电子说
在开关电源的次级侧,传统上使用肖特基二极管进行无源整流以降低传导损耗。近年来,同步整流(SR)的概念逐渐在反激式应用中得到推广。使用低压低导通电阻(Rdson)的MOSFET来替代肖特基整流器具有诸多优势,如显著降低传导损耗、改善系统热管理,减少散热片和PCB空间成本。然而,反激式转换器中SR的实现技术不断发展,从简单的自驱动(次级绕组电压检测)到更复杂的“电流互感器感应”或两者结合的解决方案,但也带来了成本和元件数量增加的问题,同时反向电流传导问题仍然存在。本文将介绍IRAC1166 - 100W演示板,展示使用集成IC实现SR的优势,并研究其相对于传统整流方法的效率提升。
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IRAC1166 - 100W演示板是一款通用输入反激式转换器,具有单路直流输出,在有源整流模式下能够连续输出100W(+16V x 6.25A)。该演示板主要用于研究使用IR1166在低侧配置下的同步整流,其Vcc电源可直接从转换器输出获得,简化了设计。同时,它配备了必要的跳线,便于在准谐振模式下探索同步整流器(SR)的传导行为。
文档提供了演示板的正反面图片以及PCB的顶层和底层蚀刻图,方便工程师直观了解其外观和布局。
演示板通过2针连接器(CON1)输入交流电源,并配备了3.5A的延时型保险丝用于输入电流过载保护。在交流输入电压(90 - 264VAC)进入6A桥式整流器(DB1)之前,进行了最小限度的输入滤波(Cp1 - Xcap)。
初级侧控制器(U2)驱动初级MOSFET Q1在临界导通模式下工作,通过零电压开关(ZVS,仅当NVsec > Vdcin时发生)或低压开关(LVS,当nVsec < Vdcin时)消除导通开关损耗,减少Q1的电容损耗,特别是在高输入电压条件下。满载时开关频率通常在38 - 76kHz之间变化,轻载时降至最低值(固定在6 - 10kHz)以降低输入功率。
辅助绕组通过U2的去磁引脚4(通过Dp3、Rp5和Rp11网络)进行松散监测,Rp6和Rp11设置转换器的过压保护(OVP)和过功率限制。
添加谐振电容Cp7以增强整体寄生绕组电容和初级MOSFET Q1的Coss,分别在低和高输入电压条件下实现ZVS和LVS。
光耦合器U3提供隔离的输出电压反馈到初级侧。负载连接器CON2(+16Vo)两端的输出电压由V/I次级误差放大器U4(AQ105或AS4305)监测和调节,同时通过监测RS25 - 26电流感测电阻两端的电压来管理输出电流限制功能。
次级功率级使用2个SO - 8低导通电阻的IRF7853同步FET(SR)并联实现低侧同步整流。Vcc电源可直接从直流输出Vout获得,跳线J5用于隔离U1(IR1166 SO8 - IC)的Vcc与Vout,方便用户评估IC在待机负载条件下的功耗。
Vd和Vs感测引脚监测同步整流MOSFET两端的电压(Vsd),PCB布线时采取了措施确保差分电压Vsd的完整性。同时,提供了探针点和冗余测试钩点,便于探测关键测试波形。
文档提供了电压和电流探测的推荐设置图,包括直接栅极电压探测、连接示波器探针到栅极驱动测试点、探测次级电流波形以及输出电压的纹波和噪声电压等。
偏移电压阈值(OVT)可以通过改变跳线J3的位置根据系统工作模式进行选择。在临界导通模式下,将OVT引脚浮空或接地可以延长MOSFET的沟道导通时间,减少MOSFET体二极管的导通时间,提高效率,并降低同步FET快速关断阶段出现反向电流的可能性。在轻载条件下(约10 - 20%满载),OVT接地比浮空时效率提高约0.5 - 1.2%,但在重载时这种差异不再显著。
IR1166 IC默认使能,EN引脚通过电阻内部连接到VCC。在J4位置添加跳线可将EN引脚连接到GND,立即禁用IR1166 IC的内部栅极驱动电路。用户可以通过插拔跳线J4来快速评估SR FET工作与普通无源整流(栅极驱动禁用时体二极管整流)对效率的影响。需要注意的是,禁用IR1166时,长时间(>1min)加载不应超过4.6 - 6A,以防止MOSFET体二极管因过热损坏。
MOT设置用于使IC对SR导通阶段Vsd的多次变化不敏感,这是由次级绕组电压(Vsec)的振铃引起的。MOT可以通过Rs18进行调整(根据AN1087简化方程(R{MOT}=2.5 ×10^{10} * t{mot})),选择400ns通常足以忽略准谐振开关转换器(如本演示板)中Vsd的寄生噪声。
在不同输入电压(90Vac和265Vac)和空载启动条件下,观察到同步整流器的Vsd信号干净,IR1166 IC在初级部分首次开关约3ms后开始同步整流操作,在此期间同步整流MOSFET的体二极管作为无源整流器工作。输出电压稳定并达到调节后,栅极驱动脉冲变窄,开关频率下降。启动时没有明显的反向电流。
在不同输入电压和空载条件下,同步整流器的Vsd以折返频率(DCM操作)开关,栅极驱动在无负载待机操作时变为规则的窄脉冲(约1.14us),开关频率固定在约14kHz。在满载(100W)时,IC的Vd感测引脚承受约1% - 6%的正常电压应力。
在不同输入电压(90Vacin、115Vacin、240Vacin和265Vacin)和满载(16Vout / 6.25A)条件下,输出电压的纹波和噪声约为312 - 337mVpp。
在0 - 100%额定负载、±800mA/usec的动态负载变化下,输出电压的纹波和噪声约为806 - 869mVpp。
观察到在不同输入电压(90Vacin和265Vacin)和满载启动时,Vgate和Vcc的变化情况。在电源关闭时,当初级母线电压下降到约40VDC时,开关停止,同步整流器的Vsd开关频率约为14kHz,栅极驱动也停止,Isd在输出电压下降时上升,直到IR1166 IC达到UVLO阈值,同步整流停止。
展示了不同输入电压(90V、115V、180V、220V、230V和265V)下,输出电压与负载电流的关系。在轻载到中等负载范围内,输出电压基本保持稳定,当负载电流超过6.25A后,输出电压开始下降,超过7.25A时出现波动。
在不同输入电压下,系统效率约为86.52% - 87.7%。当OVT接地时,系统效率在不同负载电流下的表现与OVT浮空时有所不同,但总体效率较高。
测试了不同环境温度(25.9˚C和50.4˚C)和输入电压(90VAC和265VAC)下,各个元件的温度。结果表明,在满载(6.25A)时,各元件的温度在可接受范围内,系统效率约为86.52% - 87.65%。
IRAC1166 - 100W演示板展示了IR1166智能整流控制IC通过简单的快速直接电压感应技术驱动MOSFET(作为同步整流器)的性能。该演示板在可变频率临界导通模式(VF - CrCM)下实现了低侧同步整流,提高了效率,简化了整体系统设计,适用于单输出反激式高电流应用,如笔记本电源适配器。使用低压SO - 8 MOSFET替代传统肖特基整流器带来了诸多优势,如避免使用重型散热片和简化栅极驱动电路,减少了PCB面积和元件数量。
提供了一个图表,用于图形化估计Isec rms / Io ave比率与变压器最大占空比(Dmax)的关系,考虑了不同的工作占空比、Vdcmin和Vsec值。
详细介绍了IRAC1166 - 100W +16V SR演示板的电源变压器规格,包括绕组匝数、线径、铁芯类型、磁芯材料、初级电感等信息,并提供了绕组端子图。
文档列出了IRAC1166 - 100W +16V演示板的所有物料清单,包括元件的数量、值、参考编号、描述和制造商编号等信息。
通过对IRAC1166 - 100W演示板的详细介绍,电子工程师可以深入了解同步整流技术在反激式转换器中的应用,以及如何进行电路设计、测试和优化。你在实际应用中是否也遇到过类似的同步整流设计问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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