探索DS1135：3合1高速硅延迟线的卓越性能

在电子设计领域，延迟线是实现精确时序控制的关键组件。今天，我们来深入了解Maxim Integrated推出的DS1135 3合1高速硅延迟线，看看它如何在众多应用中发挥重要作用。

文件下载：DS1135.pdf

一、DS1135的特性亮点

1. 全硅定时电路

DS1135采用全硅定时电路，这使得它在不同的温度和电压条件下都能保持稳定和精确。这种设计保证了信号处理的可靠性，减少了因环境因素导致的误差。

2. 三个独立缓冲延迟

该器件在单个封装中集成了三个独立的逻辑缓冲延迟，为设计提供了更大的灵活性。每个输出都能独立工作，满足复杂系统中不同的时序需求。

3. 精确的边沿精度

它具备精确的前沿和后沿精度，能够很好地保留输入信号的对称性。这对于需要高精度信号处理的应用来说至关重要，比如通信系统和高速数据传输。

4. 良好的焊接兼容性

DS1135支持气相、红外和波峰焊接，并且提供卷带包装，方便大规模生产和组装。同时，它有商业和工业温度范围可供选择，适应不同的工作环境。

5. 5V工作电压

DS1135通常在5V电压下工作（如果需要3V工作电压，可以参考DS1135L），是DS1013和DS1035的推荐替代产品。

二、引脚分配与描述

DS1135采用8引脚SO（150密耳）封装，引脚分配如下：	引脚	名称	描述
IN1 - IN3	输入信号	用于接收输入信号
OUT1 - OUT3	输出信号	提供延迟后的输出信号
VCC	+5V电源	为器件提供电源
GND	接地	作为参考地

三、延迟参数

DS1135有多种延迟值可供选择，不同型号的延迟参数如下表所示：	型号	每个输出的延迟 (ns)	初始公差 (Note 1)	温度和电压范围内的公差 (Note 2) 0°C 至 +70°C	温度和电压范围内的公差 (Note 2) -40°C 至 +85°C
DS1135Z - 6+	6/6/6	±1.0ns	±1.0ns	±1.5ns
DS1135Z - 8+	8/8/8	±1.0ns	±1.0ns	±1.5ns
DS1135Z - 10+	10/10/10	±1.0ns	±1.0ns	±1.5ns
DS1135Z - 12+	12/12/12	±1.0ns	±1.0ns	±1.5ns
DS1135Z - 15+	15/15/15	±1.0ns	±1.5ns	±2ns
DS1135Z - 20+	20/20/20	±1.0ns	±1.5ns	±2ns
DS1135Z - 25+	25/25/25	±1.5ns	±1.5ns	±2ns
DS1135Z - 30+	30/30/30	±1.5ns	±1.5ns	±2ns

注：

1. 标称条件为 +25°C 和 VCC = +5.0V。
2. 电压范围为 4.75V 至 5.25V。
3. 延迟精度适用于前沿和后沿。

四、测试设置

为了准确测量DS1135的时序参数，使用了特定的硬件配置。输入波形由软件控制的精密脉冲发生器产生，时间延迟通过连接到输出的时间间隔计数器（20ps分辨率）进行测量。DS1135的输出抽头通过VHF开关控制单元选择并连接到间隔计数器，所有测量都通过计算机通过IEEE 488总线对每个仪器进行全自动控制。

五、电气特性

1. 绝对最大额定值

• 任何引脚相对于地的电压范围：-1.0V 至 +6.0V
• 短路输出电流：50mA（持续1秒）
• 工作温度：-40°C 至 +85°C
• 存储温度：-55°C 至 +125°C
• 引脚温度（焊接，10秒）：+300°C
• 焊接温度（回流）：+260°C

需要注意的是，这只是应力额定值，在这些或本规格操作部分所示条件之外的任何其他条件下，并不意味着器件能正常工作。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。

2. 直流电气特性

在 (V{CC}= +5V ± 5%) ， (T{A} = -40^{circ}C) 至 +85°C（除非另有说明）的条件下，各项参数如下：	参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注
电源电压	VCC	4.75	5.00	5.25	V
有源电流	ICC					VCC = 5.25V，周期 = 1µs 时为 35 mA
高电平输入电压	VIH	2.2		+0.5 VCC	V
低电平输入电压	VIL	-0.5		0.8	V
输入泄漏电流	IL	-1.0		+1.0	µA	0V ≤ VI ≤ VCC
高电平输出电流	ICC			-1.0	mA	VOH = 4V，VCC = 4.75V
低电平输出电流	ICC			12	mA	VCC = 4.75V，VOL = 0.5V

3. 交流电气特性

同样在 (V{CC}= +5V ± 5%) ， (T{A} = -40^{circ}C) 至 +85°C（除非另有说明）的条件下：	参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注
周期	tPERIOD	2(tw1)			ns
输入脉冲宽度	twI	100% of Tap Delay			ns
输入到输出延迟	tPLH、tPHL	见 Table 1			ns
输出上升或下降时间	toF、tOR		2.0	2.5	ns
上电时间	tpu			100	ms

4. 电容特性

在 (T_{A} = +25^{circ}C)（除非另有说明）的条件下，输入电容 CIN 为 10 pF。

六、测试条件

• 环境温度：25°C ± 3°C
• 电源电压（VCC）：5.0V ± 0.1V
• 输入脉冲：高电平 3.0V ± 0.1V，低电平 0.0V ± 0.1V
• 源阻抗：最大 50Ω
• 上升和下降时间：最大 3.0ns（在 0.6V 和 2.4V 之间测量）
• 脉冲宽度：500ns
• 脉冲周期：1µs
• 输出负载电容：15pF
• 输出：每个输出加载一个 74F04 输入门的等效负载 数据在上升和下降沿的 1.5V 电平处测量。需要注意的是，上述条件仅用于测试，并不限制器件在其他数据手册条件下的使用。

七、术语解释

• 周期（Period）：第一个脉冲的前沿与下一个脉冲的前沿之间的时间间隔。
• tWI（脉冲宽度）：脉冲在前沿的 1.5V 点与后沿的 1.5V 点之间的时间间隔，或者后沿的 1.5V 点与前沿的 1.5V 点之间的时间间隔。
• tRISE（输入上升时间）：输入脉冲前沿 20% 点到 80% 点之间的时间间隔。
• tFALL（输入下降时间）：输入脉冲后沿 80% 点到 20% 点之间的时间间隔。
• tPLH（上升延迟时间）：输入脉冲前沿的 1.5V 点与输出脉冲前沿的 1.5V 点之间的时间间隔。
• tPHL（下降延迟时间）：输入脉冲下降沿的 1.5V 点与输出脉冲下降沿的 1.5V 点之间的时间间隔。

八、订购信息

DS1135提供多种延迟时间选择，包括 6ns、8ns、10ns、12ns、15ns、20ns、25ns 和 30ns。封装类型为 Z = SOIC（150 - MIL）。如需最新的封装外形信息和焊盘图案（焊盘尺寸），可访问 www.maximintegrated.com/packages。需要注意的是，封装代码中的 “+”、“#” 或 “-” 仅表示 RoHS 状态。

九、修订历史

修订日期	描述	更改页面
8/12	移除了 DIP 和 uSOP 封装；更新了绝对最大额定值部分；添加了封装信息部分	1,2,4,6

DS1135凭借其卓越的性能和丰富的特性，为电子工程师在设计中提供了可靠的时序控制解决方案。在实际应用中，我们需要根据具体需求选择合适的延迟值和封装类型，同时要注意各项电气特性和测试条件，以确保器件的正常工作。大家在使用DS1135的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。