探索 DS1135L：3V 3 - 合 1 高速硅延迟线的魅力

在电子设计领域，高速且精确的延迟线是实现信号处理和时序控制的关键组件。今天，我们就来深入了解 Maxim Integrated 推出的 DS1135L 3V 3 - 合 1 高速硅延迟线，看看它有哪些独特之处。

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产品特性亮点

全硅定时电路

DS1135L 采用全硅定时电路，这赋予了它在不同温度和电压条件下的稳定性和精确性。与传统的延迟线解决方案相比，全硅设计具有更高的可靠性和更低的功耗。

三个独立缓冲延迟

该延迟线在单个封装中集成了三个独立的逻辑缓冲延迟，这使得它在多通道信号处理中非常实用。工程师可以根据需要独立控制每个通道的延迟，大大提高了设计的灵活性。

精确的边沿精度

无论是信号的上升沿还是下降沿，DS1135L 都能提供精确的延迟控制，同时还能保留输入信号的对称性，确保信号的完整性。

良好的焊接兼容性

支持气相和红外回流焊接，并且可提供卷带包装，这使得它在大规模生产中便于自动化组装。

宽温度范围

在商业和工业温度范围内都有明确的延迟规格，可适应 - 40°C 至 + 85°C 的工作温度，满足各种恶劣环境的应用需求。

引脚分配与描述

DS1135L 采用 150 密耳的 8 引脚 SO 封装，引脚分配如下：	引脚	描述
IN1 - IN3	输入信号
OUT1 - OUT3	输出信号
VCC	+3V 电源
GND	接地

延迟规格

DS1135L 提供了多种标准延迟值可供选择，不同型号的具体延迟时间和延迟公差如下表所示：	型号	延迟（ns）	初始公差（ns）	0°C 至 +70°C 公差（ns）	-40°C 至 +85°C 公差（ns）
DS1135LZ - 10+	10/10/10	±1.0	±2.0	±3.0
DS1135LZ - 12+	12/12/12	±1.0	±2.0	±3.0
DS1135LZ - 15+	15/15/15	±1.0	±2.5	±4.0
DS1135LZ - 20+	20/20/20	±1.0	±2.5	±4.0
DS1135LZ - 25+	25/25/25	±1.5	±3.0	±5.0
DS1135LZ - 30+	30/30/30	±1.5	±3.0	±5.0

注：“+” 表示无铅/符合 RoHS 标准的封装。

电气特性

绝对最大额定值

• 任何引脚相对于地的电压范围： - 1.0V 至 +6.0V
• 短路输出电流：50mA（持续 1 秒）
• 工作温度范围： - 40°C 至 +85°C
• 存储温度范围： - 55°C 至 +125°C
• 引脚焊接温度（10 秒）：+300°C
• 回流焊接温度：+260°C

直流电气特性

在 (V{CC}=2.7V) 至 3.6V，(T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的条件下，主要参数如下：	参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位
电源电压	VCC	2.7	3.3	3.6	V
工作电流	ICC	-	-	10（ (V_{CC}=3.6V)，周期 = 1µs）	mA
高电平输入电压	VIH	2.0	-	(V_{CC}+0.5)	V
低电平输入电压	VIL	-0.5	-	0.8	V
输入泄漏电流	IL	-1.0	-	+1.0	µA
高电平输出电流	ICC	-1.0（ (V{CC}=2.7V)，(V{OH}=2V) ）	-	-	mA
低电平输出电流	ICC	-	-	8（ (V{CC}=2.7V)，(V{OL}=0.4V) ）	mA

交流电气特性

同样在 (V{CC}=2.7V) 至 3.6V，(T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C 的条件下：	参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注
周期	tPERIOD	2（ (t_{WI}) ）	-	-	ns	-
输入脉冲宽度	tWI	-	-	-	ns	100% 相关
延迟值（输入 - 输出延迟）	tPLH，tPHL	见延迟表	-	-	ns	-
输出上升或下降时间	tOF，tOR	2.0	2.5	-	ns	-
上电时间	tPU	-	-	-	ms	2

电容特性

在 (T{A}=+25^{circ}C) 时，输入电容 (C{IN}) 最大值为 10pF。

测试条件与术语解释

测试条件

• 环境温度：25°C ± 3°C
• 电源电压（ (V_{CC}) ）：3.3V ± 0.1V
• 输入脉冲：高电平 3.0V ± 0.1V，低电平 0.0V ± 0.1V
• 源阻抗：最大 50Ω
• 上升和下降时间：最大 3.0ns（在 0.6V 至 2.4V 之间测量）
• 脉冲宽度：500ns
• 脉冲周期：1µs
• 输出负载电容：15pF
• 输出：每个输出加载一个相当于 74F04 输入门的负载

术语解释

• 周期（Period）：第一个脉冲上升沿与下一个脉冲上升沿之间的时间间隔。
• 脉冲宽度（(t_{WI}) ）：脉冲上升沿 1.5V 点与下降沿 1.5V 点之间的时间，或下降沿 1.5V 点与上升沿 1.5V 点之间的时间。
• 输入上升时间（(t_{RISE}) ）：输入脉冲上升沿 20% 点到 80% 点之间的时间。
• 输入下降时间（(t_{FALL}) ）：输入脉冲下降沿 80% 点到 20% 点之间的时间。
• 上升延迟时间（(t_{PLH}) ）：输入脉冲上升沿 1.5V 点到输出脉冲上升沿 1.5V 点之间的时间。
• 下降延迟时间（(t_{PHL}) ）：输入脉冲下降沿 1.5V 点到输出脉冲下降沿 1.5V 点之间的时间。

订购信息与封装

订购信息

DS1135L 的破折号后的数字表示延迟时间（ns），例如 DS1135LZ - 10+ 表示延迟时间为 10ns。

封装信息

目前提供的封装类型为 Z = SO（150MIL），具体的封装轮廓和焊盘图案信息可访问 www.maximintegrated.com/packages 查询。

总结

DS1135L 是一款性能出色的 3V 3 - 合 1 高速硅延迟线，具有稳定性高、精度好、灵活性强等优点。无论是在高速信号处理还是复杂的时序控制应用中，它都能为工程师提供可靠的解决方案。作为电子工程师，你是否在项目中考虑过使用类似的延迟线呢？它又会为你的设计带来哪些新的可能性呢？欢迎在评论区分享你的想法。