关滞后以防止PSE和PD之间的布线电阻损耗导致启动振荡。LTC4267的UVLO电路会监测VPORTN引脚的线路电压,当输入电压高于UVLO开启阈值时,移除检测和分类负载,开启内部功率MOSFET,使负载电容充电;当输入电压低于UVLO关闭阈值时,关闭内部功率MOSFET,重新启用分类电流。
为控制系统启动时的浪涌电流,LTC4267集成了双级电流限制电路。启动时,输入电流限制在低水平,使负载电容以可控方式充电;当负载电容充电完成且POUT - VPORTN电压差低于电源正常阈值时,切换到高水平电流限制。这种双级电流限制设计使LTC4267既能与不满足IEEE 802.3af浪涌电流要求的传统PSE兼容,又能在IEEE 802.3af系统中充分利用更高的功率分配。
LTC4267的PD接口包含电源正常电路,用于指示负载电容已完全充电,开关稳压器可以开始工作。该电路监测内部UVLO功率MOSFET两端的电压,当电压低于1.5V时,PWRGD信号有效;当电压升高到3V时,PWRGD信号禁用。在设计PD时,可根据需要对PWRGD信号进行滤波或延迟处理,以避免间歇性电源不良情况的影响。
LTC4267的PD接口具备热过载保护功能,可在芯片温度过高时降低电流,减少功率损耗,保护芯片免受热损坏。在分类过程中,如果PSE违反75ms的探测时间限制,导致芯片过热,热保护电路会禁用分类电流源,待芯片冷却后再重新启用。
以太网网络节点通常通过隔离变压器与外界连接,对于PoE设备,隔离变压器的媒体(电缆)侧需有中心抽头。选择合适的隔离变压器并进行正确的端接,可提供正确的阻抗匹配,避免辐射和传导干扰。
IEEE 802.3af允许采用两种电源布线配置,PD需能接受任一极性的电源输入,因此通常在主输入和备用输入上都安装二极管桥。选择合适的二极管桥并注意其正向电压降,可确保PD的阈值符合IEEE规范。在某些情况下,可使用肖特基二极管降低功率损耗,但需注意其对模式转换点的影响。
根据PD的功率类别,选择合适的RCLASS电阻来设置负载电流。可根据公式 (R{CLASS }=1.237 V /left(I{DESIRED }-I_{INCLASS }right)) 计算RCLASS电阻值,其中 (I{IN_CLASS }) 为分类期间LTC4267的IC电源电流。RCLASS电阻的精度应达到1%或更高,以确保分类电路的准确性。
PWRGD信号由高压、开漏晶体管控制,设计者可利用该信号通过ITH/RUN或PVCC引脚启用板载开关稳压器。在某些应用中,可通过电容形成低通滤波器来忽略间歇性电源不良情况,或通过延迟PWRGD信号的断言来确保负载电容充电完成后再启动开关稳压器。
通过将SIGDISA引脚连接到VPORTP或使其相对于VPORTN为高电平,可禁用25kΩ签名电阻。在实际应用中,需注意SIGDISA引脚的布局,避免漏电导致其意外拉高。
IEEE 802.3af规范要求PD的负载电容最小为5µF,LTC4267能够为较大的负载电容充电,但需注意避免因负载电容过大导致PSE意外断电。同时,要确保负载电容存储的能量不会在LTC4267中意外耗散。
开关稳压器的输出电压由输出端的电阻分压器(R1和R2)和误差放大器参考电压VREF决定。在隔离式电源应用中,VREF由外部误差放大器确定;在非隔离式电源应用中,可使用LTC4267的内部参考和误差放大器。选择合适的R1和R2电阻值,可确保输出电压的准确性和稳定性。
在隔离式拓扑中,选择外部误差放大器时需考虑其输出电压和参考电压,确保其有足够的裕量,避免出现锁定情况。同时,选择带宽足够宽的光耦合器,以确保主控制回路的稳定性。
外部反馈电阻分压器可设置输出电压,设计者在选择变压器匝数比时具有较大的灵活性。需注意变压器的漏感可能导致电压尖峰,必要时可使用“缓冲”电路避免MOSFET的漏极节点过压击穿。
外部电流检测电阻(RSENSE)可优化电流限制行为。选择合适的RSENSE电阻,使开关电流能覆盖ITH/RUN电压的整个范围,并注意布局对电阻的影响,确保电路的正常运行。
典型的隔离式应用电路采用外部电阻分压器将输出电压的一部分反馈给外部误差放大器,误差放大器通过光耦合器控制ITH/RUN引脚的电压,从而控制开关稳压器的输出。
在非隔离式设计中,可将电阻分压器的输出直接连接到LTC4267的VFB引脚,利用内部误差放大器和参考电压实现电压调节。
对于LTC4267的开关稳压器,需特别注意C1、T1初级、Q1和RSENSE组成的电流回路的布局,确保这些组件紧密放置,使用宽铜迹线或铜平面,并采用屏蔽和高频布局技术。同时,反馈电阻R1和R2以及补偿电容CC的放置对输出电压的准确性、主控制回路的稳定性和负载瞬态响应至关重要。PD接口部分相对对布局不敏感,但需避免RCLASS引脚的寄生电容过大,使用DHC封装时需连接散热片。
由于LTC4267的外部接口引脚可能会承受超过10kV的峰值电压,建议在二极管桥和LTC4267之间安装瞬态电压抑制器,以保护芯片免受静电放电和浪涌的影响。
LTC4267凭借其丰富的功能和出色的性能,为PoE应用提供了一个全面而可靠的解决方案。无论是在IP电话、无线接入点还是安全摄像头等领域,LTC4267都能发挥重要作用。作为电子工程师,在设计PoE设备时,充分了解LTC4267的特性和应用要点,合理选择外部组件和进行布局设计,将有助于开发出高效、稳定的PoE产品。
你在使用LTC4267的过程中遇到过哪些问题?或者对于PoE技术还有哪些疑问?欢迎在评论区分享交流。
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