电子说
在电子设备的电源管理领域,负载开关控制器扮演着至关重要的角色。SGMICRO推出的SGM854超低静态电流负载开关控制器,凭借其出色的性能和丰富的功能,成为了移动设备、便携式装备等应用的理想选择。本文将深入剖析SGM854的各项特性、工作原理及应用场景,为电子工程师们在设计中提供全面的参考。
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SGM854是一款输入电压范围为2.4V至12V的负载开关控制器,主要用于控制主电源P沟道MOSFET的导通与关断。它集成了复位和电源序列功能,通过RST0、RST1和OFF引脚进行控制,并且具备工厂设定的固定延迟时间。该芯片采用绿色UTQFN - 1.8×1.4 - 10L封装,工作结温范围为 - 40℃至 + 125℃,适用于手机、平板电脑等小型封装的便携式设备,同时还具备系统放电路径和充电器插入检测功能。
采用绿色UTQFN - 1.8×1.4 - 10L封装,体积小巧,适合对空间要求较高的便携式设备。
SGM854广泛应用于多种电子设备,包括手机、平板电脑、蓝牙音箱、可穿戴设备和其他便携式装备。其低功耗和丰富的功能使其能够满足这些设备对电源管理的严格要求。
输入电压范围为2.4V至12V,能够适应不同的电源环境。在不同工作状态下,其供电电流也有所不同,如运输模式下最大电流为2.5µA,导通状态下根据不同情况电流在0.7µA至10µA之间。
SRO引脚的上升时间在特定条件下为0.5至1ms,逻辑高电平电压为VIN - 0.3V,逻辑低电平电压为0.3V,确保了对P - MOSFET的有效驱动。
DCHG0和DCHG1的放电电阻在不同条件下有所不同,如强制1mA电流时为80至120Ω,在VDCHG0 = VDCHG1 = 4V、TJ = + 25℃时为155至180Ω,放电延迟时间为4.0至6.0ms。
具备欠压保护功能,VIN欠压锁定阈值为1.75V,UVLO迟滞为150mV。RST0、RST1和OFF引脚的逻辑电平有明确规定,同时引入了去抖时间,以避免误触发。
通过拉低RST0和RST1引脚10.9s可进入复位程序,此时外部P - MOSFET将关闭,系统状态被清除并重新启动。为避免误触发,引入了去抖时间tDG1,大于该时间的脉冲干扰将被忽略。
要进入运输模式,需要OFF信号满足特定波形要求,即导通时间 > t3、关断时间 > t3,且在100ms内有5个连续周期。在运输模式下,nSRO引脚浮空,放电功能不被激活。同样,为避免OFF信号的误触发,引入了去抖时间tDG2。
有两种方式可退出运输模式:一是在VIN大于UVLO阈值的条件下,拉低RST0引脚t6时间;二是拉高TAIN引脚t7时间,通常通过插入充电器并连接100kΩ电阻来实现。
TAIN引脚连接有100kΩ外部电阻和2MΩ内部下拉电阻,其电压可通过公式 (V{TAIN }=frac{R{INT }}{R{INT }+R{EXT}} × V_{CHG}) 计算。当外部充电器电压较高时,内部二极管会将TAIN电压钳位至11.5V,且允许通过的最大电流为1mA。
上电时,VIN超过UVLO阈值,nSRO随VIN升高而升高。在复位期间,DCHG0和DCHG1引脚会通过内部电阻进行放电,但当充电器插入时,TAIN引脚的高电平会立即禁用放电功能。
当RST0、RST1、OFF和TAIN输入同时作用时,SGM854采用优先级策略来避免输入冲突。复位功能优先级最高,其次是OFF信号,TAIN信号优先级最低。当多个动作同时发生时,SGM854仅响应优先级较高的动作,其他动作将被忽略。
在考虑热插拔情况时,建议在VIN引脚处使用1μF的X5R或X7R陶瓷电容作为输入电容,以衰减瞬态尖峰。这类电容具有低ESR和小温度系数的优点。
RST0、RST1和OFF引脚不要浮空,应根据实际需求进行正确连接,以确保芯片的正常工作。
SGM854超低静态电流负载开关控制器以其丰富的功能、低功耗和小巧的封装,为电子工程师在电源管理设计中提供了一个优秀的解决方案。通过深入了解其特性和工作原理,工程师们可以更好地将其应用于各种电子设备中,提高设备的性能和可靠性。在实际设计过程中,还需要根据具体应用场景和需求,合理选择参数和进行电路设计,以充分发挥SGM854的优势。你在使用SGM854进行设计时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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