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在电子设备的设计中,电源管理是至关重要的一环。对于成本敏感且对电压排序/跟踪有要求的应用,如电缆调制解调器、xDSL 设备和机顶盒等,MAX1964/MAX1965 电源控制器提供了一种经济高效的解决方案。今天我们就来深入探讨这两款控制器的特点、工作原理、设计要点以及应用案例。
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MAX1964 和 MAX1965 是专为满足成本敏感型应用的电压排序/跟踪需求而设计的电源控制器。它们可以在低成本、未稳压的直流电源(如壁式适配器输出)下工作,其中 MAX1964 可产生三个正输出,MAX1965 能产生四个正输出和一个负输出,为系统提供了经济实惠的电源解决方案。
MAX1964 包含一个电流模式同步降压控制器和两个正调节器增益块,而 MAX1965 在此基础上多了一个正增益块和一个负调节器增益块。主同步降压控制器可产生高电流输出,预设为 3.3V,也可通过外部电阻分压器在 1.236V 至 0.75 × VIN 范围内进行调节。其 200kHz 的工作频率允许使用低成本的铝电解电容器和功率磁性元件。
这两款控制器的输入电压范围为 4.5V 至 28V,能适应多种电源输入,为不同的应用场景提供了灵活性。
提供电源良好输出(POK),可监测所有输出电压,方便用户了解系统的电源状态。
MAX1964 具有电压排序功能,MAX1965 具有电压跟踪功能,确保系统在启动过程中各电源的电压按顺序或同步上升,避免因电压异常导致的设备损坏。
采用脉冲宽度调制(PWM)电流模式控制方案。内部跨导放大器在 COMP 引脚建立积分误差电压,电流模式 PWM 控制器的核心是一个开环比较器,它将积分电压反馈信号与放大的电流检测信号加上斜率补偿斜坡进行比较。在内部时钟的每个上升沿,高端 MOSFET 导通,直到 PWM 比较器触发或达到最大占空比。在导通期间,电流通过电感上升,为输出提供电流并在磁场中存储能量。在周期的后半部分,高端 MOSFET 关闭,低端 N 沟道 MOSFET 导通,电感释放存储的能量,为输出提供电流。
放大由高端 MOSFET 的导通电阻产生的电流检测电压,该放大信号与内部斜率补偿信号相加后输入到 PWM 比较器的反相输入端,当该和超过积分反馈电压时,PWM 比较器关闭高端 MOSFET。
采用独特的“谷值”电流限制算法,使用低端 MOSFET 的导通电阻作为传感元件。如果在新的振荡器周期开始时,低端 MOSFET 上的电压超过电流限制阈值,MAX1964/MAX1965 将不会开启高端 MOSFET。在可调模式下,电流限制阈值电压约为 ILIM 引脚电压的五分之一。
同步整流通过用低电阻 MOSFET 开关代替普通肖特基续流二极管,降低了整流器中的传导损耗。DL 低端驱动波形始终是 DH 高端驱动波形的互补(具有受控的死区时间,以防止交叉导通)。
高端 N 沟道开关的栅极驱动电压由飞跨电容升压电路产生。在启动时,同步整流器(低端 MOSFET)将 LX 接地,将升压电容充电至 5V。在第二个半周期,开关电源通过闭合 BST 和 DH 之间的内部开关开启高端 MOSFET,为高端开关提供必要的栅源电压。
除电流检测放大器外,MAX1964/MAX1965 的所有功能均由片上低压差 5V 稳压器内部供电。其最大输入电压为 28V,输出(VL)需用至少 1µF 的陶瓷电容旁路到地。
当 VL 降至 3.5V 以下时,欠压锁定(UVLO)电路将禁止开关操作,强制 POK 为低电平,并将 DL 和 DH 栅极驱动器拉低。当 VL 上升到 3.5V 以上时,控制器将启动输出。
当 VL 上升到 3.5V 欠压锁定阈值以上时,MAX1964/MAX1965 开始外部切换。但只有当满足四个条件(VL 超过 3.5V 欠压锁定阈值、内部参考电压超过其标称值的 92%、内部偏置电路启动、未超过热限制)时,控制器才会启用。启动时,软启动电路将逐渐上升到参考电压,以控制降压控制器的上升速率,减少启动时的输入浪涌电流。
参考电源启动后,主 DC - DC 降压转换器首先通过软启动启动,当达到其标称值的 92% 且软启动完成后,第一个正线性稳压器启动,当第一个线性稳压器达到其标称值的 92% 时,第二个线性稳压器启动。当所有三个输出电压都超过其标称值的 92% 时,电源良好信号(POK)变为高电平。
参考电源启动后,控制器同时启动所有五个输出电压。主 DC - DC 降压转换器通过软启动启动,而线性稳压器则完全激活。由于线性稳压器的输入通常连接或派生自降压转换器的输出电压,因此这些输出电压将跟踪降压转换器缓慢上升的输出电压。当所有五个输出电压都超过其标称值的 92% 时,电源良好信号(POK)变为高电平。
POK 是一个开漏输出,当任何输出电压低于其标称调节电压的 90% 时,MOSFET 导通,将 POK 拉低。当所有输出电压都超过其标称调节电压的 92% 且软启动完成后,POK 变为高阻态。为了获得逻辑电压输出,可将上拉电阻从 POK 连接到 VL。
当结温超过 160°C 时,热传感器将关闭设备,强制 DL 和 DH 为低电平,使 IC 冷却。当结温下降 15°C 后,热传感器将再次开启设备,在连续热过载条件下会产生脉冲输出。如果 VL 输出短路,热过载保护将被禁用。
在需要更高电压输出的系统中,可使用变压器为正、负线性调节器提供电源。变压器的匝数比决定了未稳压的高电压电源的输出,根据正、负输出电压的不同要求,分别计算所需的最小匝数比。由于功率传输发生在低端 MOSFET 导通时,变压器不能支持高占空比的重负载。
MAX1964/MAX1965 采用电流模式控制方案,在高端 MOSFET 导通后,使用 60ns 的电流检测消隐期来减少噪声敏感度。但 MOSFET 导通时,变压器的次级电感和二极管的寄生电容会形成谐振电路,导致振铃现象。为了减少这种振铃,可在二极管处添加串联 RC 缓冲器电路,通过增加阻尼系数使振铃迅速衰减。对于有多个变压器绕组的应用,只需在最高输出电压上设置一个缓冲器电路。
文档中给出了 MAX1964 和 MAX1965 的标准应用电路,展示了如何将各个元件连接在一起以实现电源控制功能。在设计实际电路时,可以参考这些典型电路,并根据具体需求进行调整。
通过添加共源共栅晶体管来缓冲基极驱动输出,可以配置线性调节器控制器以调节高输出电压。对于正输出电压,可添加 2N5550 高压 NPN 晶体管;对于负输出电压,可添加 2N5401 高压 PNP 晶体管。
对于需要同时产生模拟和功率输出的应用,可以在模拟输出上添加 LC 滤波器来过滤噪声,使一个输出电压既能提供模拟输出又能提供功率输出。选择合适的 LC 转折频率以提供所需的衰减,并确保滤波器电感和输出滤波器电容能对输出瞬态产生过阻尼响应。
MAX1964/MAX1965 电源控制器以其丰富的功能、高效的性能和广泛的应用场景,为电子工程师在电源管理设计中提供了一个优秀的选择。但在实际设计过程中,需要综合考虑各种因素,如元件选择、电路布局、稳定性分析等,以确保系统的可靠性和性能。通过深入了解其工作原理和设计要点,我们可以更好地发挥这两款控制器的优势,设计出满足需求的电源解决方案。大家在实际应用中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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