电子说
在电子设备的电源管理领域,可靠的保护机制至关重要。SGM2535作为一款集成了背对背FET和全方位保护功能的eFuse,为2.7V至18V的电源系统提供了强大的保护方案。今天,我们就来深入了解一下这款器件。
文件下载:SGM2535.pdf
SGM2535是一款紧凑且功能丰富的电源管理eFuse功率开关,具备全范围的保护功能。它有不同的版本,如SGM2535A/AL具有符合SATA设备睡眠标准的低功耗睡眠模式,SGM2535B/BL则提供适用于ORing操作的二极管模式。由于其宽工作电压范围,能够控制众多基本DC总线电压。而且,集成的背对背FET实现了双向电流调节,非常适合那些负载侧保持能量不能反向流向故障电源侧的系统。
输入电压范围为2.7V至18V,可承受高达20V的浪涌电压,能适应多种电源环境。
典型导通电阻为34mΩ,有助于降低功耗,提高电源效率。
电流限制可在0.6A至5.3A(±9%)之间调节,能根据不同应用需求灵活设置。
提供电流监测(IMON)输出(±8%),方便实时监测负载电流。
具有低功耗睡眠模式(仅SGM2535A/AL),睡眠模式下典型电流为103μA,关断模式下典型电流为3.9μA,有效降低功耗。
包括过压、欠压保护(±2.3%阈值)、反向电流阻断、快速反向电压关断等,确保系统安全稳定运行。
提供Power Good和Fault状态指示,方便系统状态监测和下游负载控制。
SGM2535有不同版本的引脚配置,下面为大家介绍主要引脚及其功能:
设备睡眠模式(低功耗模式)控制引脚,SGM2535A/AL为高电平有效。
二极管模式控制引脚(仅SGM2535B/BL),高电平激活非理想二极管模式。
PG为电源良好指示输出,PGTH为比较器正输入,用于监测电源轨电压。
使能和欠压锁定输入,可控制内部FET的开关,并在欠压时关断设备。
过压保护输入,可设置过压保护阈值。
电流限制编程引脚,通过外接电阻设置过载和短路电流限制。
软启动引脚,通过外接电容设置输出压摆率。
电流监测引脚,输出电流与FET电流成正比。
故障指示输出,低电平表示出现过压、欠压、反向电压或热关断等故障。
内部欠压锁定阈值上升典型值为2.4V,滞回为186 - 251mV,不同版本略有差异。
使能时典型电流为133μA,关断时典型电流为3.9μA,睡眠模式下(SGM2535A/AL)典型电流为103μA。
通过不同的ILIM电阻可设置不同的电流限制,如RILIM = 150kΩ时,电流限制为0.53 - 0.63A。
导通电阻在不同温度和负载条件下有所变化,典型值为34mΩ。
专为SATA接口设备设计,在睡眠模式下,过流限制阈值设为IDEVSLP_LIM,反向电流/电压保护和电流监测功能禁用,其他功能正常。
通过DMODE引脚激活,此时器件作为非理想二极管工作,过流限制为正常模式的50%,适用于电源多路复用应用。
以企业SSD应用为例,SGM2535可用于电源保护和数据保留。通过合理设置电阻和电容,可实现欠压锁定、过压保护、电流限制和软启动等功能。
SGM2535以其丰富的功能、可靠的保护机制和灵活的应用设计,为2.7V - 18V电源系统提供了全面的解决方案。无论是企业服务器、SSD驱动器还是智能负载开关等应用,SGM2535都能发挥重要作用。在实际设计中,我们需要根据具体应用需求,合理选择器件版本和设置参数,同时注意布局和布线,以确保系统的稳定性和可靠性。大家在使用SGM2535的过程中,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。
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