AS2621 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

1、方案名称：AS2621 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

2、品牌：紫源微（Zymicro）

3、描述：AS2621 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率MOSFET/IGBT 等器件。

4、方案特色：

•  宽VIN范围：5.5V至40V

•  自举工作的浮动通道

•  最高工作电压为 700V

•  兼容 3.3V，5V 和 15V 输入逻辑

•  dV/dt 耐受能力可达±50V/nsec

•  VS负压耐受能力达 -9V

•  栅极驱动电压：10V 到 20V

•  高、低侧欠压锁定电路：欠压锁定正向阈值 8.9V，欠压锁定负向阈值 8.2V

•  芯片开通/关断传输延时：Ton/Toff=130ns/130ns

•  防止直通保护：死区时间 250ns

•  高低侧延时匹配

•  驱动电流能力：拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

•  符合 RoSH 标准

•  采用 SOP-8 封装

5、应用领域：

•  电机控制

•  空调/洗衣机

•  微型逆变器驱动程序

6、应用原理图：

审核编辑 黄宇