电子说
在电子工程领域,高压半桥模块是众多电路设计中不可或缺的关键组件。国际整流器公司(International I R Rectifier)推出的IR062HD4C10U - P2和IR082HD4C10U - P2高压半桥模块,凭借其卓越的性能和先进的技术,在市场上备受关注。今天,我们就来深入解析这两款模块。
文件下载:IR082H4C10U-P2.pdf
这两款模块采用半桥配置的输出功率IGBT,额定击穿电压高达600V,能够适应高电压环境下的工作需求。同时,其高端栅极驱动器专为自举操作而设计,这种设计使得模块在高压应用中能够更加稳定地工作。
对于两个通道,模块实现了匹配的传播延迟,这一特性大大简化了使用过程,让工程师在设计电路时能够更加轻松地进行信号处理和控制。
IR062HD4C10U - P2具备独立的高端和低端输出通道,而IR082HD4C10U - P2则采用了交叉传导预防逻辑。这种差异化的设计为不同的应用场景提供了更多的选择,工程师可以根据具体需求来挑选合适的模块。
模块具备欠压锁定功能,当电压低于设定值时,模块会自动锁定,避免因电压过低而对设备造成损坏,有效提高了设备的可靠性和稳定性。
采用5V施密特触发输入逻辑,使得模块能够更好地与标准CMOS或LSTTL输出兼容,增强了模块在不同电路系统中的通用性。
金属散热片的背部设计有助于提高功率耗散(PD),能够及时将模块产生的热量散发出去,保证模块在长时间工作时的稳定性。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 最大输入电压(VIN (max)) | 600V |
| 在环境温度25°C时的功率耗散(PD (TA = 25°C)) | 3.0W |
| 绝对最大额定值表示了设备能够承受的持续极限,超过这些极限可能会对设备造成损坏。以下是部分关键参数: | 符号 | 定义 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VIN | 高压电源 | -0.3 | 600 | V | |
| VB | 高端浮动电源绝对电压 | VO - 0.3 | VO + 25 | V | |
| VO | 半桥输出电压 | -0.3 | VIN + 0.3 | V | |
| VIH / VIL | 逻辑输入电压(HIN & LIN) | -0.3 | Vcc + 0.3 | V | |
| VCC | 低端和逻辑固定电源电压 | -0.3 | 25 | V | |
| dV/dt | 峰值二极管恢复dv/dt | - | 3.50 | V/ns | |
| PD | 封装功率耗散(TA ≤ +25°C) | - | 3.00 | W | |
| Rth JA | 结到环境的热阻 | - | 50 | °C/W | |
| Rth Jc | 结到外壳(金属)的热阻 | - | 20 | °C/W | |
| TJ | 结温 | -55 | 150 | °C | |
| TS | 储存温度 | -55 | 150 | °C | |
| TL | 引脚温度(焊接,10秒) | - | 300 | °C |
| 为了确保模块的正常运行,需要在推荐的工作条件下使用。以下是部分关键参数: | 符号 | 定义 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VB | 高端浮动电源绝对电压 | VO + 10 | VO + 20 | V | |
| VIN | 高压电源 | - | 600 | V | |
| VO | 半桥输出电压 | (注1) | VIN | ||
| VCC | 低端和逻辑固定电源电压 | 10 | 20 | V | |
| VIH / VIL | 逻辑输入电压(HIN & LIN) | 0 | VCC | ||
| TA | 环境温度 | -40 | 125 | °C | |
| IC | 连续集电极电流(TC = 25 °C) | - | 2.0 | A | |
| (TC = 85 °C) | - | 1.1 | A |
注1:逻辑操作适用于VO为 - 5至600V。在VO为 - 5至 - VBO时保持逻辑状态。
| 在VBIAS (VCC, VBS) = 15V且TA = 25°C的条件下,模块的动态电气特性如下: | 符号 | 定义 | TA = 25°C时的参数 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| ton | 导通传播延迟(见注2) | - IR062:最小值 - ,典型值220,最大值310,单位ns | Vo = 0V | |
| - IR082:最小值 - ,典型值680,最大值900,单位ns | ||||
| toff | 关断传播延迟(见注2) | - IR062:最小值 - ,典型值257,最大值380,单位ns | Vo = 600V | |
| - IR082:最小值 - ,典型值220,最大值400,单位ns | ||||
| trr | 反向恢复时间(FRED二极管) | 最小值 - ,典型值28,单位 - | di/dt = 100 A/µs,IF = 400mA | |
| Qrr | 反向恢复电荷(FRED二极管) | 最小值 - ,典型值40,单位nC |
注2:开关时间如指定并在图2中所示,参考VO输出电压。
| 在VBIAS (VCC, VBS) = 15V且TA = 25°C的条件下,模块的静态电气特性如下: | 符号 | 定义 | TA = 25°C时的参数 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| VBSUV+ VCCUV+ | VCC电源欠压正向阈值 | 最小值 - ,典型值8.0 - 8.9,最大值9.8,单位V | ||
| VCCUV - VBSUV - | VCC电源欠压负向阈值 | 最小值 - ,典型值7.4 - 8.2,最大值9.0,单位V | ||
| I QCC | 静态VCC电源电流 | 最小值 - ,典型值0.4,最大值1.6,单位mA | ||
| I QBO | 静态VBO电源电流 | 最小值 - ,典型值20,最大值150,单位µA | ||
| I LK | 偏置电源泄漏电流 | @25°C时,最大值100 | VB = 600V | |
| I INLK | Vin到VO泄漏电流 | @25°C时,最大值250;@150°C时,最大值1000 | VIN = 600V,VO = 0V | |
| I OLK | VO泄漏电流 | @25°C时,最大值250;@150°C时,最大值1000 | VO = 600V | |
| VIH | 逻辑“1”输入电压 | 典型值2.7,单位V | VCC = 10V至20V | |
| VIL | 逻辑“0”输入电压 | 最大值0.8,单位V | ||
| I IN + | 逻辑“1”输入偏置电流 | 最大值40,单位µA | VIN = 5V | |
| I IN - | 逻辑“0”输入偏置电流 | 最大值1,单位 - | ||
| VCE (on) | 集电极 - 发射极饱和电压 | 典型值3.0,单位V | IC = 400mA | |
| VEC | 二极管正向电压 | 典型值1.2,单位V | IE = 400mA | |
| VF | 自举二极管正向电压(D1) | 典型值1.5,单位V | IF = 400mA |
| 引脚符号 | 定义 |
|---|---|
| Vcc | 逻辑和内部栅极驱动电源电压 |
| HIN | 高端半桥输出的逻辑输入,同相 |
| LIN | 低端半桥输出的逻辑输入,IR062xxx为同相,IR082xxx为反相 |
| VB | 高端栅极驱动浮动电源 |
| VIN | 高压电源 |
| VO | 半桥输出 |
| COM | 逻辑返回和半桥返回 |
两款模块采用7引脚的IGR封装,这种封装形式在保证模块性能的同时,也便于安装和布局。
IR062HD4C10U - P2和IR082HD4C10U - P2高压半桥模块在众多领域都有广泛的应用,如工业自动化、电力电子等。在实际设计中,工程师需要根据具体的应用场景和需求,综合考虑模块的各项参数,合理选择合适的模块。同时,在使用过程中,要注意模块的工作条件,确保其在推荐的范围内运行,以充分发挥模块的性能。大家在实际应用中是否遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
总之,这两款模块为电子工程师提供了高性能、高可靠性的解决方案,相信在未来的电子设计中会发挥重要的作用。
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