探索 onsemi FCH070N60E：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

作为电子工程师，在选择合适的 MOSFET 时，我们通常会关注器件的性能、特性以及应用场景。今天，我们就来深入探讨 onsemi 的 FCH070N60E，一款高性能的 N 沟道 MOSFET。

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一、SUPERFET II 技术亮点

FCH070N60E 采用了 onsemi 的 SUPERFET II 技术，这是一种全新的高压超结（SJ）MOSFET 技术。它运用了电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种技术能有效降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。

与普通的 SUPERFET II MOSFET 系列相比，FCH070N60E 属于 easy - drive 系列，其上升和下降时间稍慢。型号后缀的“E”表明该系列有助于管理 EMI 问题，使设计更容易实现。如果在对开关损耗要求极低的应用中需要更快的开关速度，工程师们可以考虑 SUPERFET II MOSFET 系列。

二、关键特性剖析

1. 低导通电阻

典型的 (R{DS(on)}) 为 58 mΩ，在 (V{GS}=10V) 时，最大 (R_{DS(on)}) 为 70 mΩ。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更小，能有效提高电路效率。

2. 高耐压能力

在 (T{J}=150^{circ}C) 时，能承受 650 V 的电压；在 (T{C}=25^{circ}C) 时，漏源电压 (V_{DSS}) 最大为 600 V。这使得 FCH070N60E 适用于高压应用场景。

3. 超低栅极电荷

典型的 (Q_{g}=128 nC)，低栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，降低开关损耗。

4. 低有效输出电容

典型的 (C_{oss(eff.)}=457 pF)，低输出电容有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡，提高电路的稳定性。

5. 100% 雪崩测试

经过 100% 雪崩测试，说明该器件具有良好的雪崩能量承受能力，能在恶劣的工作条件下保持稳定。

三、电气特性详解

1. 截止特性

• 漏源击穿电压 (B{V D S S})：在 (I{D}=10 mA)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C) 时为 600 V；在 (T_{J}=150^{circ}C) 时为 650 V。击穿电压温度系数为 0.7 V/°C。
• 零栅压漏电流 (I{D S S})：在 (V{D S}=600 V)，(V{G S}=0 V) 时为 1 A；在 (V{D S}=480 V)，(V{G S}=0 V)，(T{C}=125^{circ}C) 时为 3.4 A。
• 栅体泄漏电流 (I{G S S})：在 (V{G S}=pm20 V)，(V_{D S}=0 V) 时为 (pm100 nA)。

2. 导通特性

• 栅极阈值电压 (V{G S(th)})：在 (V{G S}=V{D S})，(I{D}=250 mu A) 时，范围为 2.5 - 3.5 V。
• 导通电阻 (R{D S(on)})：在 (V{G S}=10 V)，(I_{D}=26 A) 时，典型值为 58 mΩ，最大值为 70 mΩ。
• 跨导 (g_{f s})：典型值为 44。

3. 动态特性

• 输入电容 (C{i s s})：在 (V{D S}=380 V)，(V_{G S}=0V)，(f = 1 MHz) 时，范围为 3705 - 4925 pF。
• 输出电容 (C_{o s s})：范围为 116 - 155 pF。
• 反向传输电容 (C_{r s s})：范围为 12.3 - 20 pF。
• 有效输出电容 (C{o s s(eff.)})：在 (V{D S}=0V) 到 480 V，(V_{G S}=0V) 时为 457 pF。
• 总栅极电荷 (Q{g(tot)})：在 (V{D S}=380 V)，(I{D}=26 A)，(V{G S}=10V) 时，范围为 128 - 166 nC。
• 栅源栅极电荷 (Q{g s}) 为 18 nC，栅漏“米勒”电荷 (Q{g d}) 为 54 nC。
• 等效串联电阻 (E_{S R})：在 (f = 1 MHz) 时为 0.6 Ω。

4. 开关特性

• 开启延迟时间 (t_{d(on)})：范围为 29 - 68 ns。
• 开启上升时间 (t_{r})：范围为 28 - 66 ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(off)})：范围为 122 - 254 ns。
• 关断下降时间 (t_{f})：范围为 28 - 66 ns。

5. 漏源二极管特性

• 最大连续源漏二极管正向电流 (I{S}) 和最大脉冲漏源二极管正向电流 (I{S M}) 分别为 52 A 和 156 A。
• 漏源二极管正向电压 (V{S D})：在 (V{G S}=0V)，(I_{S D}=26A) 时为 1.2 V。
• 反向恢复时间 (t{r r})：在 (V{G S}=0V)，(I{S D}=26 A)，(dI{D}/dt = 100 A/mu s) 时为 463 ns。
• 反向恢复电荷 (Q_{r r}) 为 10.4 C。

四、应用领域广泛

FCH070N60E 适用于多种应用场景，主要包括电信/服务器电源和工业电源。在这些应用中，其高性能的特性能够满足电源系统对效率、稳定性和可靠性的要求。

五、封装与订购信息

FCH070N60E 采用 TO - 247 封装，包装方式为 Tube，每管 30 个。工程师们在订购时，可以参考数据手册第 2 页的详细订购和运输信息。

六、总结

FCH070N60E 凭借其卓越的性能和特性，为电子工程师在设计高压电源系统时提供了一个可靠的选择。在实际应用中，我们需要根据具体的电路需求，合理选择 MOSFET 的参数，以确保电路的性能和稳定性。大家在使用 FCH070N60E 过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。