安森美FCPF850N80Z MOSFET：高电压应用的理想之选

在电子工程师的日常设计中，MOSFET的选择对于电路性能至关重要。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的FCPF850N80Z N沟道SUPERFET II MOSFET。

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产品概述

安森美的SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列。它运用电荷平衡技术，实现了低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种技术不仅能最大程度减少传导损耗，还具备卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管可承受超过2 kV的HBM浪涌应力。鉴于这些优势，FCPF850N80Z非常适合音频、笔记本适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。

产品特性

低导通电阻

典型的RDS(on)为710 mΩ（典型值），低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功耗更低，从而提高了电路的效率。这对于需要长时间工作的电源电路尤为重要，能有效降低发热，延长设备的使用寿命。

超低栅极电荷

典型的Qg = 22 nC，低栅极电荷使得MOSFET的开关速度更快，减少了开关过程中的能量损耗。在高频开关应用中，这一特性可以显著提高电路的性能。

低Eoss和有效输出电容

典型的Eoss在400 V时为2.3 J，有效输出电容Coss(eff.)典型值为106 pF。低Eoss和有效输出电容有助于降低开关损耗，提高电路的整体效率。

雪崩测试与ESD改进

该MOSFET经过100%雪崩测试，具有改进的ESD容量，这意味着它在面对突发的电压冲击时，能更好地保护自身和整个电路，提高了电路的可靠性。

环保合规

产品符合RoHS标准，满足环保要求，符合当今电子行业对绿色产品的需求。

应用领域

AC - DC电源供应

在AC - DC电源供应中，FCPF850N80Z的低导通电阻和高开关性能可以有效提高电源的转换效率，减少能量损耗。同时，其高耐压和低电容特性也能确保电源在不同负载条件下稳定工作。

LED照明

在LED照明应用中，该MOSFET可以用于调光电路和电源管理。其快速的开关速度和低功耗特性有助于实现高效的照明控制，延长LED的使用寿命。

电气特性分析

最大额定值

参数	数值	单位
VDSS（漏源电压）	800	V
VGSS（栅源电压）	-DC ±20 V -AC (f > 1 Hz) ±30 V
ID（漏极电流 - 连续）	(TC = 25°C) 8.0 A (TC = 100°C) 5.1 A
IDM（漏极电流 - 脉冲）	18 A
EAS（单脉冲雪崩能量）	114 mJ
IAR（雪崩电流）	1.2 A
EAR（重复雪崩能量）	0.284 mJ
dv/dt（MOSFET dv/dt）	100 V/ns
PD（功率耗散）	(TC = 25°C) 28.4 W - 高于25°C时降额 0.24 W/°C
TJ, TSTG（工作和存储温度范围）	-55 至 +150	°C
TL（焊接时最大引线温度）	300	°C

这些最大额定值为工程师在设计电路时提供了重要的参考，确保MOSFET在安全的工作范围内运行。

电气特性

• 关断特性：击穿电压BVdss典型值为800 V，击穿电压温度系数为0.8 V/°C，零栅极电压漏极电流在不同条件下有相应的值。
• 导通特性：栅极阈值电压VGS(th)在2.5 - 4.5 V之间，静态漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 10 V、ID = 3 A时，典型值为710 mΩ，最大值为850 mΩ。
• 动态特性：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss等参数都表现出良好的性能，确保了MOSFET在高频下的稳定工作。
• 开关特性：开启延迟时间td(on)、开启上升时间tr、关断延迟时间td(off)和关断下降时间tf等参数，反映了MOSFET的开关速度和性能。

典型性能特性

文档中给出了多个典型性能特性图，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些特性图可以帮助工程师更好地了解MOSFET在不同工作条件下的性能，从而优化电路设计。

机械封装与尺寸

FCPF850N80Z采用TO - 220 Fullpack封装，这种封装具有良好的散热性能，适合高功率应用。文档中详细给出了封装的尺寸和公差，为工程师在PCB设计时提供了准确的参考。

总结

安森美FCPF850N80Z MOSFET凭借其卓越的性能和特性，在高压开关电源应用中具有很大的优势。作为电子工程师，在设计相关电路时，可以充分考虑其低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩能量等特性，以提高电路的效率和可靠性。同时，要严格按照其最大额定值和电气特性进行设计，确保MOSFET在安全的工作范围内运行。大家在实际应用中，是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。