电子说
在当今的电子设备设计中,如何高效稳定地为设备供电是工程师们面临的重要挑战之一。Power-over-Ethernet(PoE)技术的出现为解决这一问题提供了有效的方案。今天,我们就来深入了解一下Maxim Integrated推出的MAX5988A/MAX5988B,这两款产品为IEEE 802.3af标准的Class 1/Class 2 Powered Devices(PDs)提供了完整的电源解决方案。
文件下载:MAX5988A.pdf
MAX5988A/MAX5988B将PD接口与高效DC-DC转换器集成在一起,显著减少了外部元件数量,同时还具备低压差稳压器、MPS、睡眠和超低功耗模式等功能。这种高度集成的设计不仅节省了空间,还降低了物料清单(BOM)成本。
在使用MAX5988A/MAX5988B时,需要注意其绝对最大额定值。例如,VDD到GND的电压范围为 -0.3V至 +70V(内部钳位),LX总RMS电流为1.6A等。超出这些额定值可能会对设备造成永久性损坏。
文档中详细列出了各种电气参数,如检测模式下的输入偏移电流、有效差分输入电阻,分类模式下的分类启用阈值、分类禁用阈值等。这些参数对于准确设计和使用该设备至关重要。例如,在检测模式下,输入偏移电流最大为8μA;在分类模式下,分类电流根据不同设置有所不同,CLASS2 = GND时为9.12 - 11.88mA,CLASS2 = VDRV时为16.1 - 20.9mA。
在此模式下,设备通过单个外部签名电阻提供检测签名,PSE(Power Sourcing Equipment)通过施加两个电压来计算差分电阻,以确保24.9kΩ签名电阻的存在。设备在检测模式下的VDD偏移电流小于10μA,保护二极管引起的直流偏移对签名电阻测量影响不大。
设备在该模式下沉入Class 1/Class 2分类电流,PSE通过施加分类电压并测量电流来确定要提供的最大功率。通过外部24.9kΩ电阻(RSIG)和CLASS2引脚可设置分类电流,Class 1为10.5mA(CLASS1 = GND),Class 2为18mA(CLASS2 = VDRV)。
当VDD高于欠压锁定阈值(VON)时,设备进入功率模式。此时,内部p沟道隔离MOSFET导通,连接VCC和VDD,浪涌电流限制内部设置为49mA(典型值)。当VCC接近VDD且浪涌电流低于限制时,隔离MOSFET完全导通,电流限制变为321mA(典型值)。123ms后,降压转换器开启。
设备的开启UVLO阈值(VON)典型值为38.8V,关闭UVLO阈值(VOFF)典型值为31.5V。当输入电压高于VON时,设备进入功率模式,内部隔离MOSFET导通;当输入电压低于VOFF超过tOFF_DLY时,MOSFET和降压转换器关闭。
当设备的管芯温度达到151°C时,会产生过热故障并关闭设备。管芯温度必须冷却到 +135°C以下才能消除过热故障,热关断条件清除后,设备将复位。
集成了70V电压钳位,可保护内部电路免受电缆放电事件的影响。
当触发打嗝保护时,设备关闭高端MOSFET,打开低端MOSFET,直到电感电流达到谷底电流限制。控制逻辑等待154ms后尝试新的软启动序列。在软启动和正常运行模式下,若高端MOSFET电流超过失控电流限制阈值,或在正常运行模式下输出欠压事件发生(调节反馈电压降至60%(典型值)以下),都会触发打嗝模式。
对于使用墙式适配器等辅助电源为PD供电的应用,设备具备墙式适配器检测功能。当检测到墙式适配器(WAD到PGND的电压大于8.8V)时,内部隔离MOSFET关闭,分类电流禁用,设备通过VCC从辅助电源获取电力。
通过将LDO_FB直接连接到VDRV,可设置预设电压3.3V;若需要不同的输出电压,可连接一个电阻分压器从LDO_OUT和LDO_FB到GND。总反馈电阻应在100kΩ范围内,LDO最小输出电流能力为85mA,设计时需考虑热问题以防止触发热关断。
降压转换器的输出电压可通过改变反馈电阻分压器的比例来设置,MAX5988A的输出电压范围为3.0V至5.6V,MAX5988B为5.4V至14V。FB电压调节为1.227V,应保持FB引脚到电阻分压器中心的走线短,并使总反馈电阻约为10kΩ。
PCB布局对于实现设备的清洁稳定运行至关重要。建议复制MAX5988A EV套件的布局以获得最佳性能。若需要进行调整,应遵循以下准则:
MAX5988A/MAX5988B凭借其高集成度、高效性能和丰富的保护功能,为PoE供电设备的设计提供了一个可靠的解决方案。在实际应用中,工程师们需要根据具体需求合理选择元件,并注意PCB布局,以充分发挥该产品的优势。你在使用PoE设备时遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !