深入剖析IDT5V41066:PCIe Gen1/2时钟合成器的卓越之选

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深入剖析IDT5V41066:PCIe Gen1/2时钟合成器的卓越之选

在电子工程领域,时钟合成器是确保系统稳定运行的关键组件。今天,我们将深入探讨Renesas的IDT5V41066——一款4输出PCIe Gen1/2合成器,看看它在通信和嵌入式系统中能带来怎样的优势。

文件下载:5V41066PGGI.pdf

产品概述

IDT5V41066是一款符合PCIe Gen2标准的具备扩频功能的时钟发生器。它拥有4个差分HCSL输出,可用于通信或嵌入式系统,能显著降低电磁干扰(EMI)。通过选择引脚,用户可以灵活选择扩频量和输出频率。

产品特性与优势

封装与尺寸

采用20引脚TSSOP封装,电路板占用空间小,适合对空间要求较高的设计。

扩频功能

具备扩频能力,有效降低EMI,提高系统的电磁兼容性。

输出灵活性

输出可端接至LVDS,能够驱动更多种类的设备,增强了产品的通用性。

电源管理

拥有电源关断引脚(PD)和输出使能控制引脚(OE),实现更高效的系统电源管理。

配置简便

通过引脚选择扩频百分比和频率,无需软件配置,简化了设计流程。

温度范围

支持工业温度范围,适用于对环境要求苛刻的嵌入式应用。

PCIe Gen3替代方案

对于PCIe Gen3应用,可参考5V41236。

关键规格

  • 周期抖动:周期到周期抖动小于100 ps,确保时钟信号的稳定性。
  • 输出偏差:输出到输出的偏差小于50 ps,保证各输出信号的一致性。
  • PCIe Gen2相位抖动:小于3.0 ps RMS,满足高速数据传输的要求。

引脚分配与说明

引脚分配

引脚编号 引脚名称 引脚类型 描述
1 VDDXD 电源 连接到 +3.3 V 数字电源
2 S0 输入 扩频选择引脚 #0,内部上拉电阻
3 S1 输入 扩频选择引脚 #1,内部上拉电阻
4 S2 输入 扩频选择引脚 #2,内部上拉电阻
5 X1 输入 晶体连接,连接到基模晶体或时钟输入
6 X2 输出 晶体连接,连接到基模晶体或留空
7 PD 输入 低电平时关闭所有PLL并使输出呈三态,内部上拉电阻
8 OE 输入 控制输出使能,高电平使能输出,低电平禁用输出,内部上拉电阻
9 GND 电源 连接到数字地
10 IREF 输出 连接精密电阻到内部电流参考
11 CLKD 输出 可选100/200 MHz扩频差分互补输出时钟D
12 CLKD 输出 可选100/200 MHz扩频差分真实输出时钟D
13 CLKC 输出 可选100/200 MHz扩频差分互补输出时钟C
14 CLKC 输出 可选100/200 MHz扩频差分真实输出时钟C
15 VDDODA 电源 连接到 +3.3 V 模拟电源
16 GND 电源 连接到模拟地
17 CLKB 输出 可选100/200 MHz扩频差分互补输出时钟B
18 CLKB 输出 可选100/200 MHz扩频差分真实输出时钟B
19 CLKA 输出 可选100/200 MHz扩频差分互补输出时钟A
20 CLKA 输出 可选100/200 MHz扩频差分真实输出时钟A

扩频选择表

S2 S1 S0 扩频百分比 扩频类型 输出频率
0 0 0 -0.5 向下 100
0 0 1 -1.0 向下 100
0 1 0 -1.5 向下 100
0 1 1 无扩频 不适用 100
1 0 0 -0.5 向下 200
1 0 1 -1.0 向下 200
1 1 0 -1.5 向下 200
1 1 1 无扩频 不适用 200

应用信息

去耦电容

为了使IDT5V41066达到最佳性能,必须将其与系统电源噪声隔离。每个VDD和PCB接地平面之间应连接0.01µF的去耦电容。

PCB布局建议

  • 每个0.01µF去耦电容应尽可能靠近VDD引脚安装在电路板的元件侧,去耦电容和VDD引脚之间不应使用过孔。
  • PCB到VDD引脚的走线以及到接地过孔的走线应尽可能短。铁氧体磁珠和大容量去耦电容与器件的距离影响较小。
  • 最佳布局是所有元件都在电路板的同一侧,尽量减少穿过其他信号层的过孔(铁氧体磁珠和大容量去耦电容可安装在背面)。其他信号走线应远离IDT5V41066。

外部组件

  • 去耦电容:在VDD和GND对(1,9和15,16)之间应尽可能靠近器件连接0.01 μF的去耦电容。
  • 晶体电容:从引脚X1到地和X2到地应连接晶体电容,以优化初始精度。晶体电容的值(以pf为单位)等于 ((C{L}-12)^{*} 2),其中 (C{L}) 是晶体负载电容(以pf为单位)。
  • 电流参考源 (R_{r}) (Iref):如果电路板目标走线阻抗 ((Z)) 为50Ω,则 (Rr = 475 Omega) (1%),提供2.32 mA的IREF,输出电流 ((IOH)) 等于6 * IREF。
  • 负载电阻 (R_{L}):由于时钟输出是开源输出,每个时钟输出应连接50欧姆的外部接地电阻。

输出端接

IDT5V41066的PCI-Express差分时钟输出是开源驱动器,需要外部串联电阻和接地电阻。具体的电阻值和允许的位置在PCI-Express布局指南部分有详细说明。此外,该器件还可以配置为LVDS兼容电压电平。

电气特性

绝对最大额定值

项目 额定值
电源电压,VDD, VDDA 5.5 V
所有输入和输出 -0.5 V 到 VDD + 0.5 V
环境工作温度(商业) 0 到 +70°C
环境工作温度(工业) -40 到 +85°C
存储温度 -65 到 +150°C
结温 125°C
焊接温度 260°C
ESD保护(输入) 2000 V min. (HBM)

DC电气特性

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压 V 3.135 3.3 3.465 V
输入高电压 VIH 2.2 VDD + 0.3 V
输入低电压 VIL VSS - 0.3 0.8 V
输入泄漏电流 IIL 0 < Vin < VDD -5 5 μA
工作电源电流 IDD RS = 33Ω, RP = 50Ω, CL = 2 pF @100 MHz 115 125 mA
IDDOE OE = Low 42 48 mA
IDDPD 无负载,PD = Low 350 500 μA
输入电容 CIN 输入引脚电容 7 pF
输出电容 COUT 输出引脚电容 6 pF
X1, X2电容 CINX 5 pF
引脚电感 LPIN 5 nH
输出阻抗 Zo CLK输出 3.0
上拉电阻 RPUP OE, SEL, PD引脚 110

AC电气特性 - CLKOUT (A:D)

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入频率 25 MHz
输出频率 HCSL端接 25 200 MHz
LVDS端接 25 100 MHz
输出高电压 VOH HCSL 850 mV
输出低电压 VOL HCSL -150 mV
交叉点电压 绝对 250 550 mV
所有边沿变化 140 mV
抖动,周期到周期 100 ps
频率合成误差 所有输出 0 ppm
调制频率 扩频 30 32.9 33 kHz
上升时间 tOR 从0.175 V到0.525 V 175 700 ps
下降时间 tOF 从0.525 V到0.175 V 175 700 ps
上升/下降时间变化 125 ps
输出到输出偏差 50 ps
占空比 45 55 %
输出使能时间 所有输出 50 100 ns
输出禁用时间 所有输出 50 100 ns
稳定时间 tSTABLE 从电源上电VDD = 3.3 V 1.8 ms
扩频过渡时间 tSPREAD 扩频变化后的稳定时间 7 30 ms

电气特性 - 差分相位抖动

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 备注
抖动,相位 t jphasePLL PCIe Gen1 30 86 ps (p-p) 1,2,3
t jphaseLO PCIe Gen2, 10 kHz < f < 1.5 MHz 0.76 3 ps (RMS) 1,2,3
t jphaseHIGH PCIe Gen2, 1.5 MHz < f < Nyquist (50 MHz) 2.0 3.1 ps (RMS) 1,2,3

热特性

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
热阻,结到环境 θJA 静止空气 93 °C/W
1 m/s 气流 78 °C/W
3 m/s 气流 65 °C/W
热阻,结到外壳 θJC 20 °C/W

订购信息

部件/订单编号 标记 运输包装 封装 温度范围
5V41066PGG 见第10页 管装 20引脚TSSOP 0 到 +70°C
5V41066PGG8 卷带包装 20引脚TSSOP 0 到 +70°C
5V41066PGGI 管装 20引脚TSSOP -40 到 +85°C
5V41066PGGI8 卷带包装 20引脚TSSOP -40 到 +85°C

总结

IDT5V41066作为一款高性能的PCIe Gen1/2时钟合成器,凭借其丰富的特性和出色的电气性能,为通信和嵌入式系统提供了可靠的时钟解决方案。在设计过程中,合理布局和选择外部组件对于发挥其最佳性能至关重要。希望通过本文的介绍,能帮助电子工程师更好地了解和应用这款产品。你在使用类似时钟合成器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

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