电子说
在电子设备的设计中,保护电路免受电压故障和浪涌的损害至关重要。SGMICRO 的 SGM40657/SGM40658 高电流过压保护器,为低电压系统提供了可靠的保护。下面我们就来详细了解这款保护器。
SGM40657/8 过压保护设备具有低导通电阻(典型值 20mΩ)的内部 FET,能保护低电压系统免受高达 +28V DC 的电压故障影响。内部钳位还可保护设备免受高达 +120V 的浪涌冲击。当输入电压超过过压阈值时,内部 FET 会关闭,防止受保护的下游组件受损。
SGM40657/8 采用 WLCSP - 1.31×1.84 - 12B 封装,引脚包括 EN、OUT、OVLO、IN、ACOK、GND 等。
在不同温度下,输入电源电流随输入电压的变化而变化。
OVLO 泄漏电流与 OVLO 引脚电压存在一定的对应关系。
归一化导通电阻随输出电流的变化而变化。
归一化 OVLO 阈值受温度影响。
适用于智能手机、平板电脑、移动互联网设备等。
通过将 IN 连接到电源适配器,OUT 连接到 PMIC 和应用处理器,OVLO 可根据需要连接外部电阻分压器或接地,实现过压保护功能。
设备包含定时逻辑,控制内部 FET 的开启。当使用内部跳闸阈值时,VIN < VIN_OVLO 时内部电荷泵启用;使用外部跳闸阈值时,VOVLO < VOVLO_EXT 时电荷泵启用。经过 15ms(典型值)的消抖延迟后,内部 FET 开启。消抖时间过后,软启动功能在 15ms(典型值)内限制 FET 浪涌电流。若 VIN 超过 VOVLO_THRESH,OUT 与 IN 断开连接。
通过 EN 引脚控制内部通断 FET 的开启和关闭。
SGM40657/8 集成了内部 FET,其导通电阻典型值为 20mΩ,由电荷泵驱动,产生高于 IN 的必要栅极电压。
SGM40657/8 分别具有 6.82V/5.95V(典型值)的过压阈值。
当结温超过 150℃(典型值)时,内部 FET 关闭;结温下降 30℃(典型值)后,设备退出热关断状态。
开漏 ACOK 输出可向主机系统传达稳定的电源信息。输入电压稳定后,ACOK 被拉低;热关断后,ACOK 呈高阻抗。
在 OTG 应用中,SGM40657/8 可从 OUT 向 IN 供电。初始时,OUT 处的 OTG 电压会使电源开关体二极管正向偏置,OUT 和 IN 之间存在约 0.7V 的电压降。当 IN 电压超过 2.5V 且消抖时间过去后,主电源开关完全开启,显著降低 OUT 到 IN 的电压降,可向 OTG 负载提供高达 3.5A 的连续电流。
大多数应用中,应使用 0.1μF 陶瓷电容尽可能靠近设备将 IN 旁路到 GND。若电源因长引线长度具有显著电感,设备可钳位 LC 谐振电路引起的过冲。
缓慢的开启时间提供软启动功能,使 SGM40657/8 能够对高达 1000μF 的输出电容充电,而不会因过流情况而关闭。
当输入电压高于 VIN_CLAMP 时,设备触发主动路径快速放电,直到输入电压下降到 VIN_CLAMP 以下 VHYS。输入上升和放电可能会重复,直到浪涌源能量耗尽。建议选择触发电压低于 VIN_CLAMP 的 TVS 以增强浪涌吸收能力。
设备检测 OVLO 引脚电压以判断是否存在外部分压器。若 OVLO 连接到地,则应用内部设置的 OVLO 值;若连接外部电阻分压器且 VovLO 超过 OVLO 选择电压 VOVLO_SELECT,则外部电阻分压器确定 IN_OVLOEXT。可根据公式 (V{IN_OVLOEXT }=V{BG} timesleft[1+frac{R{1}}{R{2}}right]) 计算 (R_{2})。
采用 WLCSP - 1.31×1.84 - 12B 封装,给出了详细的尺寸信息。
提供了卷轴尺寸、卷带尺寸和关键参数列表。
SGM40657/SGM40658 高电流过压保护器凭借其丰富的特性和可靠的性能,为电子设备的过压保护提供了有效的解决方案。在实际设计中,工程师可根据具体需求合理应用该保护器,确保设备的稳定性和可靠性。大家在使用这款保护器时,有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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