电子说
在电子设计领域,MOSFET作为关键的功率开关器件,其性能直接影响到电源系统的效率和稳定性。今天,我们就来深入探讨Onsemi推出的一款高性能N沟道MOSFET——FCA20N60。
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FCA20N60属于Onsemi的SUPERFET MOSFET系列,这是该公司第一代高压超结(SJ)MOSFET家族产品。它采用了电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种技术能够有效降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量,非常适合用于开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源等。
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏源电压 | 600 | V |
| (V_{GSS}) | 栅源电压 | ± 30 | V |
| (I_{D}) | 连续漏极电流((T_{C}=25^{circ}C)) | 20 | A |
| (I_{D}) | 连续漏极电流((T_{C}=100^{circ}C)) | 12.5 | A |
| (I_{DM}) | 脉冲漏极电流 | 60 | A |
| (E_{AS}) | 单脉冲雪崩能量 | 690 | mJ |
| (I_{AR}) | 雪崩电流 | 20 | A |
| (E_{AR}) | 重复雪崩能量 | 20.8 | mJ |
| (dv/dt) | 峰值二极管恢复dv/dt | 4.5 | V/ns |
| (P_{D}) | 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | 208 | W |
| (P_{D}) | 25°C以上的降额系数 | 1.67 | W/°C |
| (T{J},T{STG}) | 工作和储存温度范围 | -55 to +150 | °C |
| (T_{L}) | 焊接时最大引脚温度(距外壳1/8”,5秒) | 300 | °C |
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 结到外壳的热阻(最大) | 0.6 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 结到环境的热阻(最大) | 41.7 | °C/W |
文档中给出了一系列典型特性曲线,如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流与外壳温度的关系以及瞬态热响应曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解器件在不同工作条件下的性能表现,从而进行合理的设计。
FCA20N60采用TO - 3P - 3L封装,每管装450个,有Pb - Free版本可供选择。对于卷带包装规格,可参考相关手册。
Onsemi的FCA20N60 MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,在开关电源领域具有广泛的应用前景。作为电子工程师,在设计电源系统时,需要充分考虑其各项参数和特性,结合实际应用需求,合理选择和使用该器件,以实现高效、稳定的电源设计。你在使用MOSFET时,有没有遇到过一些特殊的问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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